123,123,123

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　　本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為低維結(jié)構(gòu)半導體材料；第11章為氧化物半導體材料；第12章為照明半導體材料；第13章為其他半導體材料。

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作　者：	張源濤，楊樹人，徐穎
出版社：	科學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

ISBN：	9787030751911	出版時間：	2023-03-01	包裝：	平裝膠訂
開本：		頁數(shù)：		字數(shù)：

半導體材料（第四版）

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