TSV三維集成理論、技術(shù)與應(yīng)用

目錄
前言
第1章　緒論　1
1.1　發(fā)展機(jī)遇　1
1.2　TSV集成技術(shù)發(fā)展歷史　3
1.3　TSV三維集成的挑戰(zhàn)　14
參考文獻(xiàn)　16
第2章　TSV工藝仿真　18
2.1　概述　18
2.2　TSV深孔刻蝕工藝模擬仿真　18
2.2.1　等離子刻蝕的物理模型　18
2.2.2　刻蝕工藝模擬的算法　23
2.2.3　刻蝕模擬軟件　25
2.3　TSV深孔氧化硅介質(zhì)層淀積工藝模擬仿真　27
2.3.1　淀積的物理模型　27
2.3.2　淀積過程的模擬仿真　30
2.4　TSV深孔電鍍工藝模擬仿真　31
2.4.1　TSV深孔電鍍工藝原理和模型　31
2.4.2　Tafel曲線作為陰極邊界條件的實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀?5
參考文獻(xiàn)　38
第3章　TSV工藝　40
3.1　概述　40
3.2　TSV刻孔　40
3.2.1　引言　40
3.2.2　Bosch工藝　41
3.2.3　其他刻孔技術(shù)　53
3.2.4　小結(jié)　56
3.3　TSV孔絕緣工藝　57
3.3.1　引言　57
3.3.2　PECVD沉積SiOx實(shí)現(xiàn)TSV孔絕緣　57
3.3.3　小結(jié)　61
3.4　TSV孔金屬化　62
3.4.1　電鍍銅工藝簡介　62
3.4.2　濺射工藝制作TSV孔電鍍種子層　66
3.4.3　電鍍銅填充TSV孔　68
3.4.4　電鍍銅填充TSV孔工藝測試評估方法　72
3.4.5　電鍍銅填充TSV孔工藝失效模式　82
3.4.6　小結(jié)　83
3.5　硅晶圓減薄與銅平坦化　84
3.5.1　引言　84
3.5.2　TSV三維集成應(yīng)用中的硅片減薄與銅平坦化　84
3.5.3　硅晶圓減薄　86
3.5.4　減薄硅晶圓的固定與去除　90
3.5.5　銅平坦化　92
3.5.6　小結(jié)　96
3.6　微凸點(diǎn)與鍵合工藝　97
3.6.1　引言　97
3.6.2　微凸點(diǎn)鍵合工藝原理　97
3.6.3　小結(jié)　103
參考文獻(xiàn)　103
第4章　TSV三維互連電學(xué)設(shè)計　108
4.1　概述　108
4.1.1　三維集成給互連技術(shù)帶來的機(jī)遇　108
4.1.2　三維集成電互連設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)　110
4.1.3　三維集成典型互連結(jié)構(gòu)　112
4.2　三維互連的電學(xué)建?！?14
4.2.1　TSV的等效電路參數(shù)計算　114
4.2.2　不同頻率下的TSV等效電路模型　118
4.2.3　TSV MOS耦合電容效應(yīng)　121
4.2.4　MOS電容參數(shù)掃描分析　129
4.2.5　MOS電容測試驗(yàn)證　133
4.3　三維互連的電學(xué)仿真　138
4.3.1　TSV的三維電磁場仿真　138
4.3.2　GSG-TSV仿真分析　139
4.3.3　GS-TSV仿真分析　142
4.4　電源完整性　147
4.4.1　基本原理與分析方法　147
4.4.2　三維集成系統(tǒng)中電源分配網(wǎng)絡(luò)的基本組成與分析　151
參考文獻(xiàn)　156
第5章　三維集成微系統(tǒng)的熱管理方法　158
5.1　三維集成微系統(tǒng)中的傳熱學(xué)　158
5.1.1　傳熱學(xué)的基本概念　158
5.1.2　三維集成微系統(tǒng)熱管理的發(fā)展趨勢　161
5.2　被動式熱管理方法　162
5.2.1　被動式熱管理方法概況　163
5.2.2　擴(kuò)散熱阻　164
5.2.3　熱TSV與熱線　166
5.2.4　基于等效導(dǎo)熱系數(shù)的系統(tǒng)級有限元仿真方法　170
5.3　主動式熱管理方法　172
5.3.1　集成微系統(tǒng)的主動式熱管理技術(shù)進(jìn)展　172
5.3.2　帶擾流柱的微流體冷卻方法　177
參考文獻(xiàn)　194
第6章　三維集成電學(xué)測試技術(shù)　196
6.1　三維集成電路測試概述　196
6.2　TSV測試　198
6.2.1　TSV電學(xué)測量　198
6.2.2　TSV物理缺陷測試　202
6.3　測試訪問架構(gòu)設(shè)計與測試調(diào)度　216
6.3.1　IEEE P1838標(biāo)準(zhǔn)　216
6.3.2　IEEE P1838標(biāo)準(zhǔn)測試訪問架構(gòu)的擴(kuò)展設(shè)計　222
6.3.3　三維集成電路的測試調(diào)度問題：單塔情形　227
6.3.4　三維集成電路的測試調(diào)度問題：多塔情形　230
參考文獻(xiàn)　240
第7章　TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù)　243
7.1　引言　243
7.2　面向數(shù)字IC三維集成的TSV轉(zhuǎn)接板工藝設(shè)計　244
7.3　TSV轉(zhuǎn)接板工藝研究　246
7.4　TSV轉(zhuǎn)接板失效分析　265
7.5　結(jié)束語　269
參考文獻(xiàn)　269
第8章　TSV三維集成應(yīng)用　273
8.1　引言　273
8.2　TSV三維立體集成SRAM存儲器　274
8.2.1　TSV三維集成SRAM存儲器架構(gòu)設(shè)計　274
8.2.2　三維互連電設(shè)計分析　277
8.2.3　8MB三維立體SRAM存儲器集成工藝與封裝方法　282
8.2.4　TSV三維集成SRAM存儲器測試分析　289
8.3　基于高阻硅TSV轉(zhuǎn)接板準(zhǔn)三維集成四通道接收組件　290
8.3.1　集成架構(gòu)與電學(xué)設(shè)計　291
8.3.2　基于高阻硅TSV轉(zhuǎn)接板準(zhǔn)三維集成工藝　295
8.3.3　測試分析　297
8.4　結(jié)束語　298
參考文獻(xiàn)　299
第9章　發(fā)展趨勢　300
9.1　小尺寸TSV三維集成　300
9.2　異質(zhì)三維混合信號集成　304
9.3　三維集成新技術(shù)　309
9.3.1　三維集成新材料　309
9.3.2　三維集成新工藝　310
9.3.3　三維集成新結(jié)構(gòu)新工藝　312
9.4　三維集成新架構(gòu)、新器件　312
參考文獻(xiàn)　316
彩圖