二維III-VI族化合物的自旋相關特性

第1章緒論
1．1自旋電子學的發(fā)展2
1．2自旋軌道耦合作用5
1．3二維材料8
1．3．1石墨烯的基本特性8
1．3．2過渡金屬硫屬化合物的基本特性9
1．3．3Ⅲ-Ⅵ族硫屬化合物的基本特性11
參考文獻15
第2章理論方法
2．1能帶理論的三大近似21
2．1．1絕熱近似21
2．1．2單電子近似與密度泛函理論23
2．1．3布洛赫定理28
2．2勢與波函數的處理31
2．2．1平面波方法32
2．2．2原子軌道線性組合法34
2．2．3贗勢方法35
2．2．4投影綴加波法37
2．3Kohn-Sham方程的自洽求解40
參考文獻41
第3章二維NⅢXⅥ （N=Ga，In；X=S，Se，Te）單層Rashba自旋劈裂的電場調控
3．1概述47
3．2計算方法和模型50
3．3結果和討論52
參考文獻61
第4章極性XABY（A，B=Ga，In；X≠Y=S，Se，Te）中顯著的Rashba自旋劈裂
4．1概述69
4．2計算方法與模型72
4．3結果與討論75
參考文獻87
第5章Ⅱ型Sb/InSe范德華異質結中Rashba自旋劈裂的偶極子控制
5．1概述95
5．2計算方法98
5．3結果和討論99
5．3．1幾何結構99
5．3．2電子特性101
5．3．3自旋電子特性106
參考文獻113
第6章InSe/MTe2 (M=Pd，Pt)范德華異質結的可調諧電子、光學和自旋電子特性
6．1概述123
6．2計算方法125
6．3結果和討論126
6．3．1幾何結構和電子特性126
6．3．2光學特性135
6．3．3自旋電子特性135
參考文獻139
第7章InTe/PtSe2異質結中Rashba自旋劈裂效應
7．1概述147
7．2計算方法149
7．3結果和討論150
7．3．1異質結的構建150
7．3．2外界調控對異質結Rashba自旋劈裂的影響150
參考文獻156