高k柵介質(zhì)材料與器件集成

第1章 緒論
1.1 引言
1.2 集成電路發(fā)展及趨勢(shì)
1.2.1 集成電路的介紹
1.2.2 集成電路的現(xiàn)狀
1.2.3 集成電路的發(fā)展趨勢(shì)
1.2.4 我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)前景展望
1.3 后摩爾時(shí)代新材料、新技術(shù)及新挑戰(zhàn)
1.3.1 工藝新材料
1.3.2 新器件結(jié)構(gòu)
1.3.3 工藝新技術(shù)
1.3.4 后摩爾時(shí)代集成電路展望與挑戰(zhàn)
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 高κ柵介質(zhì)的物理基礎(chǔ)
2.1 高κ柵介質(zhì)的基本概念及優(yōu)勢(shì)
2.1.1 高κ柵介質(zhì)的引入
2.1.2 高κ柵介質(zhì)的優(yōu)勢(shì)
2.2 高κ柵介質(zhì)的結(jié)構(gòu)調(diào)控及理論機(jī)制
2.2.1 高κ柵介質(zhì)的MOS電容結(jié)構(gòu)
2.2.2 高κ柵介質(zhì)的理論機(jī)制
2.3 高κ柵介質(zhì)的選擇要求
2.4 高κ柵介質(zhì)的分類及特點(diǎn)
2.4.1 硅的氮（氧）化物及其特點(diǎn)
2.4.2 ⅢA族金屬氧化物
2.4.3 ⅣB族和ⅤB族過(guò)渡金屬氧化物
2.4.4 ⅢB族稀土金屬氧化物
2.5 高κ柵介質(zhì)面臨的問(wèn)題和挑戰(zhàn)
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 高κ柵介質(zhì)的制備及表征
3.1 高κ柵介質(zhì)材料的制備
3.1.1 真空蒸鍍法
3.1.2 磁控濺射法
3.1.3 原子層沉積法
3.1.4 分子束外延法
3.1.5 脈沖激光沉積法
3.1.6 溶液基制備方法
3.2 高κ柵介質(zhì)性能的表征
3.2.1 光學(xué)性能的表征
3.2.2 熱重性能的表征
3.2.3 結(jié)晶性能的表征
3.2.4 化學(xué)局域態(tài)的表征
3.2.5 表面形貌的表征
3.2.6 界面微結(jié)構(gòu)的表征
3.2.7 潤(rùn)濕性能的表征
課后習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 稀土基高κ柵介質(zhì)及MOS器件集成
4.1 稀土簡(jiǎn)介