半導(dǎo)體工程導(dǎo)論

前言
第1章 半導(dǎo)體特性
章節(jié)概述
1.1固體的導(dǎo)電性
1.1.1原子間的價鍵與導(dǎo)電性
1.1.2能帶結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性
1.2載流子
1.2.1電子與空穴
1.2.2產(chǎn)生與復(fù)合過程
1.2.3載流子的運動
1.3半導(dǎo)體以及外界的影響
1.3.1半導(dǎo)體和電場以及磁場
1.3.2半導(dǎo)體和光
1.3.3半導(dǎo)體和溫度
1.4納米尺度半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞
第2章 半導(dǎo)體材料
章節(jié)概述
2.1固體的晶體結(jié)構(gòu)
2.1.1晶格
2.1.2 結(jié)構(gòu)缺陷
2.2半導(dǎo)體材料系統(tǒng)的構(gòu)成元素
2.2.1表面與界面
2.2.2薄膜
2.3無機半導(dǎo)體
2.3.1單質(zhì)半導(dǎo)體
2.3.2化合物半導(dǎo)體
2.3.3納米無機半導(dǎo)體
2.4材料選擇標準
2.5有機半導(dǎo)體
2.6體單晶的形成
2.6.1CZ法生長單晶
2.6.2其他方法
2.7薄膜單晶的形成
2.7.1外延沉積
2.7.2晶格匹配和晶格失配的外延沉積
2.8襯底
2.8.1半導(dǎo)體襯底
2.8.2非半導(dǎo)體襯底
2.9薄膜絕緣體
2.9.1一般性質(zhì)
2.9.2多用途薄膜絕緣體
2.9.3專用薄膜絕緣體
2.10薄膜導(dǎo)體
2.10.1金屬
2.10.2金屬合金
2.10.3非金屬導(dǎo)體
關(guān)鍵詞
第3章 半導(dǎo)體器件及其使用
章節(jié)概述
3.1半導(dǎo)體器件
3.2構(gòu)建半導(dǎo)體器件
3.2.1歐姆接觸
3.2.2勢壘
3.3兩端器件：二極管
3.3.1二極管
3.3.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）電容器
3.4三端器件：晶體管
3.4.1晶體管概述
3.4.2晶體管種類
3.4.3MOSFET的工作原理
3.4.4互補金屬-氧化物-半導(dǎo)體（CMOS）
3.4.5MOSFET的發(fā)展
3.4.6薄膜晶體管（TFT）
3.5集成電路
3.6圖像顯示和圖像傳感器件
3.7微機電系統(tǒng)（MEMS）與傳感器
3.7.1MEMS/NEMS器件
3.7.2傳感器
3.8可穿戴及可植入半導(dǎo)體器件系統(tǒng)
關(guān)鍵詞
第4章 工藝技術(shù)
章節(jié)概述
4.1工藝角度看襯底
4.1.1晶圓襯底
4.1.2大面積襯底
4.1.3柔性襯底
4.1.4關(guān)于襯底的進一步討論
4.2液相（濕法）工藝
4.2.1水
4.2.2特殊化學(xué)試劑
4.2.3晶圓干燥
4.3氣相（干法）工藝
4.3.1氣體
4.3.2真空
4.4半導(dǎo)體制造中的工藝
4.4.1熱處理工藝
4.4.2等離子體工藝
4.4.3電子和離子束工藝
4.4.4化學(xué)工藝
4.4.5光化學(xué)工藝
4.4.6化學(xué)機械工藝
4.5污染控制
4.5.1污染物
4.5.2潔凈環(huán)境
4.6工藝整合
關(guān)鍵詞
第5章 制造工藝
章節(jié)概述
5.1圖案定義方式
5.1.1自上而下工藝
5.1.2自下而上工藝
5.1.3圖案的剝離工藝
5.1.4機械掩模
5.1.5印刷和印章轉(zhuǎn)移
5.2自上而下工藝步驟
5.3表面處理
5.3.1表面清洗
5.3.2表面改性
5.4增材工藝
5.4.1增材工藝的特點
5.4.2氧化生長薄膜：熱氧化硅法
5.4.3物理氣相沉積（PVD）
5.4.4化學(xué)氣相沉積（CVD）
5.4.5物理液相沉積（PLD）
5.4.6電化學(xué)沉積（ECD）
5.4.73D打印
5.5平面圖案轉(zhuǎn)移
5.5.1平面圖案轉(zhuǎn)移技術(shù)的實現(xiàn)
5.5.2光刻
5.5.3光刻中的曝光技術(shù)及工具
5.5.4電子束光刻
5.6減材工藝
5.6.1刻蝕工藝的特點
5.6.2濕法刻蝕
5.6.3蒸氣刻蝕
5.6.4干法刻蝕
5.6.5去膠
5.7選擇性摻雜
5.7.1擴散摻雜
5.7.2離子注入摻雜
5.8接觸和互連工藝
5.8.1接觸
5.8.2互連
5.8.3大馬士革工藝（鑲嵌工藝）
5.9組裝和封裝工藝
5.9.1概述
5.9.2封裝工藝
5.9.3半導(dǎo)體封裝技術(shù)概況
關(guān)鍵詞
第6章 半導(dǎo)體材料與工藝表征
章節(jié)概述
6.1目的
6.2方法
6.3應(yīng)用舉例
關(guān)鍵詞
參考文獻