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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　微電子封裝互連是集成電路（IC）后道制造中難度*大也*為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，對(duì)IC產(chǎn)品的體積、成本、性能和可靠性等都有重要影響。為提高倒裝焊芯片的可靠性，必須研究高密度倒裝焊缺陷檢測(cè)的新技術(shù)和新方法。本書(shū)系統(tǒng)地闡述了國(guó)際上倒裝芯片無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域的前沿技術(shù)，內(nèi)容共分為5章。第1章是倒裝芯片缺陷檢測(cè)概述，主要介紹倒裝焊封裝技術(shù)的產(chǎn)生、發(fā)展與常規(guī)的缺陷診斷技術(shù)。第2章是基于主動(dòng)紅外的倒裝芯片缺陷檢測(cè)，將主動(dòng)紅外檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于倒裝芯片缺陷檢測(cè)中。采用非接觸方式對(duì)芯片施加熱激勵(lì)，并輔以主動(dòng)紅外探測(cè)進(jìn)行缺陷診斷，使之適用于倒裝芯片內(nèi)部隱藏的缺陷的檢測(cè)。第3章是基于激光多普勒超聲激振的倒裝芯片缺陷檢測(cè)，主要以倒裝焊焊點(diǎn)的典型缺陷為診斷對(duì)象，將超聲激勵(lì)、激光掃描測(cè)振和振動(dòng)分析相結(jié)合，用于焊點(diǎn)缺陷診斷，可有效實(shí)現(xiàn)典型缺陷的識(shí)別與定位。第4章是基于高頻超聲的倒裝芯片缺陷檢測(cè)，主要是基于超聲波傳播機(jī)理，利用高頻超聲回波檢測(cè)技術(shù)，對(duì)倒裝焊芯片缺球、裂紋等經(jīng)典缺陷以及高密度的自制Cu凸點(diǎn)倒裝鍵合樣片缺陷進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)，結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)理論，對(duì)倒裝焊缺陷進(jìn)行智能識(shí)別。第5章是基于X射線的倒裝芯片凸點(diǎn)和TSV缺陷檢測(cè)，具體針對(duì)三維集成中微凸點(diǎn)缺失缺陷和TSV孔洞缺陷，提出基于X射線透射圖像結(jié)合SOM神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的缺陷檢測(cè)方法，從圖像采集、圖像分割與特征提取、SOM網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練與預(yù)測(cè)以及缺陷定位等方面著手進(jìn)行系統(tǒng)研究。本書(shū)適合微電子封裝檢測(cè)、無(wú)損檢測(cè)等相關(guān)領(lǐng)域的科研人員、教師、研究生閱讀和參考。