5G終端電磁輻射測(cè)試技術(shù)與實(shí)踐

第 1 章 緒 論   
1.1  電磁場(chǎng)與電磁輻射
1.2 電磁輻射的生物學(xué)效應(yīng)
1.2.1  電磁場(chǎng)的直接影響
1.2.2 針對(duì)脈沖調(diào)制波形和幅度調(diào)制波形的特殊考慮
1.2.3 電磁場(chǎng)的間接影響
1.2.4 導(dǎo)則研究總結(jié)
1.3  電磁場(chǎng)與人體之間的耦合機(jī)制
1.3.1 直接耦合機(jī)制
1.3.2 間接耦合機(jī)制
1.4 生物電磁學(xué)最新研究進(jìn)展及其他機(jī)制
1.5 與手機(jī)有關(guān)的研究
參考文獻(xiàn)
第 2 章 電磁輻射評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)體系
2.1 ICNIRP導(dǎo)則
2.1.1 背景介紹
2.1.2 無(wú)線通信終端相關(guān)的電磁輻射限值
2.1.3 新舊ICNIRP導(dǎo)則比較
2.2 IEEE C95. 1介紹
2.2.1 背景介紹
2.2.2 標(biāo)準(zhǔn)原理
2.2.3 安全因子的考慮
2.2.4 暴露限值
2.3 IEC測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)體系
2.3.1 IECTC106簡(jiǎn)介
2.3.2 已發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)
2.3.3 未來(lái)規(guī)劃
2.4 我國(guó)電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)體系
2.4.1 CCSATC9WG3工作情況
2.4.2 未來(lái)規(guī)劃
2.5 其他國(guó)家或地區(qū)的法規(guī)
2.5.1 歐盟
2.5.2 美國(guó)
2.5.3 澳大利亞和新西蘭
2.5.4 加拿大
2.5.5 日本
2.5.6 韓國(guó) 
2.5.7 巴西
2.5.8 印度
參考文獻(xiàn)
第 3 章 比吸收率評(píng)估
3.1  比吸收率測(cè)試系統(tǒng)
3.1.1 人體模型
3.1.2 掃描定位系統(tǒng)
3.1.3 設(shè)備夾具
3.1.4 電子讀取設(shè)備
3.1.5 探頭
3.2 比吸收率測(cè)試環(huán)境要求
3.3 人體組織模擬液測(cè)量
3.3.1 人體組織模擬液的修正
3.3.2 人體組織模擬液的測(cè)量方案
3.4 系統(tǒng)性能檢查
3.5 被測(cè)設(shè)備配置
3.6 被測(cè)設(shè)備相對(duì)于模型的定位
3.6.1 頭部模型的相對(duì)測(cè)試位置
3.6.2 平坦模型的相對(duì)測(cè)試位置
3.7 比吸收率測(cè)試
3.7.1  比吸收率測(cè)試方法
3.7.2 測(cè)試設(shè)置
3.7.3 漂移的確認(rèn)
3.7.4 比吸收率測(cè)量數(shù)據(jù)的后處理
3.7.5 比吸收率測(cè)量方案舉例
3.8 多天線或多發(fā)射器同時(shí)發(fā)射時(shí)測(cè)量比吸收率
3.8.1 非相關(guān)信號(hào)的比吸收率測(cè)量
3.8.2 非相關(guān)信號(hào)的比吸收率測(cè)量可選方案
3.8.3 使用可選方案1合成比吸收率計(jì)算示例
3.8.4 相關(guān)信號(hào)的比吸收率測(cè)量
3.9 比吸收率測(cè)量不確定度評(píng)估
3.9.1 概 述
3.9.2 不確定度分量
3.10 探 頭 校 準(zhǔn)
3.10.1 線 性 度 校 準(zhǔn)
3.10.2 評(píng)估偶極子傳感器的靈敏度
3.10.3 探頭半球各向同性
3.10.4 下檢出限
3.10.5 邊 界 效 應(yīng)
3.10.6 響應(yīng)時(shí)間
3.10.7 用分析場(chǎng)(波導(dǎo))進(jìn)行校準(zhǔn)的不確定度分析
3.11 快速比吸收率測(cè)量系統(tǒng)
3.11.1 矢量陣列測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)概述
3.11.2 陣列系統(tǒng)的數(shù)據(jù)分析
3.11.3 場(chǎng)重建基本原理
3.11.4 場(chǎng)重建技術(shù)
3.11.5 多探頭陣列系統(tǒng)的校準(zhǔn)和驗(yàn)證
3.12 5G終端比吸收率測(cè)量的特殊要求
3.12.15 G N R 上 行 波 形
3.12.2 最大功率回退
3.12.3 資源塊
3.12.4 EN-DC
3.12.5 載波聚合最大帶寬
3.12.6 5GNR終端的比吸收率評(píng)估
參考文獻(xiàn)
第 4 章 電磁輻射仿真方法
4.1  電磁輻射仿真基本原理
