電路板圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)與應(yīng)用

目錄
前言
第1章 液態(tài)油墨與干膜
1.1 液態(tài)油墨 2
1.2 電路板用液態(tài)油墨的分類 2
1.3 液態(tài)感光油墨與阻焊油墨的特性要求 3
1.4 干膜型光致抗蝕劑 5
1.5 負像型干膜與正像型抗蝕劑的區(qū)別 6
1.6 液態(tài)光致抗蝕劑的應(yīng)用 10
1.7 干膜的結(jié)構(gòu) 11
第2章 電路板制作工藝
2.1 電路板線路制作 14
2.2 電路板導(dǎo)通孔制作 16
第3章 孔金屬化工藝
3.1 關(guān)鍵影響因素 18
3.2 直接電鍍技術(shù) 18
3.3 避免金屬化空洞問題的方法 20
3.4 小結(jié) 26
第4章 銅面及基材特性對圖形轉(zhuǎn)移的影響
4.1 介質(zhì)材料的構(gòu)建 28
4.2 銅面的處理 28
第5章 貼膜前的金屬表面處理
5.1 關(guān)鍵影響因素 36
5.2 處理效果與影響 36
5.3 表面處理與結(jié)合力的一般性考慮 37
5.4 銅面狀態(tài)與接觸面積 38
5.5 銅面狀態(tài)的磨刷改性 40
5.6 銅面處理工藝的選擇 40
5.7 銅面的化學成分 41
5.8 質(zhì)量檢驗 45
5.9 各種表面處理工藝 45
5.10 表面處理注意事項 53
第6章 貼膜
6.1 關(guān)鍵影響因素 56
6.2 貼膜工藝 57
6.3 貼膜缺陷 60
第7章 蓋孔
7.1 關(guān)鍵影響因素 64
7.2 工藝經(jīng)濟性及地區(qū)性差異 64
7.3 蓋孔蝕刻工藝 65
7.4 蓋孔作業(yè)的缺陷模式 67
7.5 使用前的蓋孔能力測試及評估 68
第8章 底片
8.1 關(guān)鍵影響因素 70
8.2 底片的制作與使用 70
8.3 膠卷型底片的特性 71
8.4 各種底片的結(jié)構(gòu)及光化學反應(yīng) 72
8.5 底片的質(zhì)量 75
8.6 底片工藝的說明 76
8.7 底片的制作與使用 76
8.8 尺寸穩(wěn)定性 77
第9章 曝光
9.1 主要影響因素 80
9.2 曝光能量檢測 81
9.3 曝光設(shè)備 84
9.4 線路對位精度 86
9.5 接觸式曝光的問題 87
9.6 圖形轉(zhuǎn)移的無塵室 92
9.7 直接成像（DI） 94
9.8 其他接觸式曝光替代技術(shù) 106
第10章 曝光對位問題的判定與應(yīng)對
10.1 對位問題概述 108
10.2 典型的對位偏差模式 110
10.3 自動曝光對位偏差問題的分析與應(yīng)對 111
10.4 對位偏差案例分析 112
10.5 小結(jié) 116
第11章 顯影
11.1 關(guān)鍵影響因素 118
11.2 曝光后的停留時間 119
11.3 提高藥液的曝光選擇性 119
11.4 負像型水溶性干膜的基礎(chǔ)知識 120
11.5 水溶性顯影液的化學特性 120
11.6 顯影槽中的噴流機構(gòu) 121
11.7 水洗的功能與影響 123
11.8 顯影后的干膜干燥 124
11.9 液態(tài)光致抗蝕劑顯影 124
第12章 電鍍
12.1 關(guān)鍵影響因素 132
12.2 酸性鍍銅 133
12.3 電鍍錫鉛 137
12.4 電鍍純錫 138
12.5 電鍍鎳 138
12.6 電鍍金 139
12.7 改善鍍層均勻性 140
12.8 進一步了解有機添加劑 141
12.9 電鍍問題與處理 145
第13章 蝕刻
13.1 關(guān)鍵影響因素 156
13.2 干膜的選擇 157
13.3 酸性蝕刻的均勻性 157
13.4 干膜狀態(tài)與蝕刻效果的關(guān)系 158
13.5 蝕刻因子的挑戰(zhàn) 159
13.6 蝕刻液體系 160
13.7 蝕刻工藝與設(shè)備 160
13.8 圖形轉(zhuǎn)移、蝕刻及蓋孔蝕刻的殘銅問題 170
第14章 水溶性干膜的退膜
14.1 關(guān)鍵影響因素 176
14.2 退膜工藝與化學反應(yīng) 177
14.3 廢棄物處理 181
第15章 水質(zhì)的影響
附錄 圖形轉(zhuǎn)移工藝特性參數(shù)
附錄1 銅面處理的主要特性參數(shù) 188
附錄2 貼膜的主要特性參數(shù) 189
附錄3 曝光的主要特性參數(shù) 191
附錄4 顯影的主要特性參數(shù) 192
附錄5 酸性電鍍的主要特性參數(shù) 193
附錄6 蝕刻的主要特性參數(shù) 194
附錄7 退膜的主要特性參數(shù) 196