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當前位置: 首頁出版圖書科學技術(shù)自然科學物理學半導體物理學(下)

半導體物理學(下)

半導體物理學(下)

定 價:¥158.00

作 者: (德)馬呂斯·格倫德曼
出版社: 中國科學技術(shù)大學出版社
叢編項: 半導體芯片國際前沿
標 簽: 暫缺

ISBN: 9787312052408 出版時間: 2022-07-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 500 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  本書介紹了半導體物理和半導體器件,包括固體物理、半導體物理、各種半導體器件的概念及其在電子學和光子學中的現(xiàn)代應用。全書包括三部分內(nèi)容:半導體物理學的基礎(chǔ)知識( ~10章)、專題( 1~20章)與半導體的應用和器件(第21~24章)。第1章介紹半導體物理學的歷史沿革,按照時間順序給出歷 半導體相關(guān)的重要時刻和事件。第2~10章講述半導體物理學的基礎(chǔ)知識,包括:化學鍵、晶體、缺陷、力學性質(zhì)、能帶結(jié)構(gòu)、電子的缺陷態(tài)、輸運性質(zhì)、光學性質(zhì)、復合過程。 1~20章是專題,包括:表面、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、二維半導體、納米結(jié)構(gòu)、外場、極性半導體、磁性半導體、有機半導體、介電結(jié)構(gòu)、透明導電的氧化物半導體。第21~24章是半導體的應用和器件,包括:二極管、電光轉(zhuǎn)換器件、光電轉(zhuǎn)換器件、晶體管。本書內(nèi)容豐富(除了24章正文以外,還有11個附錄),圖文并茂(大約有1000張圖片和表格),參考資料豐富(大約有2200篇參考文獻),經(jīng)過多年教學實踐的檢驗,是一本 的教科書。本書可以在沒有或者只有很少固體物理學和量子力學知識的基礎(chǔ)上學習,適合研究生和高年級本科生學習,也可以作為半導體科研人員的參考書。

作者簡介

暫缺《半導體物理學(下)》作者簡介

圖書目錄

譯者的話
前言
縮寫
符號
物理常量
6章 極化半導體
16.1 簡介
16.2 自發(fā)極化
16.3 鐵電性
16.4 壓電性
7章 磁性半導體
17.1 簡介
17.2 磁性半導體
17.3 稀磁半導體
17.4 自旋電子學
8章 有機半導體
18.1 簡介
18.2 材料
18.3 電子結(jié)構(gòu)
18.4 摻雜
18.5 輸運性質(zhì)
18.6 光學性質(zhì)
9章 介電結(jié)構(gòu)
19.1 光子帶隙材料
19.2 微共振腔
第20章 透明導電的氧化物半導體
20.1 簡介
20.2 材料
20.3 性質(zhì)
第3部分 應用
第21章 二極管
21.1 簡介
21.2 金屬-半導體接觸
21.3 金屬- 緣體-半導體二極管
21.4 雙極型二極管
21.5 應有和特殊的二極管器件
第22章 光電轉(zhuǎn)換
22.1 光催化
22.2 光電導
22.3 光電二極管
22.4 太陽能電池
第23章 電光轉(zhuǎn)換
23.1 輻射計量學的量和光度學的量
23.2 閃爍體
23.3 發(fā)光二極管
23.4 激光器
23.5 半導體光學放大器
第24章 晶體管
24.1 簡介
24.2 雙極型晶體管
24.3 場效應晶體管
24.4 JFET和MESFET
24.5 MOSFET
24.6 薄膜晶體管
附錄A 張量
附錄B 點群和空間群
附錄C 克拉默斯-克羅尼格關(guān)系
附錄D 振子強度
附錄E 量子統(tǒng)計
附錄F 克羅尼格-彭尼模型
附錄G 緊束縛模型
附錄H k·p微擾理論
附錄I 有效質(zhì)量理論
附錄J 玻爾茲曼輸運理論
附錄K 噪聲
參考文獻

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