機(jī)械設(shè)計(jì)手冊(cè) 微機(jī)電系統(tǒng)及設(shè)計(jì)

出版說(shuō)明
前言

第28篇微機(jī)電系統(tǒng)及設(shè)計(jì)

第1章微機(jī)電系統(tǒng)概述

1基本概念28-3

11微傳感器28-3

12微執(zhí)行器和微結(jié)構(gòu)28-3

13微機(jī)電系統(tǒng)的基本特征28-4

14微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)和微電子技術(shù)的比較28-4

2微機(jī)電系統(tǒng)發(fā)展歷程28-4

3微機(jī)電系統(tǒng)及相關(guān)技術(shù)28-5

31微機(jī)電系統(tǒng)組成28-5

32微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)28-6

33微機(jī)電系統(tǒng)制造28-6

34微機(jī)電系統(tǒng)封裝28-7

35微裝配28-8

36系統(tǒng)封裝（SiP）28-8

37微機(jī)電系統(tǒng)可靠性28-9

38微機(jī)電系統(tǒng)測(cè)試28-9

4微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域28-10

41微機(jī)電系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用28-10

42微機(jī)電系統(tǒng)在醫(yī)療和生命科學(xué)領(lǐng)域中的
應(yīng)用28-11

43微機(jī)電系統(tǒng)在電信領(lǐng)域中的應(yīng)用28-11

第2章微機(jī)電系統(tǒng)制造

1體硅微機(jī)械加工技術(shù)28-12

11硅晶體的描述28-12

12各向同性腐蝕28-12

13各向異性腐蝕28-13

131不同腐蝕液中的腐蝕速率28-13

132腐蝕速率與溫度的關(guān)系28-14

133腐蝕速率與腐蝕液含量的關(guān)系28-15

134腐蝕速率與襯底摻雜濃度的
關(guān)系28-15

135不同腐蝕液中的腐蝕表面狀況28-16

136各向異性腐蝕加工技術(shù)中的凸角
補(bǔ)償方法28-16

14深反應(yīng)離子刻蝕28-17

141刻蝕原理28-17

142載片臺(tái)溫度與SF6/O2配比的
影響28-18

143SF6流量與ICP功率的影響28-19

144滯后效應(yīng)和凹缺效應(yīng)28-19

145深反應(yīng)離子刻蝕工藝優(yōu)化28-20

15硅直接鍵合技術(shù)28-21

151硅直接鍵合技術(shù)的分類28-21

152鍵合前的清洗28-22

153鍵合表面的活化28-23

154平整度對(duì)鍵合的影響28-23

155鍵合后的熱處理28-24

156鍵合質(zhì)量的表征28-24

2表面微機(jī)械加工技術(shù)28-26

21表面微機(jī)械加工的薄膜材料及
其特性28-26

211多晶硅28-26

212氧化硅28-28

213氮化硅28-30

214碳化硅28-30

215其他表面微機(jī)械加工材料28-31

22犧牲層釋放腐蝕技術(shù)28-31

221氧化硅犧牲層的腐蝕28-31

222黏附問(wèn)題及其解決方案28-33

23標(biāo)準(zhǔn)化的表面微機(jī)械加工工藝28-36

231MUMPS加工工藝28-36

232SUMMiTTMV加工工藝28-36

3玻璃微機(jī)械加工技術(shù)28-37

31濕法刻蝕28-37

32干法刻蝕28-38

33陽(yáng)極鍵合28-39

34模具成型28-40

35其他加工方法28-42

4UVLIGA技術(shù)28-42

41工藝流程28-43

42去膠工藝28-45

43SU8膠光學(xué)特性28-47

44SU8膠其他特性28-48

5其他微機(jī)械加工技術(shù)28-48

51激光微加工技術(shù)28-48

52電火花微加工技術(shù)28-50

53熱壓微成型技術(shù)28-51

54注射微成型技術(shù)28-52

6微機(jī)電系統(tǒng)制造工藝優(yōu)化28-53

61常用材料的刻蝕特性28-53

62微機(jī)電系統(tǒng)加工技術(shù)比較28-60

63工藝設(shè)計(jì)及優(yōu)化28-61

目錄
目錄
第3章微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)

1設(shè)計(jì)工具28-64

11CoventorWare簡(jiǎn)介28-64

12CoventorWare設(shè)計(jì)實(shí)例28-65

13IntelliSuite簡(jiǎn)介28-66

14IntelliSuite設(shè)計(jì)實(shí)例28-67

2微機(jī)械潤(rùn)滑28-70

21比例尺度基礎(chǔ)知識(shí)28-70

211立方定律28-70

212連續(xù)介質(zhì)假設(shè)28-70

213表面粗糙度28-71

22潤(rùn)滑的基本方程28-71

23Couette流阻尼28-71

24壓膜阻尼28-72

241基本方程28-72

242通氣孔效應(yīng)28-72

25摩擦和磨損28-73

3靜電執(zhí)行器28-73

31面內(nèi)運(yùn)動(dòng)執(zhí)行器28-73

32離面運(yùn)動(dòng)執(zhí)行器28-73

33性能參數(shù)28-74

34材料參數(shù)28-74

35材料選擇優(yōu)化28-75

36多層材料的選擇28-76

4壓電執(zhí)行器28-76

41執(zhí)行器性能設(shè)計(jì)28-77

42材料選擇28-78

43性能綜合28-81

5熱執(zhí)行器28-82

51雙層材料熱執(zhí)行器基本原理28-82

52性能設(shè)計(jì)28-82

53性能指標(biāo)的優(yōu)化28-83

54雙層材料執(zhí)行器材料選擇28-85

55執(zhí)行器設(shè)計(jì)的其他因素28-89

6熱氣動(dòng)和相變執(zhí)行器28-89

61熱氣動(dòng)執(zhí)行器的原理28-89

62隔膜結(jié)構(gòu)的機(jī)械設(shè)計(jì)28-89

63熱氣動(dòng)執(zhí)行器的熱學(xué)性能28-93

64熱氣動(dòng)執(zhí)行器的材料選擇28-94

65相變執(zhí)行器28-94

66設(shè)計(jì)綜合28-95

7磁執(zhí)行器28-95

71按比例縮小規(guī)則28-95

72永磁體和線圈間的等效28-96

73微線圈中的電流密度28-97

74磁相互作用的優(yōu)點(diǎn)28-97

8執(zhí)行器比較28-98

81微執(zhí)行器分類28-98

82MEMS執(zhí)行器和宏觀執(zhí)行器的性能圖28-98

821最大力和最大位移28-98

822位移分辨力與最大位移28-100

823最大頻率與最大位移28-100

第4章微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)例

1微機(jī)械壓力傳感器28-101

11器件結(jié)構(gòu)與性能參數(shù)28-101

12壓阻式壓力傳感器28-102

13電容式壓力傳感器28-105

131設(shè)計(jì)改進(jìn)28-106

132電路集成和器件補(bǔ)償28-107

14其他類型壓力傳感器28-109

141諧振式壓力傳感器28-109

142伺服控制式壓力傳感器28-109

143隧道壓力傳感器