電子材料與器件實(shí)驗(yàn)

第一部分 基礎(chǔ)性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)一 四探針法測(cè)量半導(dǎo)體電阻率
實(shí)驗(yàn)二 橢圓偏振法測(cè)量薄膜厚度和折射率
實(shí)驗(yàn)三 激光測(cè)定單晶硅的晶向
實(shí)驗(yàn)四 熒光分光光度計(jì)測(cè)試半導(dǎo)體光致發(fā)光
實(shí)驗(yàn)五 紫外一可見分光光度計(jì)測(cè)試光譜
實(shí)驗(yàn)六 MOS結(jié)構(gòu)的高頻電容一電壓特性測(cè)試
實(shí)驗(yàn)七 半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)和電阻率
實(shí)驗(yàn)八 半導(dǎo)體材料的塞貝克系數(shù)測(cè)定
實(shí)驗(yàn)九 光刻工藝
第二部分 提高性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)十 肖特基二極管的伏安特性測(cè)量
實(shí)驗(yàn)十一 電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備硅基薄膜
實(shí)驗(yàn)十二 射頻濺射法沉積氧化物薄膜
實(shí)驗(yàn)十三 熱絲化學(xué)氣相沉積制備非晶碳基薄膜
實(shí)驗(yàn)十四 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能測(cè)定
實(shí)驗(yàn)十五 太陽能電池參數(shù)測(cè)定
第三部分 創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)十六 靜電紡絲制備半導(dǎo)體納米材料
實(shí)驗(yàn)十七 微弱電能信號(hào)的測(cè)量與收集
實(shí)驗(yàn)十八 光化學(xué)電池型自供能紫外探測(cè)器
實(shí)驗(yàn)十九 鋰離子電池的組裝與性能
實(shí)驗(yàn)二十 超級(jí)電容器的性能測(cè)量
實(shí)驗(yàn)二十一 納米氧化物半導(dǎo)體材料TiO3光催化性能
實(shí)驗(yàn)二十二 氣敏傳感器的組裝與性能