第三代半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用

序言（張汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質(zhì)
1．2 碳化硅的應(yīng)用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應(yīng)用中的注意事項
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機(jī)電系統(tǒng)
1．4 碳化硅的主要生長方法
1．4．1 籽晶升華生長
1．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學(xué)氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續(xù)進(jìn)料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長
1．4．7 碳化硅外延層技術(shù)的發(fā)展
1．5 新潁趨勢和未來發(fā)展
2 碳化硅材料生長的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術(shù)
2．2．1 生長過程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡介及熱力學(xué)性質(zhì)
2．3．2 生長過程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
2．3．5 晶體形狀控制
2．3．6 晶體應(yīng)力控制
2．3．7 氣相組成對晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩(wěn)定生長的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長過程
2．3．1 1通過生長參數(shù)定制晶體特性
2．4 高溫化學(xué)氣相沉積
2．4．1 化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．3 實驗裝置
2．4．4 提高生長速率的措施
2．4．5 晶體質(zhì)量與生長條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類
2．6．2 缺陷的產(chǎn)生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問題
2．7．2 摻雜對基矢面位錯演化的影響
2．7．3 摻雜對晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對費(fèi)米能級的影響
……
3 碳化硅外延薄膜生長
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢
9 結(jié)語
參考文獻(xiàn)
附錄 本書主要名詞英漢對照表