晶體生長中輸運(yùn)現(xiàn)象及晶體缺陷

目錄
序一
序二
序三
前言
第1章 引論 1
1.1 背景介紹 1
1.1.1 晶體的用途 1
1.1.2 研究的意義 4
1.2 典型的晶體生長技術(shù) 6
1.2.1 塊狀晶體生長技術(shù) 6
1.2.2 薄膜晶體生長技術(shù) 12
1.3 晶體生長數(shù)值研究的狀況 13
1.4 本書的內(nèi)容安排 14
參考文獻(xiàn) 15
第2章 晶體生長原理 19
2.1 相變熱力學(xué)原理 19
2.1.1 固/液相平衡及相圖 19
2.1.2 相圖與晶體生長 22
2.2 生長界面與晶體缺陷 23
2.2.1 生長界面的演化 23
2.2.2 生長界面與晶體缺陷 24
2.2.3 生長界面臨界速度 27
2.3 晶體成品檢測 29
2.4 晶體制備系統(tǒng)優(yōu)化的任務(wù) 37
參考文獻(xiàn) 38
第3章 晶體生長中的流動(dòng)與傳熱 40
3.1 流動(dòng)類型 40
3.2 傳熱模式 42
3.2.1 傳熱基本模式 42
3.2.2 熱輻射理論 44
3.2.3 輻射模型的適用性 47
3.2.4 輻射與生長界面.50
3.3 常用熱物性參數(shù) 51
3.4 湍流流動(dòng)與傳熱 59
參考文獻(xiàn) 60
第4章 計(jì)算流體力學(xué)基礎(chǔ) 62
4.1 計(jì)算流體力學(xué)的發(fā)展 62
4.2 控制方程與邊界條件 63
4.2.1 流動(dòng)與傳熱方程組 63
4.2.2 組分輸運(yùn)方程 64
4.2.3 邊界條件 66
4.3 控制方程的離散與求解 68
4.4 傳統(tǒng)SIMPLE方法 71
4.5 網(wǎng)格劃分和處理方法 73
4.5.1 正交網(wǎng)格 73
4.5.2 廣義曲線坐標(biāo)系中的控制方程 78
4.5.3 曲線有限體積SIMPLER算法 82
4.6 其他網(wǎng)格技術(shù) 84
4.6.1 結(jié)構(gòu)網(wǎng)格 84
4.6.2 有限元分析 86
4.6.3 無網(wǎng)格技術(shù) 87
參考文獻(xiàn) 88
第5章 晶體生長中的傳質(zhì)與化學(xué)反應(yīng) 90
5.1 溶質(zhì)輸運(yùn)與分凝 90
5.2 化學(xué)反應(yīng) 97
5.2.1 化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)基礎(chǔ) 98
5.2.2 體積氣相反應(yīng) 100
5.2.3 表面固相反應(yīng) 101
5.3 與組分相關(guān)的晶體缺陷 102
參考文獻(xiàn) 103
第6章 熱應(yīng)力及相關(guān)缺陷 105
6.1 熱應(yīng)力產(chǎn)生機(jī)制 105
6.2 熱應(yīng)力的物理模型 105
6.2.1 彈性常數(shù)矩陣轉(zhuǎn)換 106
6.2.2 熱應(yīng)變矢量轉(zhuǎn)換 109
6.2.3 熱場與應(yīng)力場耦合問題 110
6.3 熱應(yīng)力計(jì)算模型及應(yīng)用 111
6.4 與應(yīng)力相關(guān)的晶體缺陷 113
6.4.1 位錯(cuò) 113
6.4.2 開裂 115
參考文獻(xiàn) 118
第7章 塊狀晶體生長研究 119
7.1 多晶硅鑄錠系統(tǒng)的研究和優(yōu)化 119
7.1.1 多晶硅研究現(xiàn)狀 119
7.1.2 多晶硅定向凝固系統(tǒng) 122
7.1.3 數(shù)學(xué)物理模型 124
7.1.4 多晶硅制備過程優(yōu)化 127
7.2 泡生法制備系統(tǒng)的研究和優(yōu)化 141
7.2.1 藍(lán)寶石研究現(xiàn)狀 141
7.2.2 泡生法單晶生長系統(tǒng) 144
7.2.3 數(shù)學(xué)物理模型 145
7.2.4 計(jì)算結(jié)果分析 149
7.3 提拉法制備系統(tǒng)的研究和優(yōu)化 163
7.3.1 工藝參數(shù)的影響 164
7.3.2 工藝參數(shù)綜合評(píng)估 167
7.3.3 包裹體雜質(zhì)研究 169
7.4 內(nèi)部熱輻射的影響 173
7.4.1 內(nèi)部熱輻射與凝固界面 173
7.4.2 內(nèi)部熱輻射與雜質(zhì)缺陷 175
7.5 塊狀晶體研究總結(jié) 179
參考文獻(xiàn) 180
第8章 薄膜晶體生長研究 184
8.1 氮化鎵薄膜晶體介紹 184
8.2 氮化鎵薄膜制備實(shí)驗(yàn) 186
8.2.1 MOCVD的基本原理和系統(tǒng)組成 186
8.2.2 MOCVD反應(yīng)器的分類 188
8.2.3 薄膜缺陷的實(shí)驗(yàn)研究 189
8.2.4 外延片的生長均勻性 197
8.3 薄膜制備過程數(shù)學(xué)模型 204
8.3.1 模型假設(shè)與簡化 204
8.3.2 控制方程與邊界條件 204
8.3.3 簡化化學(xué)反應(yīng)模型 207
8.4 薄膜制備過程的研究 208
8.4.1 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 208
8.4.2 反應(yīng)器幾何模型與基準(zhǔn)條件 211
8.4.3 幾何結(jié)構(gòu)的影響 215
8.4.4 工藝參數(shù)的影響 226
8.5 薄膜應(yīng)力分析 234
8.5.1 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 234
8.5.2 與應(yīng)力相關(guān)的溫度場 234
8.5.3 薄膜應(yīng)力分析 248
8.6 薄膜反應(yīng)器的優(yōu)化設(shè)計(jì) 259
8.6.1 評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)與優(yōu)化方案 259
8.6.2 氣體分隔入口的影響 261
8.6.3 熱部件的研究與優(yōu)化 263
8.6.4 三維效應(yīng)研究 281
8.7 薄膜晶體研究總結(jié) 284
參考文獻(xiàn) 285
第9章 晶體缺陷和熱物性的微觀研究 289
9.1 分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理介紹 289
9.1.1 分子動(dòng)力學(xué)模擬方法 289
9.1.2 第一性原理簡介 295
9.2 微裂紋的研究 298
9.2.1 薄膜開裂臨界厚度分析 301
9.2.2 晶面的表面能及斷裂韌性 302
9.2.3 小角度晶界的表面能及斷裂韌性 307
9.2.4 臨界生長厚度和開裂演化模式 312
9.3 位錯(cuò)的形成及演化 315
9.3.1 位錯(cuò)的演化 316
9.3.2 位錯(cuò)的活化能 319
9.3.3 位錯(cuò)形核及運(yùn)動(dòng) 328
9.4 第一性原理及熱物性計(jì)算 331
9.4.1 熱學(xué)性質(zhì)計(jì)算分析 331
9.4.2 單層薄膜導(dǎo)熱系數(shù)計(jì)算中的勢函數(shù) 334
9.4.3 勢函數(shù)的擬合方法 337
9.4.4 勢函數(shù)的評(píng)價(jià) 339
9.5 本章小結(jié) 345
參考文獻(xiàn) 347