真空鍍膜技術(shù)與應(yīng)用

第1章真空鍍膜技術(shù)概論1
1．1概述1
1．2影響固體表面結(jié)構(gòu)、形貌及其性能的因素2
1．2．1原子和分子構(gòu)成固體物質(zhì)2
1．2．2多晶體物質(zhì)結(jié)構(gòu)2
1．2．3材料受到的各種應(yīng)力負(fù)荷2
1．2．4材料加工所帶來的缺陷2
1．2．5基片表面涂敷硬質(zhì)薄膜的必要性2
1．3基片與薄膜的匹配3
1．3．1基片的表面形貌、熱膨脹系數(shù)對(duì)薄膜的影響3
1．3．2基片與薄膜的選擇原則3
1．4真空鍍膜及其工藝特點(diǎn)和應(yīng)賦予涂層的功能4
1．5薄膜的特征4
1．5．1薄膜的結(jié)構(gòu)特征5
1．5．2金屬薄膜的電導(dǎo)特征5
1．5．3金屬薄膜電阻溫度系數(shù)特征5
1．5．4薄膜的光學(xué)特征6
1．5．5薄膜的密度特征6
1．5．6薄膜的時(shí)效變化特征6
1．6薄膜的應(yīng)用6
1．6．1電子工業(yè)用薄膜7
1．6．2光學(xué)工業(yè)中應(yīng)用的各種光學(xué)薄膜7
1．6．3光伏產(chǎn)業(yè)中薄膜的應(yīng)用8
1．6．4刀具行業(yè)中薄膜的應(yīng)用8
1．6．5機(jī)械、化工、石油等工業(yè)中應(yīng)用的硬質(zhì)膜、耐蝕膜和潤滑膜8
1．6．6有機(jī)分子薄膜9
1．6．7民用及食品工業(yè)中的裝飾膜和包裝膜9
1．7真空鍍膜的發(fā)展歷程及最新進(jìn)展9
參考文獻(xiàn)10
第2章真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)11
2．1真空鍍膜物理基礎(chǔ)11
2．1．1真空及真空狀態(tài)的表征和測量11
2．1．2氣體的基本性質(zhì)12
2．1．3氣體的流動(dòng)與流導(dǎo)17
2．1．4氣體分子與固體表面的相互作用18
2．2真空鍍膜低溫等離子體基礎(chǔ)22
2．2．1等離子體及其分類與獲得23
2．2．2低氣壓下氣體的放電24
2．2．3低氣壓下氣體放電的類型32
2．2．4低氣壓下冷陰極氣體輝光放電32
2．2．5低氣壓非自持熱陰極弧光放電41
2．2．6低氣壓自持冷陰極弧光放電43
2．2．7磁控輝光放電44
2．2．8空心冷陰極輝光放電46
2．2．9高頻放電47
2．2．10等離子體宏觀中性特征及其中性空間強(qiáng)度的判別49
2．3薄膜的生長與膜結(jié)構(gòu)51
2．3．1膜的生長過程及影響膜生長的因素51
2．3．2薄膜的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)缺陷54
2．4薄膜的性質(zhì)及其影響因素57
2．4．1薄膜的力學(xué)性質(zhì)及其影響因素57
2．4．2薄膜的電學(xué)性質(zhì)61
2．4．3薄膜的光學(xué)性質(zhì)及其影響膜折射率的因素62
2．4．4薄膜的磁學(xué)性質(zhì)62
參考文獻(xiàn)63
第3章真空蒸發(fā)鍍膜64
3．1真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)64
3．1．1真空蒸發(fā)鍍膜原理及蒸鍍條件64
3．1．2薄膜材料70
3．1．3合金膜的蒸鍍77
3．1．4化合物膜的蒸鍍78
3．1．5影響真空蒸鍍性能的因素80
3．2分子束外延技術(shù)81
3．2．1分子束外延生長的基本原理與過程81
3．2．2分子束外延生長的條件、制備方法與特點(diǎn)81
3．2．3分子束外延生長參數(shù)選擇82
3．2．4影響分子束外延的因素83
3．2．5分子束外延裝置84
3．3脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)87
3．3．1PLD的基本原理及特點(diǎn)87
3．3．2PLD技術(shù)的應(yīng)用88
3．4真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備89
3．4．1真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)的類型及其結(jié)構(gòu)89
