納米多層薄膜設(shè)計與制備：W\\VC納米多層薄膜的界面行為和強(qiáng)韌化分析

章 薄膜的強(qiáng)韌化方法與機(jī)制1．1 引言1．2 薄膜的強(qiáng)韌化方法1．3 納米多層薄膜體系及研究現(xiàn)狀1．4 納米多層薄膜的經(jīng)典強(qiáng)化機(jī)制第2章 薄膜界面行為分析2．1 引言2．2 界面的類型2．3 界面研究現(xiàn)狀2．4 界面的強(qiáng)化機(jī)制第3章 硬質(zhì)薄膜韌性的測量與表征3．1 引言3．2 納米壓痕法3．3 微懸臂梁法3．4 微柱開裂法3．5 臨界載荷法3．6 微劃痕法3．7 拉伸法3．8 修正Micro-indentation壓痕法3．9 薄膜微橋拉伸法3．10 H/E與薄膜韌性的表征關(guān)系第4章 實驗和模擬方法4．1 薄膜制備4．2 薄膜表征4．3 性原理及軟件介紹4．4 小結(jié)第5章 偏壓和Ar氣流量對Si基底表面狀態(tài)的影響規(guī)律5．1 引言5．2 Si基底的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)5．3 偏壓對Si基底表面狀態(tài)的影響5．4 Ar氣流量對Si基底表面的影響5．5 Si基底表面的潤濕性5．6 小結(jié)第6章 W/VC納米多層薄膜的微觀組織和力學(xué)性能6．1 引言6．2 薄膜設(shè)計6．3 薄膜制備流程和沉積參數(shù)6．4 W單層和VC單層薄膜6．5 W/VC納米多層薄膜6．6 薄膜的強(qiáng)韌化機(jī)制6．7 H/E、H3/E2與韌性的關(guān)系6．8 小結(jié)第7章 W/VC界面的性原理分析7．1 引言7．2 建模方法和表面計算7．3 界面計算7．4 小結(jié)參考文獻(xiàn)