硅基功率集成電路設計技術

目錄
序
前言
第1章 緒論 1
1.1 功率集成電路基本概念 2
1.1.1 功率集成電路的定義 2
1.1.2 功率集成電路的發(fā)展歷程 3
1.1.3 功率集成電路技術的特點 5
1.2 功率集成電路核心器件概述 6
1.2.1 功率半導體器件發(fā)展歷程 7
1.2.2 功率集成電路的核心器件 9
1.3 功率集成電路基本結構 10
1.4 功率集成電路的挑戰(zhàn)和機遇 13
參考文獻 15
第2章 集成型功率LDMOS器件設計 17
2.1 功率LDMOS器件結構及工作原理 17
2.1.1 功率LDMOS器件結構 17
2.1.2 功率LDMOS器件工作原理 18
2.2 功率LDMOS器件耐壓提升技術 20
2.2.1 場板技術 20
2.2.2 溝槽隔離技術 23
2.2.3 埋層技術 29
2.2.4 漂移區(qū)變摻雜技術 33
2.2.5 超結技術 35
2.3 功率LDMOS器件可靠性 39
2.3.1 熱載流子可靠性 40
2.3.2 安全工作區(qū)可靠性 45
2.3.3 HTRB可靠性 51
2.3.4 ESD可靠性 55
參考文獻 60
第3章 集成型功率SOI-LIGBT器件設計 62
3.1 SOI技術概述 62
3.1.1 SOI工藝特點 62
3.1.2 SOI工藝在高壓集成電路領域的優(yōu)勢 65
3.2 功率SOI-LIGBT器件的結構及工作原理 67
3.2.1 SOI-LIGBT器件的結構 67
3.2.2 耐壓原理 68
3.2.3 導通原理 70
3.2.4 開關原理 70
3.3 功率SOI-LIGBT器件電流密度提升技術 72
3.3.1 發(fā)射極優(yōu)化技術 72
3.3.2 漂移區(qū)優(yōu)化技術 82
3.3.3 集電區(qū)優(yōu)化技術 84
3.4 功率SOI-LIGBT器件關斷速度提升技術 86
3.4.1 載流子存儲優(yōu)化技術 86
3.4.2 載流子抽取加速技術 103
3.5 功率SOI-LIGBT器件的可靠性 106
3.5.1 閂鎖可靠性 106
3.5.2 短路可靠性 109
參考文獻 114
第4章 高壓柵驅動集成電路設計 117
4.1 高壓柵驅動芯片概述 117
4.1.1 高壓柵驅動芯片功能與應用 117
4.1.2 高壓柵驅動芯片工藝概述 118
4.2 高壓柵驅動集成電路關鍵技術 121
4.2.1 抗dV/dt噪聲能力提升技術 121
4.2.2 集成自舉技術 130
4.2.3 抗VS負過沖能力提升技術 133
4.2.4 輸出驅動技術 138
4.3 高壓柵驅動集成電路測試技術 147
4.3.1 高壓柵驅動芯片測試系統(tǒng)設計難點 147
4.3.2 測試系統(tǒng)設計考慮 149
參考文獻 156
第5章 非隔離型電源管理集成電路設計 158
5.1 非隔離型電源及控制電路概述 158
5.1.1 電路拓撲及分類 158
5.1.2 控制電路概述 162
5.2 線性穩(wěn)壓電源電路設計 163
5.2.1 基本工作原理 163
5.2.2 高效率設計技術 166
5.3 Buck型開關電源電路設計 172
5.3.1 基本工作原理 172
5.3.2 高效率設計技術 173
5.3.3 高頻化全集成設計技術 196
5.3.4 單電感多輸出設計技術 221
5.4 Boost型PFC電源電路設計 258
5.4.1 基本工作原理 259
5.4.2 DCM Boost型PFC變換器功率因數(shù)提升控制原理 270
5.4.3 DCM Boost型PFC變換器電路架構設計與驗證 276
參考文獻 289
第6章 隔離型電源管理集成電路設計 291
6.1 隔離型電源及控制電路概述 291
6.1.1 電源拓撲結構及分類 292
6.1.2 控制電路簡介 296
6.2 反激式開關電源電路設計 298
6.2.1 反激式開關電源工作原理 298
6.2.2 多模式高效率控制技術 304
6.2.3 高精度電壓、電流補償技術 310
6.2.4 高動態(tài)響應技術 329
6.2.5 單管諧振控制技術 345
6.3 半橋型LLC諧振變換器設計 368
6.3. 半橋型LLC諧振變換器工作原理 369
6.3. LLC諧振變換器控制芯片的一般功能模塊簡介 376
6.3. LLC諧振變換器的PFM穩(wěn)壓調制技術 377
6.3. LLC諧振變換器的小信號模型與環(huán)路補償技術 384
6.3. LLC諧振變換器的軟啟動技術 389
6.3. 基于ON/OFF控制的LLC振變換器的輕載效率優(yōu)化技術 393
6.3. LLC控制芯片的容性保護技術 395
參考文獻 397