碳化硅技術(shù)基本原理：生長、表征、器件和應(yīng)用

譯者序
原書前言
原書作者簡介
第１章　導(dǎo)論１
　１.１　電子學(xué)的進(jìn)展１
?。?２　碳化硅的特性和簡史３ 　
　１.２.１　早期歷史３
　?。?２.２?。樱椋镁w生長的革新４
　?。?２.３?。樱椋霉β势骷那熬昂驼故荆?
?。?３　本書提綱６ 　參考文獻(xiàn)７
第２章　碳化硅的物理性質(zhì)１０
第３章　碳化硅晶體生長３６
第４章　碳化硅外延生長７０
第５章　碳化硅的缺陷及表征技術(shù)１１７
第６章　碳化硅器件工藝１７7
第７章　單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章　單極型功率開關(guān)器件２８6
第９章　雙極型功率開關(guān)器件３３６
?。?１　雙極結(jié)型晶體管（ＢＪＴ） ３３６
　　９.１.１　內(nèi)部電流３３７
　?。?１.２　增益參數(shù)３３８
　　９.１.３　端電流３４０
　?。?１.４　電流－電壓關(guān)系３４１
　　９.１.５　集電區(qū)中的大電流效應(yīng)：飽和和準(zhǔn)飽和３４３
　?。?１.６　基區(qū)中的大電流效應(yīng)：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應(yīng)３４７
　　９.１.７　集電區(qū)的大電流效應(yīng)：二次擊穿和基區(qū)擴(kuò)散效應(yīng)３５１
　?。?１.８　共發(fā)射極電流增益：溫度特性３５３
　?。?１.９　共發(fā)射極電流增益：復(fù)合效應(yīng)３５３
　　９.１.１０　阻斷電壓３５５
?。?２　絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ） ３５６
　　９.２.１　電流－電壓關(guān)系３５７
　?。?２.２　阻斷電壓３６７
　　９.２.３　開關(guān)特性３６８
　?。?２.４　器件參數(shù)的溫度特性３７３
　９.３　晶閘管３７５
　?。?３.１　正向?qū)Ｊ剑常罚?
　　９.３.２　正向阻斷模式和觸發(fā)３８１
　?。?３.３　開通過程３８６
　?。?３.４　ｄＶ／ｄｔ觸發(fā)３８８
　?。?３.５　ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
　?。?３.６　關(guān)斷過程３９０
　?。?３.７　反向阻斷模式３９７
　參考文獻(xiàn)３９７
第１０章　功率器件的優(yōu)化和比較３９８
第１１章　碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用４２５
第１２章　專用碳化硅器件及應(yīng)用４６６
附錄４９０
　附錄Ａ?。矗龋樱椋弥械牟煌耆s質(zhì)電離４９０
　參考文獻(xiàn)４９４
　附錄Ｂ　雙曲函數(shù)的性質(zhì)４９４
　附錄Ｃ　常見ＳｉＣ多型體主要物理性質(zhì)４９７
　　Ｃ.１　性質(zhì)４９７ 　
?。?２　主要物理性質(zhì)的溫度和／或摻雜特性４９８
　參考文獻(xiàn)４９９