3．4．2真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)中的主要構(gòu)件103
3．4．3蒸發(fā)源109
3．5真空蒸發(fā)涂層的制備實(shí)例140
3．5．1真空蒸鍍鋁涂層140
3．5．2真空蒸鍍Cd(Se，S)涂層141
3．5．3真空蒸鍍ZrO2涂層143
3．5．4分子束外延生長金單晶涂層144
參考文獻(xiàn)146
第4章真空濺射鍍膜148
4．1真空濺射鍍膜的復(fù)興與發(fā)展148
4．2真空濺射鍍膜技術(shù)148
4．2．1真空濺射鍍膜的機(jī)理分析及其濺射過程148
4．2．2靶材粒子向基體上的遷移過程154
4．2．3靶材粒子在基體上的成膜過程154
4．2．4濺射薄膜的特點(diǎn)及濺射方式155
4．2．5直流濺射鍍膜158
4．2．6磁控濺射鍍膜161
4．2．7射頻濺射鍍膜179
4．2．8反應(yīng)濺射鍍膜182
4．2．9中頻濺射與脈沖濺射鍍膜184
4．2．10對(duì)向靶等離子體濺射鍍膜189
4．2．11偏壓濺射鍍膜190
4．2．12非平衡磁控濺射191
4．3真空濺射鍍膜設(shè)備192
4．3．1濺射靶192
4．3．2間歇式真空濺射鍍膜機(jī)195
4．3．3半連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)196
4．3．4大面積連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備198
參考文獻(xiàn)214
第5章真空離子鍍膜215
5．1真空離子鍍膜及其分類215
5．2離子鍍膜原理及其成膜條件216
5．3離子鍍膜過程中等離子體的作用及到達(dá)基體入射的粒子能量217
5．4離子轟擊在離子鍍過程中產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)218
5．5離化率與中性粒子和離子的能量及膜層表面上的活化系數(shù)219
5．5．1離化率219
5．5．2中性粒子所帶的能量220
5．5．3離子能量220
5．5．4膜層表面的能量活化系數(shù)220
5．6離子鍍涂層的特點(diǎn)及其應(yīng)用范圍221
5．7離子鍍膜的參數(shù)223
5．7．1鍍膜室的氣體壓力223
5．7．2反應(yīng)氣體的分壓224
5．7．3蒸發(fā)源功率224
5．7．4蒸發(fā)速率225
5．7．5蒸發(fā)源和基體間的距離225
5．7．6沉積速率225
5．7．7基體的負(fù)偏壓226
5．7．8基體溫度226
5．8離子鍍膜裝置及常用的幾種鍍膜設(shè)備227
5．8．1直流二極、三極及多極型離子裝置227
5．8．2活性反應(yīng)離子鍍膜裝置228
5．8．3空心陰極放電離子鍍膜裝置230
5．8．4射頻放電離子鍍膜裝置233
5．8．5磁控濺射離子鍍膜裝置233
5．8．6真空陰極電弧離子鍍膜裝置236
5．8．7冷電弧陰極離子鍍膜裝置244
5．8．8熱陰極強(qiáng)流電弧離子鍍膜裝置245
參考文獻(xiàn)246
第6章離子束沉積與離子束輔助沉積247
6．1離子束沉積技術(shù)247
6．1．1離子束沉積原理及特點(diǎn)247
6．1．2直接引出式離子束沉積技術(shù)248
6．1．3質(zhì)量分離式離子束沉積技術(shù)248
6．1．4離化團(tuán)束沉積技術(shù)249
6．1．5等離子體浸沒式沉積技術(shù)250
6．1．6氣固兩用離子束沉積技術(shù)251
6．2離子束輔助沉積技術(shù)251
6．2．1離子束輔助沉積過程的機(jī)理252
6．2．2離子束輔助沉積的方式及其能量選擇范圍252
6．2．3離子束輔助沉積技術(shù)的特點(diǎn)253
6．2．4離子束輔助沉積裝置253
6．2．5微波電子回旋等離子體增強(qiáng)濺射沉積裝置258
6．2．6離子源258
參考文獻(xiàn)261
第7章化學(xué)氣相沉積262
7．1概述262
7．2CVD技術(shù)中的各類成膜方法及特點(diǎn)262
7．3CVD技術(shù)的成膜條件及其反應(yīng)類型263
