圖解入門 半導(dǎo)體元器件精講

前言
第1章 半導(dǎo)體以及MOS晶體管的簡單說明/
1.1半導(dǎo)體的歷史/
1.2半導(dǎo)體的概述/
1.3MOS晶體管的概述/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第2章 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)物理/
2.1能帶/
2.1.1電子是粒子還是波/
2.1.2非連續(xù)的能級/
2.1.3能帶（連續(xù)能級）/
2.2費(fèi)米統(tǒng)計(jì)與半導(dǎo)體/
2.2.1費(fèi)米-狄拉克分布函數(shù)/
2.2.2絕緣體、半導(dǎo)體、金屬的區(qū)別/
2.2.3本征半導(dǎo)體/
2.2.4N型以及P型半導(dǎo)體/
2.3電中性條件以及質(zhì)量作用定律/
2.3.1電中性條件/
2.3.2質(zhì)量作用定律/
2.3.3電子與空穴的密度/
2.4擴(kuò)散與漂移/
2.4.1擴(kuò)散電流/
2.4.2漂移電流/
2.4.3電子與空穴的電流密度/
2.5靜電場的基本公式/
2.5.1靜電場的基本公式/
2.5.2電荷密度、電場、電動勢的圖解/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第3章 PN結(jié)二極管/
3.1PN結(jié)二極管的結(jié)構(gòu)以及整流作用/
3.1.1PN結(jié)二極管的構(gòu)造/
3.1.2整流作用/
3.2能帶圖（接地時(shí)）/
3.2.1接合之前的能帶圖/
3.2.2接合之后的能帶圖/
3.2.3能帶圖與電荷密度、電場及電動勢/
3.3能帶圖（施加偏置時(shí)）/
3.3.1反向偏置時(shí)的能帶圖/
3.3.2正向偏置時(shí)的能帶圖/
3.4電流電壓特性/
3.4.1擴(kuò)散長度/
3.4.2空間電荷區(qū)中的PN積/
3.4.3正向偏置下的電流電壓特性/
3.4.4反向偏置下的電流電壓特性/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第4章 雙極性晶體管/
4.1雙極性晶體管的能帶圖/
4.1.1雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)/
4.1.2能帶圖/
4.2電流放大倍數(shù)與截止頻率/
4.2.1電流放大倍數(shù)/
4.2.2電流放大倍數(shù)的導(dǎo)出/
4.2.3截止頻率/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第5章 MOS電容器/
5.1MOS電容器的C-V特性/
5.1.1電容的說明/
5.1.2MOS電容器的電容/
5.2MOS結(jié)構(gòu)的能帶圖/
5.2.1能帶圖（接地）/
5.2.2能帶圖（施加?xùn)艠O電壓的情況）/
5.3C-V特性的頻率依賴性/
5.3.1低頻下的C-V特性/
5.3.2高頻下的C-V特性/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第6章 MOS晶體管/
6.1MOS晶體管的工作原理/
6.1.1MOS晶體管構(gòu)造/
6.1.2電動勢分布與電子流動/
6.2電流電壓特性/
6.2.1線性區(qū)以及飽和區(qū)/
6.2.2電流電壓特性的簡單公式/
6.2.3考慮漏極電壓VD情況下的漏極電流ID的式子/
6.2.4漏極電流ID飽和的理由/
6.2.5亞閾值區(qū)/
6.3NMOS與PMOS/
6.4反相器/
6.4.1電阻負(fù)載型反相器/
6.4.2CMOS反相器/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
第7章 超大規(guī)模集成電路器件/
7.1器件微縮的方向：縮放比例定律/
7.1.1器件微縮化的好處/
7.1.2縮放比例定律/
7.2器件微縮的難點(diǎn)/
7.2.1短溝道效應(yīng)/
7.2.2CMOS器件的閂鎖效應(yīng)/
7.3互連線微縮造成的信號延遲/
7.3.1定性的說明/
7.3.2延遲時(shí)間的估算/
7.4閃存/
7.4.1存儲器LSI的分類/
7.4.2閃存：數(shù)據(jù)寫入以及擦除/
習(xí)題/
習(xí)題解答/
附錄/
【附錄1】常量表/
【附錄2】室溫下（300K）的Si基本常量/
【附錄3】從基本專利到實(shí)用化花了32年的MOS晶體管/
【附錄4】麥克斯韋-玻爾茲曼分布函數(shù)/
【附錄5】關(guān)于電子密度n以及空穴密度p的公式/
【附錄6】質(zhì)量作用定律/
【附錄7】PN結(jié)的耗盡層寬度/
【附錄8】載流子的產(chǎn)生與復(fù)合/
【附錄9】小信號下的共發(fā)射極電路的電流放大倍數(shù)/
【附錄10】帶隙變窄以及少數(shù)載流子遷移率/
【附錄11】閾值電壓Vth/
【附錄12】關(guān)于漏極電流ID飽和的解釋/