先進(jìn)材料的計(jì)算與設(shè)計(jì)

目錄
序
前言
第1章**性原理計(jì)算中的總能1
1.1系統(tǒng)總能與薛定諤方程1
1.2密度泛函理論3
1.3密度泛函理論的總能計(jì)算6
1.4系統(tǒng)總能計(jì)算與結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)范例8
第2章晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷34
2.1點(diǎn)缺陷形成能計(jì)算34
2.2硫族化合物半導(dǎo)體中的點(diǎn)缺陷35
2.3氧空位與阻變存儲(chǔ)材料44
2.4二維過(guò)渡金屬碳化物中的金屬空位59
2.5氧對(duì)相變存儲(chǔ)材料GeTe性能調(diào)控的微觀機(jī)制68
2.6釔摻雜碲化銻71
第3章材料中的擴(kuò)散85
3.1擴(kuò)散的計(jì)算方法85
3.2阻變存儲(chǔ)材料中的點(diǎn)缺陷擴(kuò)散行為86
3.3氫和氧在面心立方鈷中的吸附與擴(kuò)散108
3.4Mo2C MXene電極材料上鋰離子的吸附和擴(kuò)散117
第4章非晶與**性原理分子動(dòng)力學(xué)123
4.1經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)與**性原理分子動(dòng)力學(xué)123
4.2**性原理分子動(dòng)力學(xué)基本理論方法125
4.3非晶結(jié)構(gòu)的表征方法139
4.4硫族化合物的非晶結(jié)構(gòu)及快速可逆相變142
4.5壓力誘導(dǎo)的可逆相變156
4.6摻雜元素對(duì)相變存儲(chǔ)材料的非晶結(jié)構(gòu)的影響169
4.7非晶Sb2Te3晶化的微觀機(jī)理177
第5章材料中的熱輸運(yùn)問(wèn)題186
5.1固體熱導(dǎo)率186
5.2釔摻雜碲化銻的電子熱導(dǎo)率和晶格熱導(dǎo)率197
5.3高熱電性能的Sb2Te3納米薄膜203
5.4Bi摻雜對(duì)Sb2Te3單層納米薄膜熱電性質(zhì)的影響210
5.5應(yīng)變協(xié)同調(diào)制Sb2Te3納米薄膜的熱電優(yōu)值224
5.6MXene的熱輸運(yùn)性質(zhì)及其調(diào)控233
5.7電子聲子散射對(duì)晶格熱導(dǎo)率的影響241
第6章材料中新奇量子性質(zhì)的計(jì)算與調(diào)控248
6.1相互作用電子的基本理論248
6.2二維晶體Cr2C的半金屬鐵磁性255
6.3As2S3(As2Se3)二維半導(dǎo)體261
6.4硫族化合物半導(dǎo)體的拓?fù)浣^緣行為267
6.5MXene的量子自旋霍爾相292
第7章范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)309
7.1二維半導(dǎo)體與電極異質(zhì)結(jié)的接觸性質(zhì)309
7.2GaSe/石墨烯異質(zhì)結(jié)的肖特基勢(shì)壘310
7.3MXene的金屬特性與功函數(shù)317
7.4MXene/過(guò)渡金屬硫族化合物范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)323
7.5MXene/藍(lán)磷范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)界面339
7.6MXene/藍(lán)磷范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)的TypeⅠ與TypeⅡ轉(zhuǎn)換348
7.7TypeⅡ型MoS2/AlN(GaN)半導(dǎo)體范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)354
第8章新型光電子材料設(shè)計(jì)363
8.1單層三磷化銦363
8.2二維半導(dǎo)體CrOX375
8.3MXene水分解光催化劑383
8.4二維過(guò)渡金屬硼化物391
8.5Ti2CO2表面負(fù)載Cu單原子催化劑397