微電子技術創(chuàng)新與實踐教程

第1章第三代半導體材料

1.1第三代半導體材料概述

1.2第三代半導體材料國內外技術現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

1.3第三代半導體在光電器件領域的應用

1.3.1半導體照明

1.3.2短波長激光器

1.3.3光伏電池

1.3.4其他

1.4AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管

1.4.1GaN材料

1.4.2AlGaN/GaN HEMT結構

1.4.3AlGaN/GaN HEMT工作原理

1.5ZnO異質結光電器件

1.5.1ZnO晶體的物理性質和基本結構

1.5.2ZnO的能帶結構

1.5.3ZnO的光學特性

1.5.4ZnO的電學特性

1.5.5ZnO的壓電特性

1.5.6ZnO紫外探測器

1.6小結

參考文獻

第2章半導體納米材料

2.1納米材料

2.1.1納米材料概述

2.1.2納米材料的特性

2.1.3納米材料的合成與制備

2.2半導體納米材料

2.2.1半導體納米材料概述

2.2.2半導體納米材料的特性

2.2.3半導體納米材料的合成與制備

2.2.4半導體納米材料的應用

2.3納米氧化鋅復合材料在電化學生物傳感器方面的應用

2.3.1電化學生物傳感器概述

2.3.2電化學生物傳感器的分類

2.3.3基于氧化鋅/金納米復合材料的電化學傳感器對抗壞血酸和
尿酸的同時檢測

2.4ZnO納米材料在其他方面的應用

2.4.1ZnO納米材料在發(fā)光器件中的應用

2.4.2ZnO納米材料在太陽能電池中的應用

2.4.3ZnO納米材料在探測器中的應用

2.5石墨烯

2.5.1石墨烯概述

2.5.2石墨烯復合材料

2.6石墨烯基復合材料的應用

2.7石墨烯/硅光電探測器

2.7.1石墨烯簡介

2.7.2石墨烯的制備方法

2.7.3石墨烯在光電探測器中的應用

2.7.4石墨烯/硅光電探測器

參考文獻






第3章金屬硫化物半導體材料

3.1ZnS半導體材料

3.1.1ZnS基本性質

3.1.2ZnS薄膜的制備方法

3.2ZnS應用研究

3.2.1ZnS在太陽能電池方面的應用研究

3.2.2ZnS在電致發(fā)光器件方面的應用研究

3.2.3ZnS在透明電極方面的應用研究

3.3二硫化鉬最新研究進展

3.3.1MoS2的性質和結構

3.3.2MoS2的價帶結構和光學性質

3.3.3MoS2的制備方法

3.3.4基于MoS2的場效應晶體管應用

3.4小結

參考文獻

第4章金屬硒化物半導體納米材料

4.1CdSe半導體納米材料

4.1.1CdSe的基本性質

4.1.2CdSe納米半導體薄膜的制備方法

4.1.3CdSe半導體納米材料的應用

4.2SnSe半導體材料簡述

4.2.1引言

4.2.2國內外SnSe材料研究現(xiàn)狀

4.3ZnSe半導體納米材料

4.3.1引言

4.3.2ZnSe的性質、晶體結構及能帶結構

4.3.3ZnSe納米材料的制備方法

4.3.4ZnSe納米材料的應用

4.4小結

參考文獻

第5章絕緣柵雙極型晶體管

5.1IGBT原理

5.2IGBT結構及分類

5.2.1IGBT結構

5.2.2PTIGBT和NPTIGBT

5.3IGBT的工作原理

5.4IGBT的特性分析

5.4.1IGBT的靜態(tài)特性

5.4.2IGBT的動態(tài)特性

5.5小結

參考文獻

第6章碳化硅器件

6.1引言

6.2SiC分立器件的研究現(xiàn)狀

6.3SiC器件的分類

6.3.1SiC肖特基二極管

6.3.2SiC功率器件

6.3.3SiC開關器件

6.3.4SiC微波器件

6.4SiC集成電路的研究現(xiàn)狀

6.5SiC材料的外延生長

6.6SiC材料的特點與結構

6.7SiC器件在高溫環(huán)境中的應用

6.8小結

參考文獻

第7章高電子遷移率晶體管

7.1HEMT簡介

7.2HEMT原理

7.2.1MESFET

7.2.2HEMT

7.3HEMT器件熱特性

7.4AlGaN/GaN材料HEMT器件優(yōu)化分析與IV特性關系

7.4.1引言

7.4.2器件性能的優(yōu)化分析

7.5小結

參考文獻

第8章可控硅

8.1可控硅簡介

8.2可控硅特性

8.3可控硅的檢測

8.3.1單向可控硅的檢測

8.3.2雙向可控硅的檢測

8.3.3光控可控硅的檢測

8.4可控硅元件的使用原理

8.4.1可控硅的分類

8.4.2可控硅元件使用的注意事項

8.4.3可控硅元件的保護措施

8.5可控硅應用

8.6小結

參考文獻

第9章新工具、新技術在微電子學中的應用

9.1人工神經網(wǎng)絡

9.1.1人工神經網(wǎng)絡概述

9.1.2人工神經網(wǎng)絡基礎

9.1.3人工神經網(wǎng)絡在微電子學中的應用

9.1.4小結

9.2智能優(yōu)化算法

9.2.1概述

9.2.2禁忌搜索算法

9.2.3模擬退火算法

9.2.4遺傳算法

9.2.5遺傳算法在集成電路設計中的應用

9.2.6小結

9.3異步設計

9.3.1異步設計的研究

9.3.2異步控制器的實現(xiàn)

9.4小結

參考文獻

第10章集成電路的超低功耗設計

10.1引言

10.2集成電路的功耗分析

10.3納米尺度工藝的功耗趨勢

10.4超低功耗集成電路的工藝及器件結構

10.5集成電路的低功耗設計技術

10.6小結

參考文獻

第11章新型工藝

11.1半導體工藝

11.1.1半導體工藝概述

11.1.2半導體工藝發(fā)展現(xiàn)狀

11.27nm工藝

11.3FinFET技術

11.3.1FinFET概述

11.3.2高K基FinFET

11.4小結

參考文獻

第12章微電子新型封裝技術

12.1微電子封裝技術

12.1.1微電子封裝技術概述

12.1.2微電子封裝技術發(fā)展及其方向

12.2MEMS封裝

12.2.1MEMS封裝技術

12.2.2鍵合技術

12.2.3倒裝芯片封裝技術

12.2.4多芯片封裝技術

12.3疊層3D封裝

12.3.1芯片疊層

12.3.2封裝疊層

12.3.3晶圓疊層3D封裝

12.4小結

參考文獻