電子電路分析與設(shè)計(jì)（第四版）

第1章半導(dǎo)體材料和二極管

1.1半導(dǎo)體材料及其特性

1.1.1本征半導(dǎo)體

1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體

1.1.3漂移電流和擴(kuò)散電流

1.1.4過剩載流子

1.2PN結(jié)

1.2.1平衡PN結(jié)

1.2.2反向偏置的PN結(jié)

1.2.3正向偏置的PN結(jié)

1.2.4理想的電流電壓關(guān)系

1.2.5PN結(jié)二極管

1.3二極管電路： 直流分析及模型

1.3.1迭代法和圖解法

1.3.2折線化模型

1.3.3計(jì)算機(jī)仿真和分析

1.3.4二極管模型小結(jié)

1.4二極管電路： 交流等效電路

1.4.1正弦分析

1.4.2小信號(hào)等效電路

1.5其他類型的二極管

1.5.1光電池

1.5.2光電二極管

1.5.3發(fā)光二極管

1.5.4肖特基勢(shì)壘二極管

1.5.5穩(wěn)壓二極管

1.6設(shè)計(jì)應(yīng)用： 二極管溫度計(jì)

1.7本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第2章二極管電路

2.1整流電路

2.1.1半波整流

2.1.2全波整流

2.1.3濾波電路、紋波電壓和二極管電流

2.1.4檢波電路

2.1.5倍壓整流電路

2.2穩(wěn)壓二極管電路

2.2.1理想的基準(zhǔn)電壓電路

2.2.2齊納電阻和調(diào)整率

2.3限幅和鉗位電路

2.3.1限幅電路

2.3.2鉗位電路

2.4多二極管電路

2.4.1二極管電路示例

2.4.2二極管邏輯電路

2.5光電二極管和發(fā)光二極管電路

2.5.1光電二極管電路

2.5.2發(fā)光二極管電路

2.6設(shè)計(jì)應(yīng)用： 直流電源

2.7本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題





第3章場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.1MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.1.1二端MOS結(jié)構(gòu)

3.1.2N溝道增強(qiáng)型MOSFET

3.1.3理想的MOSFET電流電壓特性——NMOS器件

3.1.4P溝道增強(qiáng)型MOSFET

3.1.5理想MOSFET的電流電壓特性——PMOS器件

3.1.6電路符號(hào)和規(guī)范

3.1.7其他MOSFET結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)

3.1.8晶體管工作原理小結(jié)

3.1.9短溝道效應(yīng)

3.1.10其他非理想電流電壓特性

3.2MOSFET直流電路分析

3.2.1共源電路

3.2.2負(fù)載線和工作模式

3.2.3其他MOSFET電路結(jié)構(gòu)： 直流分析

3.3MOSFET的基本應(yīng)用： 開關(guān)、數(shù)字邏輯門和放大電路

3.3.1NMOS反相器

3.3.2數(shù)字邏輯門

3.3.3MOSFET小信號(hào)放大電路

3.4恒流源偏置

3.5多級(jí)MOSFET電路

3.5.1多晶體管電路： 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)

3.5.2多晶體管電路： 共源共柵結(jié)構(gòu)

3.6結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.6.1PN JFET和MESFET的工作原理

3.6.2電流電壓特性

3.6.3常見JFET電路： 直流分析

3.7設(shè)計(jì)應(yīng)用： 帶MOS晶體管的二極管溫度計(jì)

3.8本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第4章基本場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

4.1MOSFET放大電路

4.1.1圖解分析、負(fù)載線和小信號(hào)參數(shù)

4.1.2小信號(hào)等效電路

4.1.3襯底效應(yīng)建模

4.2晶體管放大電路的基本組態(tài)

4.3共源放大電路

4.3.1一個(gè)基本的共源電路結(jié)構(gòu)

4.3.2帶源極電阻的共源放大電路

4.3.3帶源極旁路電容的共源電路

4.4共漏(源極跟隨器)放大電路

4.4.1小信號(hào)電壓增益

4.4.2輸入和輸出電阻

4.5共柵放大電路

4.5.1小信號(hào)電壓和電流增益

4.5.2輸入和輸出阻抗

4.6三種基本的放大電路組態(tài)： 總結(jié)和比較

4.7單級(jí)集成MOSFET放大電路

4.7.1負(fù)載線回顧

4.7.2帶增強(qiáng)型負(fù)載的NMOS放大電路

4.7.3帶耗盡型負(fù)載的NMOS放大電路

4.7.4帶有源負(fù)載的NMOS放大電路

4.8多級(jí)放大電路

4.8.1多級(jí)放大電路： 級(jí)聯(lián)電路

4.8.2多級(jí)放大電路： 共源共柵電路

4.9基本JFET放大電路

4.9.1小信號(hào)等效電路

4.9.2小信號(hào)分析

4.10設(shè)計(jì)應(yīng)用： 一個(gè)兩級(jí)放大電路

4.11本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第5章雙極型晶體管

5.1基本雙極型晶體管

5.1.1晶體管的結(jié)構(gòu)

5.1.2NPN型晶體管： 正向放大工作模式

5.1.3PNP型晶體管： 正向放大工作模式

5.1.4電路符號(hào)及規(guī)范

5.1.5電流電壓特性

5.1.6非理想晶體管的漏電流和擊穿電壓

5.2晶體管電路的直流分析

5.2.1共射電路

5.2.2負(fù)載線和工作模式

5.2.3電壓傳輸特性

5.2.4常用的雙極型電路： 直流分析

5.3晶體管的基本應(yīng)用

5.3.1開關(guān)

