123,123

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《石墨烯納米電子學(xué)：從材料到電路》全書(shū)共9章，在概括了CMOS器件發(fā)展歷史和發(fā)展趨勢(shì)后，首先用4章分別論述了石墨烯納米晶體管的器件物理性質(zhì)；然后再用4章論述了制作石墨烯納米器件的材料和工藝方法?！妒┘{米電子學(xué)：從材料到電路》包含了石墨烯在納米電子器件領(lǐng)域中的新研究成果，為相關(guān)科研人員在該領(lǐng)域的應(yīng)用創(chuàng)新奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)?！妒┘{米電子學(xué)：從材料到電路》所涵蓋的內(nèi)容較為廣泛，對(duì)于從事石墨烯器件以及材料研究的科研人員和工程技術(shù)人員都具有很好的參考價(jià)值。各章之間相互連貫又相對(duì)獨(dú)立，讀者也可以根據(jù)自己的興趣和需要選擇閱讀相應(yīng)的章節(jié)。《石墨烯納米電子學(xué)：從材料到電路》根據(jù)原著直接翻譯而成，為方便讀者閱讀，有些地方根據(jù)中文閱讀習(xí)慣做了少量調(diào)整?！妒┘{米電子學(xué)：從材料到電路》由蘇州大學(xué)王雪峰教授翻譯，由吳雪梅教授進(jìn)行審校，部分研究生參與了《石墨烯納米電子學(xué)：從材料到電路》的翻譯、整理工作。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《石墨烯納米電子學(xué)：從材料到電路》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第1章 CMOS器件性能進(jìn)展
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 簡(jiǎn)單的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指標(biāo)
1．6 MOSFET性能的歷史發(fā)展趨勢(shì)
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 應(yīng)變Si器件中的載流子速度增長(zhǎng)極限
1．9 對(duì)Ge和Ⅲ-V族半導(dǎo)體中的速度增長(zhǎng)的展望
1．10 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
延伸閱讀
第2章石墨烯中的電子輸運(yùn)
2．1 石墨烯的電子能帶結(jié)構(gòu)
2．1．1 緊束縛計(jì)算
2．1．2 石墨烯納米帶
2．2 電子輸運(yùn)
2．2．1 電聲子散射
2．2．2 無(wú)序散射
2．2．3 石墨烯納米帶中的輸運(yùn)
2．2．4 SiC生長(zhǎng)和CVD生長(zhǎng)石墨烯中的輸運(yùn)
2．3 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的高場(chǎng)輸運(yùn)
2．4 小結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
延伸閱讀
第3章石墨烯晶體管
3．1 引言
3．2 數(shù)字場(chǎng)效應(yīng)晶體管
3．3 能帶帶隙
3．4 射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管（RFFET）
3．5 寬度縮放
3．6 邊緣散射的弱化
3．7 長(zhǎng)度縮放
3．8 層數(shù)對(duì)FET性能的影響
3．9 摻雜
3．10 數(shù)字FET的性能藍(lán)圖
3．11 接觸電阻
3．12 從晶體管到電路
3．13 非經(jīng)典的電荷晶體管
3．14 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章非電態(tài)參量石墨烯晶體管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的電子電荷
4．3 石墨烯原子開(kāi)關(guān)
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的贗自旋
4．6 石墨烯中的聲子
4．7 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
……
第5章新型態(tài)參量的輸運(yùn)
第6章石墨烯的外延生長(zhǎng)
第7章利用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)石墨烯
第8章制備石墨烯氧化物及相關(guān)材料的化學(xué)方法
第9章石墨烯上的電介質(zhì)原子層沉積
縮略語(yǔ)