瞬態(tài)電離輻射激勵(lì)強(qiáng)電磁脈沖

第1章緒論
1.1引言
1.2核爆炸產(chǎn)生的電磁脈沖
1.3輻射模擬裝置產(chǎn)生的電磁脈沖
1.4強(qiáng)電磁脈沖國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
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第2章電離輻射的種類及其與物質(zhì)的相互作用
2.1基本概念和術(shù)語(yǔ)
2.1.1原子的結(jié)構(gòu)
2.1.2電離輻射的能量
2.2電離輻射的種類
2.2.1常見電離輻射的種類及屬性
2.2.2常見的瞬態(tài)電離輻射來源
2.3帶電粒子與物質(zhì)的相互作用
2.3.1帶電粒子與物質(zhì)的相互作用概述
2.3.2重帶電粒子與物質(zhì)的相互作用
2.3.3快電子與物質(zhì)的相互作用
2.4光子與物質(zhì)的相互作用
2.4.1作用截面
2.4.2光電效應(yīng)
2.4.3康普頓效應(yīng)
2.4.4電子對(duì)效應(yīng)
2.4.5三種效應(yīng)的比較
2.4.6γ射線窄束的衰減規(guī)律
2.5中子與物質(zhì)的相互作用
2.5.1中子的分類
2.5.2宏觀截面和平均自由程
2.5.3彈性散射
2.5.4非彈性散射
2.5.5中子與空氣的相互作用
參考文獻(xiàn)
第3章時(shí)域有限差分算法
3.1研究背景與現(xiàn)狀
3.2時(shí)域有限差分方程
3.2.1直角坐標(biāo)系差分公式
3.2.2收斂性和穩(wěn)定性分析
3.2.3柱坐標(biāo)系差分公式
3.3吸收邊界條件
3.3.1Mur吸收邊界
3.3.2完全匹配層吸收邊界
3.4時(shí)偏FDTD算法
參考文獻(xiàn)
 
 
第4章PIC粒子模擬算法
4.1研究背景與現(xiàn)狀
4.2粒子推動(dòng)方程
4.3電磁場(chǎng)與粒子的耦合
4.4電流密度的數(shù)學(xué)表達(dá)
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第5章高空核爆炸激勵(lì)電磁脈沖的物理機(jī)理與規(guī)律
5.1核爆電磁脈沖物理機(jī)理
5.1.1核爆炸γ輻射源
5.1.2γ射線與物質(zhì)相互作用的衰減規(guī)律
5.1.3康普頓效應(yīng)
5.2高空核爆炸向地面產(chǎn)生的電磁脈沖
5.2.1早期HEMPE1的數(shù)值模擬
5.2.2結(jié)論
5.3高空核爆炸向衛(wèi)星軌道產(chǎn)生的色散電磁脈沖
5.3.1爆心附近核電磁脈沖環(huán)境
5.3.2爆高的影響
5.3.3爆炸當(dāng)量的影響
5.3.4電離層對(duì)電磁脈沖信號(hào)的影響
5.3.5高頻電磁波通過電離層的衰減
5.3.6衛(wèi)星軌道電場(chǎng)峰值
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第6章腔體系統(tǒng)電磁脈沖的物理機(jī)理與規(guī)律
6.1研究背景與現(xiàn)狀
6.2腔體內(nèi)SGEMP仿真模型
6.2.1二維仿真模型
6.2.2三維仿真模型
6.3二維模型的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.3.1典型的時(shí)域波形
6.3.2X射線能注量的影響
6.3.3X射線脈沖寬度的影響
6.3.4X射線能量的影響
6.4三維模型的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.4.1典型的時(shí)域波形
6.4.2腔體內(nèi)SGEMP的空間分布
6.4.3腔體內(nèi)SGEMP的頻率特性
6.5腔體外部SGEMP的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.5.1研究現(xiàn)狀
6.5.2三維仿真結(jié)果及規(guī)律
參考文獻(xiàn)
第7章線纜系統(tǒng)電磁脈沖的物理機(jī)理與規(guī)律
7.1研究背景與現(xiàn)狀
7.2線纜系統(tǒng)電磁脈沖的物理機(jī)理
7.3時(shí)域有限差分法的仿真結(jié)果與規(guī)律
7.3.1時(shí)域有限差分方程
7.3.2仿真結(jié)果與規(guī)律
7.4傳輸線 有限元方法仿真結(jié)果及規(guī)律
7.4.1簡(jiǎn)化模型
7.4.2有限元法
7.4.3仿真結(jié)果與規(guī)律
參考文獻(xiàn)
第8章源區(qū)電磁脈沖的物理機(jī)理與規(guī)律
8.1研究背景與現(xiàn)狀
8.2地面核爆炸SREMP理論分析
8.2.1早期波過程
8.2.2飽和擴(kuò)散過程
8.2.3后期準(zhǔn)靜態(tài)過程
8.3靶室房間SREMP數(shù)值模擬
