銻基紅外探測器

前言致謝第1章紅外探測器特征 1.1 簡介1.2 紅外探測器分類1.3 探測器的優(yōu)值 1.4 探測器的性能基本限制1.5 焦平面陣列的性能 第2章銻基材料2.1 體材料2.2 外延層2.3 物理性質(zhì)2.4 熱產(chǎn)生-復(fù)合過程第3章 II類超晶格3.1 帶隙工程紅外探測器 3.2 II類超晶格的生長 3.3 物理特性3.4 載流子壽命3.5InAsGaSb與InAsInAsSb超晶格系統(tǒng)比較第4章銻基紅外光電二極管4.1 二元III-V族光電二極管的最新進展4.1.1 InSb光電二極管4.1.2 InAs光電二極管4.1.3 InAs雪崩光電二極管4.2 InAsSb體材料光電二極管第5章 II類超晶格紅外光電二極管5.1InAsGaSb超晶格光電二極管5.2InAsInAsSb超晶格光電二極管 5.3 器件鈍化5.4 II類超晶格光電探測器的噪聲機制第6章紅外勢壘光電探測器6.1 工作原理6.2 SWIR勢壘探測器6.3 MWIRInAsSb勢壘探測器6.4 LWIRInAsSb勢壘探測器6.5 T2SL勢壘探測器6.6 勢壘探測器與HgCdTe光電二極管比較6.7 多色勢壘探測器第7章級聯(lián)紅外光電探測器 7.1 多級紅外探測器7.2 II類超晶格帶間級聯(lián)紅外探測器7.2.1 工作原理7.2.2 MWIR帶間級聯(lián)探測器7.2.3 LWIR帶間級聯(lián)探測器7.3 與HgCdTe HOT光電探測器性能比較第8章探測器對紅外輻射進行耦合 8.1 標(biāo)準(zhǔn)耦合8.2 等離子體耦合8.2.1表面等離子體8.2.2 紅外探測器的等離子體耦合8.3陷光探測器第9章焦平面陣列9.1 紅外焦平面陣列的發(fā)展趨勢9.2 紅外FPA的考慮9.3 InSb陣列9.4 InAsSbnBn探測器FPA9.5 II類超晶格FPA第10章最后的評述10.1 P-on-nHgCdTe光電二極管10.2 焦平面陣列的可制造性10.3 結(jié)論索引作者介紹