發(fā)明專利實審答復(fù)案例精選

目 錄
第一章
涉及新穎性問題的答復(fù)案例
第一節(jié) 新穎性的判斷
案例1互連結(jié)構(gòu)及其制造方法
第二節(jié) 關(guān)于新穎性評價中抵觸申請的問題
案例2 LDMOS晶體管的形成方法及LDMOS晶體管
第三節(jié) 新穎性評價中區(qū)別技術(shù)特征的認(rèn)定
案例3封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
第二章涉及創(chuàng)造性問題的答復(fù)案例
第一節(jié) 公知常識或慣用技術(shù)手段
案例4摻氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例6半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例7晶體管的形成方法
第二節(jié) 技術(shù)方案的理解
案例8半導(dǎo)體器件及其形成方法
案例9半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
案例10驅(qū)動電路的數(shù)據(jù)維持方法和裝置
案例11 MOCVD設(shè)備的噴淋頭及其制作方法
案例12半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)及形成方法
案例13半導(dǎo)體器件的制造方法
第三節(jié) 區(qū)別技術(shù)特征或技術(shù)特征的認(rèn)定
案例14自對準(zhǔn)多重圖形的形成方法
案例15壓力傳感器及其形成方法
案例16半導(dǎo)體器件
案例17半導(dǎo)體器件及其形成方法
案例18半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例19金屬互連層的制造方法
案例20多指條形GGNMOS
案例21銅互連線的形成方法和介質(zhì)層的處理方法
案例22光學(xué)指紋傳感器和電子產(chǎn)品
案例23非接觸通信裝置
案例24重復(fù)利用半導(dǎo)體芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圓結(jié)構(gòu)
第四節(jié) 是否存在技術(shù)啟示
案例26制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法
案例27互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例28互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例29半導(dǎo)體器件的形成方法
案例30封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例31導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的形成方法
案例32介質(zhì)層的形成方法
案例33清洗焊盤的方法
案例34鰭式場效應(yīng)管的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
案例35P型MOS晶體管及其形成方法
案例36等效信道矩陣計算方法及裝置
案例37知識檢索方法及裝置、存儲介質(zhì)、服務(wù)器
第五節(jié) 方法限定結(jié)構(gòu)及功能性限定
案例38鰭式場效應(yīng)管及其形成方法
案例39指紋成像模組和電子設(shè)備
案例40射頻發(fā)射電路、發(fā)射機及用戶終端
第三章 涉及其他問題的答復(fù)案例
第一節(jié) 有關(guān)《專利法》第26條第4款
案例41半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例42電子設(shè)備
案例43半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例44半導(dǎo)體器件的形成方法
第二節(jié) 缺少解決技術(shù)問題的必要技術(shù)特征
案例45液晶顯示裝置的顯示方法
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