不同形貌GaN納米線制備技術(shù)

1 緒論
1.1 引言
1.2 納米材料簡介
1.2.1 納米材料概述
1.2.2 納米材料的特性
1.3 GaN材料性質(zhì)
1.3.1 物理性質(zhì)
1.3.2 化學(xué)性質(zhì)
1.3.3 電學(xué)性質(zhì)
1.3.4 光學(xué)性質(zhì)
1.4 GaN納米線的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法
1.4.3 氫化物輸運(yùn)氣相外延生長法
1.4.4 模板限制生長法
1.4.5 激光燒蝕法
1.4.6 氧化物輔助生長法
1.4.7 化學(xué)氣相沉積法
1.4.8 溶膠-凝膠法
1.5 納米線的生長機(jī)制
1.5.1 氣-液-固機(jī)制
1.5.2 氣-固機(jī)制
1.6 場發(fā)射簡介
1.6.1 功函數(shù)
1.6.2 場增強(qiáng)因子
1.6.3 場發(fā)射陰極材料研究進(jìn)展
1.7 GaN納米材料研究進(jìn)展
1.7.1 GaN材料實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展
1.7.2 GaN材料理論研究進(jìn)展
1.7.3 GaN納米材料場發(fā)射研究進(jìn)展
1.8 GaN納米材料表征與性能測試
1.8.1 掃描電子顯微鏡
1.8.2 X射線衍射
1.8.3 透射電子顯微鏡和選區(qū)電子衍射
1.8.4 光致發(fā)光譜
1.8.5 X射線光電子能譜技術(shù)
參考文獻(xiàn)
2 塔形和鉛筆形GaN納米線的制備及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN納米線的制備
2.2.1 塔形GaN納米線的制備過程
2.2.2 工藝條件對(duì)制備塔形GaN納米線的影響
2.2.3 塔形GaN納米線XRD表征
2.2.4 塔形GaN納米線SEM表征
2.2.5 塔形GaN納米線TEM表征
2.2.6 塔形GaN納米線生長機(jī)理分析
2.3 塔形GaN納米線性能測試
2.3.1 塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析
2.3.2 塔形GaN納米線拉曼光譜分析
2.3.3 塔形GaN納米線場發(fā)射性能分析