4.1.1 人體內(nèi)電磁場(chǎng)與比吸收率的關(guān)系
4.1.2 低頻內(nèi)場(chǎng)特性
4.1.3 高 頻 內(nèi) 場(chǎng) 特 性
4.1.4 計(jì)算方法
4.1.5 近場(chǎng)暴露比吸收率評(píng)估的理論思考
4.2 時(shí)域有限差分法
4.2.1 F D T D 原 理
4.2.2 體素大小和時(shí)間步長(zhǎng)
4.2.3 計(jì)算要求
4.2.4 穩(wěn) 定 性
4.2.5 吸收邊界
4.2.6 遠(yuǎn)場(chǎng)變換
4.2.7 源和負(fù)載建模要求
4.2.8 參數(shù)計(jì)算
4.2.9 非均勻網(wǎng)格
4.3 使用FDTD計(jì)算比吸收率
4.3.1 人體模型
4.3.2 導(dǎo)入DUT的CAD模型并進(jìn)行網(wǎng)格劃分
4.3.3 相對(duì)于人體模型定位手機(jī)模型
4.3.4 網(wǎng)格構(gòu)建
4.3.5 設(shè)置仿真參數(shù)
4.3.6 FDTD仿真計(jì)算
4.3.7 平均比吸收率
4.4 基準(zhǔn)測(cè)試驗(yàn)證模型
4.4.1835 MHz和1900MHz的通用方盒手機(jī)
4.4.2 GSM/UMTS移動(dòng)電語(yǔ)
4.4.3 多波段貼片天線手機(jī)
4.4.4 Neo自由跑步者手機(jī)
4.5 FDTD仿真不確定度評(píng)估
4.5.1 不確定度評(píng)估的一般要求
4.5.2 仿真參數(shù)引起的DUT模型不確定度
4.5.3 開(kāi)發(fā)DUT數(shù)值模型的不確定度和驗(yàn)證
4.5.4 不確定度預(yù)算
4.6 FDTD代碼驗(yàn)證
4.6.1 代碼準(zhǔn)確度驗(yàn)證
4.6.2 吸收邊界條件
4.6.3 S A R 平 均
4.6.4 典范基準(zhǔn)驗(yàn)證
4.7 SAM暴露于通用手機(jī)的計(jì)算示范和實(shí)例
4.7.1 模型準(zhǔn)備
4.7.2 仿真設(shè)置
4.7.3 分析
4.7.4 計(jì)算實(shí)例
參考文獻(xiàn)
第 5 章 毫米波電磁輻射評(píng)估
5.1 吸收功率密度和入射功率密度
5.2 功率密度測(cè)量方法
5.2.1 功率密度評(píng)估方案
5.2.2 重建算法
5.2.3 后處理程序
5.2.4 毫米波測(cè)量系統(tǒng)
5.2.5 相對(duì)系統(tǒng)檢查
5.2.6 選擇評(píng)估表面
5.2.7 入射功率密度評(píng)估方案
5.2.8 結(jié)合仿真時(shí)的評(píng)估方案
5.2.9 評(píng)估步驟
5.2.10 多源暴露的合成
5.3 功率密度仿真方法
5.3.1 無(wú)線設(shè)備模型開(kāi)發(fā)
5.3.2 功率歸一化
5.3.3 數(shù)值模型驗(yàn)證
5.3.4 數(shù)值仿真軟件的要求
5.3.5 數(shù)值仿真軟件代碼驗(yàn)證
5.4 毫米波MIMO終端電磁輻射暴露上限評(píng)估
5.5 紅外線熱成像法評(píng)估毫米波吸收功率密度
5.66 ～10GHz過(guò)渡頻段的特殊考慮
參考文獻(xiàn)
第6章 時(shí)間平均算法電磁輻射符合性評(píng)估
6.1 應(yīng)用于6GHz以下頻段的驗(yàn)證方案
6.1.1 控制參數(shù)
6.1.2 比吸收率特征表
6.1.3 功率控制分段
6.1.4 算法驗(yàn)證
6.1.5 傳導(dǎo)功率測(cè)量
6.1.6 通過(guò)比吸收率測(cè)量驗(yàn)證算法
6.2 應(yīng)用于6GHz以上頻段的驗(yàn)證方案
6.2.1 控制參數(shù)
6.2.2 碼 本
6.2.3 建模和功率密度仿真
6.2.4 inputpower:limit仿真
6.2.5 最差情況下的外殼影響
6.2.6 PD特征表
6.2.7 驗(yàn)證場(chǎng)景及測(cè)量配置選擇
6.2.8 輻射功率測(cè)量
6.2.9 通過(guò)PD測(cè)量驗(yàn)證算法
參考文獻(xiàn)
第7章 符合性評(píng)估通用方案
7.1 通用符合性評(píng)估方案
7.1.1 選擇評(píng)估方法
7.1.2 無(wú)意輻射的評(píng)估頻率范圍
7.1.3 評(píng)估步驟
7.2 小功率豁免
7.2.1 小功率豁免的一般原則
7.2.2 小功率豁免等級(jí)
7.3 電場(chǎng)、磁場(chǎng)測(cè)量
7.3.1 無(wú)線充電技術(shù)
7.3.2 短距離無(wú)線通信技術(shù)
參考文獻(xiàn)
附錄 A ICNIRP導(dǎo)則(2020):限制電磁場(chǎng)暴露的導(dǎo)則(100kHz～300GHz)
A.1摘要
A.2介紹
A.3目的與范圍
A.4限制射頻暴露的原則
A.5限制射頻暴露的科學(xué)依據(jù)
A.6限制射頻暴露的導(dǎo)則