電子材料與器件實(shí)驗

第一部分 基礎(chǔ)性實(shí)驗
實(shí)驗一 四探針法測量半導(dǎo)體電阻率
實(shí)驗二 橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率
實(shí)驗三 激光測定單晶硅的晶向
實(shí)驗四 熒光分光光度計測試半導(dǎo)體光致發(fā)光
實(shí)驗五 紫外一可見分光光度計測試光譜
實(shí)驗六 MOS結(jié)構(gòu)的高頻電容一電壓特性測試
實(shí)驗七 半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)和電阻率
實(shí)驗八 半導(dǎo)體材料的塞貝克系數(shù)測定
實(shí)驗九 光刻工藝
第二部分 提高性實(shí)驗
實(shí)驗十 肖特基二極管的伏安特性測量
實(shí)驗十一 電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備硅基薄膜
實(shí)驗十二 射頻濺射法沉積氧化物薄膜
實(shí)驗十三 熱絲化學(xué)氣相沉積制備非晶碳基薄膜
實(shí)驗十四 場效應(yīng)晶體管的性能測定
實(shí)驗十五 太陽能電池參數(shù)測定
第三部分 創(chuàng)新性實(shí)驗
實(shí)驗十六 靜電紡絲制備半導(dǎo)體納米材料
實(shí)驗十七 微弱電能信號的測量與收集
實(shí)驗十八 光化學(xué)電池型自供能紫外探測器
實(shí)驗十九 鋰離子電池的組裝與性能
實(shí)驗二十 超級電容器的性能測量
實(shí)驗二十一 納米氧化物半導(dǎo)體材料TiO3光催化性能
實(shí)驗二十二 氣敏傳感器的組裝與性能