8.3.1靶室房間SREMP仿真模型
8.3.2靶室房間SREMP仿真結(jié)果及規(guī)律
參考文獻(xiàn)
第9章激光慣性約束裝置的強(qiáng)電磁脈沖
9.1激光慣性約束裝置強(qiáng)電磁脈沖的分類
9.2靶室內(nèi)電磁脈沖
9.2.1激光打靶中的電磁脈沖現(xiàn)象
9.2.2超熱電子產(chǎn)生電磁脈沖的主要機(jī)制
9.2.3超熱電子激勵(lì)電磁脈沖模擬
9.3能庫(kù)電磁脈沖的實(shí)驗(yàn)研究
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第10章瞬態(tài)強(qiáng)電磁脈沖測(cè)量
10.1DDot傳感器
10.1.1DDot電場(chǎng)傳感器原理
10.1.2等效電荷法用于DDot探頭形狀設(shè)計(jì)
10.1.3DDot傳感器尺寸設(shè)計(jì)
10.2Efield傳感器
10.2.1Efield電場(chǎng)傳感器原理
10.2.2傳感器信號(hào)接收電路
10.2.3電光調(diào)制電路
10.2.4光接收機(jī)
10.3BDot磁場(chǎng)傳感器
10.3.1SSL磁場(chǎng)傳感器
10.3.2MSL磁場(chǎng)傳感器
10.3.3CML磁場(chǎng)傳感器
10.4MGL磁場(chǎng)傳感器
10.4.1差模MGL傳感器
10.4.2共模MGL傳感器
10.5瞬態(tài)強(qiáng)電磁脈沖測(cè)量系統(tǒng)的組成
10.6信號(hào)反演算法
10.6.1微分傳感器的軟硬件信號(hào)處理方式
10.6.2基于MAP的信號(hào)處理算法
10.6.3基于MAP算法的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
10.6.4不同波形的適應(yīng)性驗(yàn)證
參考文獻(xiàn)
第11章瞬態(tài)強(qiáng)電磁脈沖傳感器校準(zhǔn)
11.1基本校準(zhǔn)方法
11.2標(biāo)準(zhǔn)電磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置
11.2.1TEM小室
11.2.2GTEM小室
11.2.3鏡面單錐TEM小室
11.3頻域校準(zhǔn)方法
11.4時(shí)域聯(lián)合校準(zhǔn)方法
11.4.1幅度靈敏度校準(zhǔn)
11.4.2上升時(shí)間校準(zhǔn)
參考文獻(xiàn)
第12章電離輻射及強(qiáng)電磁脈沖協(xié)和效應(yīng)
12.1電離輻射總劑量效應(yīng)
12.1.1SiO2介質(zhì)材料輻射損傷機(jī)理
12.1.2SiSiO2界面電荷 
12.1.3MOS器件電參數(shù)變化
12.2強(qiáng)電磁脈沖效應(yīng)
12.2.1電路各結(jié)構(gòu)的強(qiáng)電磁脈沖效應(yīng)
12.2.2典型的半導(dǎo)體器件的電磁脈沖損傷機(jī)理
12.3電離輻射總劑量與強(qiáng)電磁脈沖協(xié)和效應(yīng)
12.3.1協(xié)和效應(yīng)測(cè)試方法
12.3.2器件級(jí)研究現(xiàn)狀
12.3.3ADC芯片的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
12.4概率閾值分析
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第13章國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)概況
13.1IEC SC77C發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.2其他國(guó)際組織發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.2.1ITUT發(fā)布的電信中心的HPEM防護(hù)建議
13.2.2IEEE制定的公共可訪問計(jì)算機(jī)的HPEM防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)
13.2.3CIGRE制定的高壓變電站電子設(shè)備的HPEM防護(hù)建議
13.3歐盟發(fā)布的HPEM相關(guān)文件
13.4各國(guó)發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.4.1美國(guó)軍用HEMP標(biāo)準(zhǔn)
13.4.2中國(guó)的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.4.3其他各國(guó)發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
參考文獻(xiàn)