氮化物半導體技術：功率電子和光電子器件

目錄
序
原書前言
原書致謝
第1章氮化鎵材料的性能及應用
11歷史背景
12氮化物的基本性質
121微觀結構及相關問題
122光學性質
123電學性質
124AlGaN/GaN異質結構中的二維電子氣（2DEG）
13GaN基材料的應用
131光電子器件
132功率電子器件和高頻電子器件
14總結
致謝
參考文獻
第2章GaN基材料：襯底、金屬有機物氣相外延和量子阱
21引言
22塊體GaN生長
221氫化物氣相外延（HVPE）
222鈉助溶劑生長法
223氨熱生長
23金屬有機物氣相外延生長
231氮化物MOVPE基礎知識
232異質襯底上外延
233通過ELOG、FACELO等方法減少缺陷
234原位ELOG沉積SiN
235氮化物摻雜
236其他二元和三元氮化物生長
24InGaN量子阱的生長及分解
241InGaN量子阱在極化、非極化以及半極化GaN襯底
上的生長
242銦含量分布波動的原因
243InGaN量子阱的均質化
244量子阱的分解
25總結
致謝
參考文獻
第3章毫米波用GaN基HEMT
31引言
32GaN毫米波器件的主要應用
321高功率應用
322寬帶放大器
3235G
33用于毫米波的GaN材料應用設計
331與其他射頻器件的材料性能對比
332射頻器件中的特殊材料
34毫米波GaN器件的設計與制造
341各種GaN器件關鍵工藝步驟
342先進的毫米波GaN晶體管
35MMIC功率放大器概述
351基于ⅢN器件的MMIC技術
352從Ka波段到D波段頻率的MMIC示例
36總結
參考文獻
第4章常關型GaN HEMT技術
41引言
411AlGaN/GaN HEMT閾值電壓
42GaN HEMT“共源共柵”結構
43“真正的”常關型HEMT技術
431凹柵HEMT
432氟技術HEMT
433凹柵混合MIS HEMT
434p型GaN柵HEMT
44其他方法
45總結
致謝
參考文獻
第5章垂直型GaN功率器件
51引言
52用于功率轉換的垂直型GaN器件
53垂直型GaN晶體管
531電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
532垂直型GaN MOSFET
54GaN高壓二極管
55GaN pn二極管雪崩電致發(fā)光
56GaN的碰撞電離系數(shù)
57總結
致謝
參考文獻
第6章GaN電子器件可靠性
61引言
611GaN HEMT的可靠性測試和失效分析
62射頻應用中GaN HEMT的可靠性
621AlGaN/GaN HEMT
622InAlN/GaN HEMT
623射頻GaN HEMT中的熱問題
63GaN功率開關器件的可靠性和魯棒性
631摻碳GaN緩沖層中的寄生效應
632p型GaN開關HEMT中的柵極退化
633GaN MIS HEMT中閾值電壓不穩(wěn)定性
64總結
致謝
參考文獻
第7章發(fā)光二極管
71引言
72最先進的GaN發(fā)光二極管
721藍光二極管
722綠光二極管
73GaN白光LED：制備方法和特性
731單片發(fā)光二極管
732磷光體覆蓋的發(fā)光二極管
74AlGaN深紫外LED
741生長高質量AlN和提高內(nèi)量子效率（IQE）
742基于AlGaN的UVC LED
743提高光提取效率（LEE）
75總結
致謝
參考文獻
第8章分子束外延生長激光二極管
81引言
82等離子體輔助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生長
原理
821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
83寬InGaN量子阱——超越量子約束的斯塔克效應
84AmmonoGaN襯底制備的長壽命激光二極管
85隧道結激光二極管
851垂直互連的激光二極管堆
852分布式反饋激光二極管
86總結
致謝
參考文獻
第9章邊緣發(fā)射激光二極管和超輻射發(fā)光二極管
91激光二極管的歷史與發(fā)展
911光電子學背景
912GaN技術突破
913氮化物激光二極管的發(fā)展
92分布式反饋激光二極管
93超輻射發(fā)光二極管
931超輻射發(fā)光二極管的發(fā)展歷史
932基本SLD特性
933SLD優(yōu)化面臨的挑戰(zhàn)
94半導體光放大器
95總結
參考文獻
第10章綠光和藍光垂直腔面發(fā)射激光器
101引言
1011GaN VCSEL的特性和應用
1012GaN VCSEL的簡史和現(xiàn)狀
1013不同DBR結構GaN VCSEL
102不同器件結構的散熱效率
1021器件熱分布模擬
1022熱阻Rth對諧振腔長度的依賴性
103基于InGaN量子點的綠光VCSEL
1031量子點相對于量子阱的優(yōu)勢
1032InGaN量子點的生長及其光學特性
1033VCSEL的制備過程
1034綠光量子點VCSEL特性
104基于藍光InGaN量子阱局域態(tài)和腔增強發(fā)光效應的
綠光VCSEL
1041諧振腔效應
1042諧振腔增強的綠光VCSEL的特性
105基于量子阱內(nèi)嵌量子點有源區(qū)結構的雙波長激射
1051量子阱內(nèi)嵌量子點（QDinQW）結構特性
1052VCSEL激射特性
106具有不同橫向光限制的藍光VCSEL
1061折射率限制結構的設計
1062LOC結構VCSEL的發(fā)光特性
107總結
參考文獻
第11章新型電子和光電應用的2D材料與氮化物集成
111引言
112用氮化物半導體制造2D材料異質結構
1121轉移在其他襯底上生長的2D材料
11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生長
1123氮化物半導體薄膜的2D材料生長
113基于2D材料/GaN異質結的電子器件
113