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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　隨著先進(jìn)封裝技術(shù)向著無(wú)鉛化和小型化的發(fā)展趨勢(shì)，電子封裝材料和結(jié)構(gòu)可靠性要求越來(lái)越趨于嚴(yán)格，特別是在航空、航天的等領(lǐng)域的嚴(yán)苛環(huán)境下的關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)用。目前有各類芯片封裝技術(shù)書籍，往往僅是較為籠統(tǒng)地覆蓋封裝技術(shù)的設(shè)計(jì)、制造技術(shù)等方面，國(guó)內(nèi)專門從事電子封裝領(lǐng)域的力學(xué)研究人員較少，因此沒有專門針對(duì)封裝材料和材料力學(xué)性能的書籍。本書基于材料力學(xué)、結(jié)構(gòu)力學(xué)和有限元分析理論，從本構(gòu)關(guān)系入手，考慮了復(fù)雜的多場(chǎng)耦合條件下具有粘塑性特性的封裝材料，利用單軸拉伸、納米壓痕和霍普金森桿等傳統(tǒng)力學(xué)實(shí)驗(yàn)方法，獲取了不同應(yīng)變率下不同幾何尺度的材料本構(gòu)模型、疲勞、蠕變和抗沖擊特性，所轉(zhuǎn)化得到的不同應(yīng)變率下應(yīng)力-應(yīng)變曲線、穩(wěn)定蠕變應(yīng)變率、循環(huán)載荷下材料疲勞壽命等重要材料屬性，從而用于焊點(diǎn)、封裝和板級(jí)結(jié)構(gòu)尺度下不同工作環(huán)境下變形和破壞行為研究。