5.3.2數(shù)字邏輯

5.3.3放大電路

5.4雙極型晶體管的偏置

5.4.1單個(gè)基極電阻偏置

5.4.2分壓偏置和偏置的穩(wěn)定

5.4.3正負(fù)電源偏置

5.4.4集成電路偏置

5.5多級(jí)電路

5.6設(shè)計(jì)應(yīng)用： 帶雙極型晶體管的二極管溫度計(jì)

5.7本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第6章基本雙極型晶體管放大電路

6.1模擬信號(hào)和線性放大電路

6.2雙極型線性放大電路

6.2.1圖解分析和交流等效電路

6.2.2雙極型晶體管的小信號(hào)混合π等效電路

6.2.3小信號(hào)電壓增益

6.2.4考慮厄爾利效應(yīng)的混合π等效電路

6.2.5擴(kuò)展的混合π等效電路

6.2.6其他小信號(hào)參數(shù)和等效電路

6.3晶體管放大電路的基本組態(tài)

6.4共射放大電路

6.4.1基本共射放大電路

6.4.2帶射極電阻的電路

6.4.3帶射極旁路電容的電路

6.4.4高級(jí)共射放大電路的概念

6.5交流負(fù)載線分析

6.5.1交流負(fù)載線

6.5.2最大不失真電壓

6.6共集放大電路(射極跟隨器)

6.6.1小信號(hào)電壓增益

6.6.2輸入電阻和輸出電阻

6.6.3小信號(hào)電流增益

6.7共基放大電路

6.7.1小信號(hào)電壓和電流增益

6.7.2輸入電阻和輸出電阻

6.8三種基本放大電路： 總結(jié)和比較

6.9多級(jí)放大電路

6.9.1多級(jí)放大電路分析： 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)

6.9.2多級(jí)電路： 復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)

6.9.3多級(jí)電路： 共射共基結(jié)構(gòu)

6.10功耗考慮

6.11設(shè)計(jì)應(yīng)用： 音頻放大電路

6.12本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第7章頻率響應(yīng)

7.1放大電路的頻率響應(yīng)

7.1.1等效電路

7.1.2頻率響應(yīng)分析

7.2系統(tǒng)傳遞函數(shù)

7.2.1s域分析

7.2.2一階函數(shù)

7.2.3波特圖

7.2.4短路和開路時(shí)間常數(shù)

7.2.5時(shí)間響應(yīng)

7.3電容耦合晶體管放大電路的頻率響應(yīng)

7.3.1耦合電容的影響

7.3.2負(fù)載電容的影響

7.3.3耦合電容和負(fù)載電容

7.3.4旁路電容的影響

7.3.5共同影響： 耦合電容和旁路電容

7.4雙極型晶體管的頻率響應(yīng)

7.4.1擴(kuò)展的混合π等效電路

7.4.2短路電流增益

7.4.3截止頻率

7.4.4密勒效應(yīng)和密勒電容

7.4.5密勒效應(yīng)的物理原因

7.5場(chǎng)效應(yīng)管的頻率響應(yīng)

7.5.1高頻等效電路

7.5.2單位增益帶寬

7.5.3密勒效應(yīng)和密勒電容

7.6晶體管電路的高頻響應(yīng)

7.6.1共射和共源電路

7.6.2共基、共柵以及共射共基電路

7.6.3射極跟隨器和源極跟隨器電路

7.6.4高頻放大電路的設(shè)計(jì)

7.7設(shè)計(jì)應(yīng)用： 一個(gè)電容耦合兩級(jí)放大電路

7.8本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

第8章輸出級(jí)和功率放大電路

8.1功率放大電路

8.2功率晶體管

8.2.1功率BJT

8.2.2功率MOSFET

8.2.3功率MOSFET和BJT的比較

8.2.4散熱片

8.3功率放大電路分類

8.3.1甲類工作方式

8.3.2乙類工作方式

8.3.3甲乙類工作方式

8.3.4丙類工作方式

8.4甲類功率放大電路

8.4.1電感耦合放大電路

8.4.2變壓器耦合共射放大電路

8.4.3變壓器耦合射極跟隨器放大電路

8.5甲乙類推挽式互補(bǔ)輸出級(jí)

8.5.1二極管偏置的甲乙類輸出級(jí)

8.5.2帶VBE倍增電路的甲乙類輸出級(jí)

8.5.3帶輸入緩沖晶體管的甲乙類輸出級(jí)

8.5.4利用復(fù)合管的甲乙類輸出級(jí)

8.6設(shè)計(jì)應(yīng)用： 一個(gè)基于MOSFET的輸出級(jí)

8.7本章小結(jié)

復(fù)習(xí)題

習(xí)題

附錄A物理常數(shù)與轉(zhuǎn)換因子

附錄B制造商數(shù)據(jù)手冊(cè)節(jié)選
B.12N2222 NPN雙極型晶體管

B.22N2907 PNP雙極型晶體管

B.3NDS410 N溝道增強(qiáng)型MOSFET

B.4LM741運(yùn)算放大器

附錄C標(biāo)準(zhǔn)電阻值和電容值

C.1碳膜電阻

C.2精密電阻(容差為1%)

C.3電容

參考文獻(xiàn)