寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件

目錄
叢書序
序
前言
第1章 緒論1
第2章 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)6
2.1 氮化物半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)6
2.2 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本物理性質(zhì)10
2.3 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的高場輸運(yùn)性質(zhì)12
2.4 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的量子輸運(yùn)性質(zhì)18
2.5 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的自旋性質(zhì)23
參考文獻(xiàn)27
第3章 氮化物半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長34
3.1 氮化物半導(dǎo)體的外延生長方法概述34
3.2 氮化物半導(dǎo)體的同質(zhì)外延生長57
3.3 氮化物半導(dǎo)體的異質(zhì)外延生長61
參考文獻(xiàn)79
第4章 氮化物半導(dǎo)體射頻電子器件93
4.1 GaN基射頻電子器件概述93
4.2 SiC襯底上GaN基微波功率器件94
4.3 Si襯底上GaN基射頻電子器件104
4.4 GaN基超高頻電子器件108
4.5 GaN基射頻電子器件的應(yīng)用113
參考文獻(xiàn)119
第5章 氮化物半導(dǎo)體功率電子器件123
5.1 GaN基功率電子器件概述123
5.2 增強(qiáng)型GaN基功率電子器件及異質(zhì)結(jié)構(gòu)能帶調(diào)制工程125
5.3 GaN基功率電子器件表面／界面局域態(tài)特性與調(diào)控136
5.4 GaN基垂直結(jié)構(gòu)功率電子器件140
5.5 GaN基功率電子器件的可靠性147
5.6 GaN基功率電子器件的應(yīng)用158
參考文獻(xiàn)167
第6章 SiC半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料176
6.1 SiC半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)176
6.2 SiC半導(dǎo)體單晶襯底材料的生長179
6.3 SiC半導(dǎo)體材料的外延生長184
參考文獻(xiàn)199
第7章 SiC半導(dǎo)體功率電子器件205
7.1 SiC基功率電子器件概述205
7.2 SiC基整流二極管206
7.3 SiC基功率開關(guān)器件216
7.4 SiC基功率電子器件的應(yīng)用226
參考文獻(xiàn)230
第8章 半導(dǎo)體金剛石材料與功率電子器件236
8.1 半導(dǎo)體金剛石的基本物理性質(zhì)236
8.2 金剛石單晶材料的制備方法245
8.3 單晶金剛石襯底的制備251
8.4 高質(zhì)量半導(dǎo)體金剛石薄膜的外延生長256
8.5 半導(dǎo)體金剛石的摻雜和電導(dǎo)調(diào)控257
8.6 金剛石基半導(dǎo)體功率電子器件261
參考文獻(xiàn)269
第9章 氧化鎵半導(dǎo)體功率電子材料與器件280
9.1 氧化鎵半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)280
9.2 氧化鎵半導(dǎo)體單晶材料的生長282
9.3 氧化鎵基半導(dǎo)體功率電子器件296
參考文獻(xiàn)309