7．3．1CVD反應(yīng)的條件263
7．3．2CVD技術(shù)的反應(yīng)類型263
7．4化學(xué)氣相沉積用先驅(qū)反應(yīng)物質(zhì)的選擇265
7．5影響CVD沉積薄膜質(zhì)量的因素266
7．5．1沉積溫度對(duì)膜質(zhì)量的影響266
7．5．2反應(yīng)氣體濃度及相互間的比例對(duì)膜質(zhì)量的影響267
7．5．3基片對(duì)膜質(zhì)量的影響267
7．6常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)與裝置268
7．6．1常壓CVD技術(shù)的一般原理268
7．6．2常壓的CVD裝置270
7．7低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)271
7．7．1LPCVD的原理及特點(diǎn)271
7．7．2LPCVD裝置的組成271
7．7．3LPCVD制備涂層的實(shí)例272
7．8等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)273
7．8．1PECVD的成膜過程及特點(diǎn)274
7．8．2PECVD裝置275
7．8．3PECVD薄膜的工藝實(shí)例277
7．9熱絲化學(xué)氣相沉積279
7．9．1HFCVD的工作原理及特點(diǎn)280
7．9．2HFCVD的裝置構(gòu)成280
7．9．3HFCVD金剛石薄膜的工藝281
7．10微波等離子體化學(xué)氣相沉積283
7．10．1MPCVD的基本原理及特點(diǎn)283
7．10．2MPCVD的裝置構(gòu)成284
7．10．3MPCVD設(shè)備的應(yīng)用實(shí)例287
7．11金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)287
7．12光輔助化學(xué)氣相沉積(PHCVD)289
7．13原子層沉積290
參考文獻(xiàn)291
第8章薄膜的測量與監(jiān)控292
8．1概述292
8．2薄膜厚度的測量292
8．2．1薄膜厚度的光學(xué)測量法293
8．2．2薄膜厚度的電學(xué)測量法299
8．2．3薄膜厚度的機(jī)械測量法304
8．3薄膜應(yīng)力的測量305
8．3．1基片變形法305
8．3．2衍射法307
8．4薄膜的附著力測量307
8．4．1膠帶剝離法308
8．4．2拉倒法308
8．4．3拉張法309
8．4．4劃痕法309
8．5薄膜的硬度測量310
8．5．1維氏硬度311
8．5．2努氏硬度311
8．6薄膜的光譜特性測量312
參考文獻(xiàn)313
第9章薄膜性能分析315
9．1概述315
9．2電子作用于固體表面上所產(chǎn)生的各種效應(yīng)316
9．2．1背散射電子316
9．2．2二次電子317
9．2．3吸收電子和透射電子317
9．2．4俄歇電子318
9．2．5特征X射線318
9．2．6陰極熒光318
9．2．7電子束感生電流318
9．3離子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應(yīng)319
9．3．1一次離子的表面散射319
9．3．2反向散射離子319
9．3．3正負(fù)二次電子319
9．4光子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應(yīng)320
9．4．1波長較短的X射線320
9．4．2波長較長的X射線320
9．5薄膜形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析320
9．5．1光學(xué)顯微鏡320
9．5．2掃描電子顯微鏡321
9．5．3透射電子顯微鏡323
9．5．4X射線衍射儀324
9．5．5低能電子衍射和反射式高能電子衍射325
9．5．6掃描探針顯微鏡327
9．6薄膜組成分析328
9．6．1俄歇電子能譜儀328
9．6．2二次離子質(zhì)譜分析儀330
9．6．3盧瑟福背散射分析儀331
9．6．4X射線光電子能譜儀333
參考文獻(xiàn)335