123,123,123

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　近年來(lái)，集成電路技術(shù)急速發(fā)展，特別是移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù)，知識(shí)迭代不斷加快，新技術(shù)不斷涌現(xiàn)。本書(shū)在比較全面、系統(tǒng)地介紹移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)概況、主要終端芯片、主要技術(shù)體系的基礎(chǔ)上，詳細(xì)闡述了MEMS芯片設(shè)計(jì)的方法和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片先進(jìn)封裝可靠性檢測(cè)研究的相關(guān)內(nèi)容。本書(shū)可供廣大移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù)領(lǐng)域的工程師、研發(fā)人員、技術(shù)管理人員和科研人員閱讀參考，也可以作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　陳新華，北京建筑大學(xué)機(jī)電學(xué)院教師，北京交通大學(xué)機(jī)電學(xué)院博士，CFMB技術(shù)委員會(huì)專(zhuān)家。長(zhǎng)期從事載運(yùn)工具運(yùn)用工程方向的教學(xué)和科學(xué)研究，主持了教育部產(chǎn)學(xué)合作協(xié)同育人項(xiàng)目、北京市優(yōu)秀人才培養(yǎng)資助青年骨干個(gè)人項(xiàng)目、住建部科技計(jì)劃項(xiàng)目，并作為骨干成員參與國(guó)家973”計(jì)劃子課題、國(guó)家863”計(jì)劃課題和核高基重大專(zhuān)項(xiàng)等課題，發(fā)表在《Materials》《Progress in Natural Science： Materials International》等SCI和EI期刊發(fā)表論文十余篇，申請(qǐng)及授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利5項(xiàng)，相關(guān)成果獲得中共北京市教委北京高校青年教師社會(huì)調(diào)研優(yōu)秀成果資助項(xiàng)目一等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)科普貢獻(xiàn)者”榮譽(yù)證書(shū)等獎(jiǎng)項(xiàng)。

圖書(shū)目錄

目錄
第1章緒論\t001
1．1 芯片產(chǎn)業(yè)概況\t001
1．2 影響芯片產(chǎn)業(yè)走向的關(guān)鍵因素\t002
1．2．1 生態(tài)體系構(gòu)建\t003
1．2．2 芯片技術(shù)研發(fā)\t004
1．2．3 工藝制程\t004
1．2．4 用戶(hù)與伙伴\t005
1．2．5 政策扶持\t005
1．3 我國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)\t005
1．3．1 后來(lái)居上的創(chuàng)新機(jī)遇\t005
1．3．2 未來(lái)升級(jí)的挑戰(zhàn)和短板\t007
第2章移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)主要終端芯片\t011
2．1 基帶處理器\t012
2．1．1 基帶芯片\t012
2．1．2 射頻芯片\t014
2．2 應(yīng)用處理器\t014
2．2．1 CPU\t015
2．2．2 GPU\t015
2．2．3 AI芯片\t016
2．2．4 電源管理芯片\t017
2．3 存儲(chǔ)芯片\t017
2．4 MEMS芯片\t020
第3章移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片主要技術(shù)體系\t022
3．1 芯片設(shè)計(jì)\t022
3．1．1 IP核/Chiplet與SoC設(shè)計(jì)\t025
3．1．2 指令集\t027
3．1．3 微架構(gòu)\t032
3．1．4 EDA工具\(yùn)t037
3．2 芯片制造的制程、設(shè)備與材料\t038
3．2．1 先進(jìn)制程工藝\t038
3．2．2 設(shè)備和相關(guān)材料\t041
3．3 芯片封裝與測(cè)試\t042
3．3．1 SIP技術(shù)\t043
3．3．2 多芯片fcCSP封裝\t046
3．3．3 3D封裝\t047
3．3．4 扇出式封裝\t049
本章參考文獻(xiàn)\t052
第4章 MEMS微波功率傳感器芯片設(shè)計(jì)與模擬研究\t054
4．1 微波功率傳感器及其應(yīng)用\t054
4．2 國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀\t055
4．3 微波功率傳感器的設(shè)計(jì)\t059
4．3．1 微波功率傳感器的原理與理論\t059
4．3．2 微波功率傳感器的基本單元與性能\t065
4．3．3 微波功率傳感器的結(jié)構(gòu)與材料\t068
4．3．4 微波功率傳感器的制造工藝\t071
4．4 仿真軟件簡(jiǎn)介\t075
4．5 微波功率傳感器的仿真\t077
4．6 本章小結(jié)\t085
本章參考文獻(xiàn)\t085
第5章移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片先進(jìn)封裝可靠性檢測(cè)研究\t087
5．1 發(fā)展現(xiàn)狀\t089
5．1．1 國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀\t089
5．1．2 國(guó)外現(xiàn)狀\t090
5．2 試驗(yàn)樣本及參照標(biāo)準(zhǔn)介紹\t092
5．2．1 TSV技術(shù)類(lèi)型\t092
5．2．2 TSV芯片結(jié)構(gòu)\t092
5．2．3 TSV芯片制造工藝\t094
5．3 可靠性試驗(yàn)概述\t095
5．3．1 可靠性定義\t095
5．3．2 目的\t096
5．3．3 分類(lèi)\t096
5．4 可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)介紹\t096
5．4．1 JESD22-A113E\t096
5．4．2 JESD22-A104E\t097
5．4．3 JESD22-A118E\t097
5．4．4 JESD22-A102E\t098
5．4．5 IPC/JEDECJ-STD-020．1\t098
5．4．6 GJB 548B―2005\t098
5．4．7 GJB 7400―2011\t099
5．5 可靠性試驗(yàn)方法\t099
5．5．1 試驗(yàn)儀器\t099
5．5．2 試驗(yàn)內(nèi)容及參數(shù)確定\t100
5．6 表征方法\t107
5．6．1 形狀分析激光顯微鏡\t107
5．6．2 X射線（X-Ray）檢測(cè)儀分析\t108
5．6．3 超聲波掃描電子顯微鏡（C-SAM）分析\t109
5．6．4 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM）分析\t110
5．6．5 X射線能譜儀（EDS）分析\t111
5．6．6 聚焦離子束（FIB）技術(shù)\t112
5．7 試驗(yàn)數(shù)據(jù)及圖像分析\t112
5．7．1 形狀分析激光顯微鏡分析結(jié)果\t112
5．7．2 初始芯片A、B\t113
5．7．3 PC試驗(yàn)后芯片C、D\t120
5．7．4 TC試驗(yàn)后芯片E、F\t129
5．7．5 UHAST試驗(yàn)后芯片G、H\t138
5．7．6 PCT試驗(yàn)后芯片I、J\t147
5．8 X-Ray檢測(cè)儀分析結(jié)果\t156
5．9 C-SAM分析結(jié)果\t158
5．10 SEM與EDS分析結(jié)果\t159
5．11 本章小結(jié)\t184
本章參考文獻(xiàn)\t186