中子單粒子效應

目錄
叢書序
前言
第1章　緒論　1　
1.1　空間輻射環(huán)境　1　
1.2　典型輻射效應　5　
1.3　單粒子效應　8　
1.4　本書主要內(nèi)容　11
參考文獻　11
第2章　大氣中子輻射環(huán)境　14　
2.1　大氣中子來源簡介　14　
2.2　大氣中子輻射環(huán)境模型　16　
2.2.1　初級宇宙射線模型　17　
2.2.2　地磁截止剛度模型　20　
2.2.3　大氣分層模型　23　
2.2.4　粒子輸運模擬　24　
2.3　大氣中子輻射環(huán)境模擬軟件　27　
2.3.1　軟件簡介　27　
2.3.2　軟件基本功能　29　
2.4　典型大氣中子輻射環(huán)境計算結果　30　
2.5　小結　34
參考文獻　34
第3章　中子輻射模擬裝置　36　
3.1　單能中子源　38　
3.1.1　產(chǎn)生單能中子的核反應　38　
3.1.2　中子發(fā)生器　39　
3.1.3　靜電加速器　42　
3.1.4　可變能量中子源　46　
3.2　準單能中子源　46　
3.2.1　7Li（p，n）中子源典型布局及參數(shù)　47　
3.2.2　準單能中子源舉例　49　
3.2.3　國內(nèi)的準單能中子源　54　
3.3　白光中子源　55　
3.3.1　白光中子源簡介　55　
3.3.2　中國散裂中子源反角白光中子源　56　
3.3.3　國外三個典型的白光中子源　61　
3.4　反應堆中子源　65　
3.4.1　西安脈沖反應堆主要特點　65　
3.4.2　西安脈沖反應堆中子參數(shù)測試　67　
3.5　小結　70
參考文獻　70
第4章　中子輻射環(huán)境測量技術　73　
4.1　中子測量技術簡介　73　
4.1.1　大氣中子探測技術　73　
4.1.2　快中子能譜測量　77　
4.2　大氣中子輻射探測器　78　
4.2.1　雙層閃爍探測器　78　
4.2.2　Bonner球探測器　90　
4.2.3　粒子甄別與能譜采集　95　
4.3　標定方法　104　
4.3.1　雙層閃爍探測器　105　
4.3.2　Bonner球探測器　109　
4.4　雙層閃爍探測器中子、質(zhì)子能譜解譜方法　111　
4.4.1　探測器能量響應　111　
4.4.2　解譜原理　111　
4.4.3　解譜算法　112　
4.4.4　能譜反演　115　
4.5　小結　117
參考文獻　117
第5章　中子單粒子效應機理與數(shù)值模擬　121　
5.1　中子單粒子效應物理過程　121　
5.1.1　電荷沉積　121　
5.1.2　電荷收集　122　
5.1.3　電路響應　123　
5.2　中子單粒子效應粒子輸運模型　124　
5.2.1　器件幾何模型　125　
5.2.2　截面計算模型　126　
5.2.3　物理處理列表　127　
5.3　典型存儲器中子單粒子效應模擬　128　
5.3.1　大氣中子單粒子效應模擬　128　
5.3.2　裂變中子單粒子效應模擬　136　
5.4　小結　138
參考文獻　138
第6章　中子單粒子效應測量及數(shù)據(jù)處理方法　140　
6.1　中子單粒子效應測量和判別　140　
6.1.1　中子單粒子效應測量　140　
6.1.2　中子單粒子效應判別　141　
6.2　MCU提取方法　142　
6.2.1　基于時間或空間的提取方法　142　
6.2.2　基于統(tǒng)計學的提取方法　144　
6.3　實驗結果不確定度分析　148　
6.3.1　不確定度的基本概念　148　
6.3.2　實驗不確定度的來源　149　
6.3.3　實驗不確定度的評定　150　
6.4　不同中子源的單粒子效應實驗方法　153　
6.4.1?。剩﹩文苤凶訉嶒灧椒ā?53　
6.4.2　散裂中子實驗方法　154　
6.4.3　大氣中子實驗方法　155　
6.4.4　器件單粒子效應率計算　156　
6.5　單粒子效應測量系統(tǒng)　156　
6.5.1　基本要求　156　
6.5.2　典型測量系統(tǒng)　158　
6.6　小結　162
參考文獻　162
第7章　中子單粒子效應實驗　165　
7.1　單能中子單粒子效應實驗　165　
7.1.1　SRAM單能中子實驗　166　
7.1.2　數(shù)字信號處理器單能中子實驗　168　
7.2　散裂中子單粒子效應實驗　170　
7.2.1　實驗基本情況　171　
7.2.2　影響因素分析　174　
7.2.3　實驗結果討論　180　
7.2.4　中國散裂中子源與大氣中子的等效性　181　
7.3　反應堆中子單粒子效應實驗　183　
7.3.1　典型實驗結果　183　
7.3.2　影響因素分析　186　
7.3.3　反應堆實驗結果討論　187　
7.4　地面和高山大氣中子單粒子效應實驗　188　
7.4.1　羊八井高山實驗　188　
7.4.2　歐洲高原實驗　191　
7.5　航空飛行中子單粒子效應實驗　192　
7.5.1　Samsung SRAM芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試　193　
7.5.2　NEC SRAM存儲芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試　193　
7.5.3　IMS1601 SRAM芯片航空飛行抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測試　194　
7.6　小結　195
參考文獻　195
附錄　198