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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《微電子工藝技術(shù)與仿真》共8章，從微電子工藝的物理學(xué)、晶體學(xué)、器件基礎(chǔ)開(kāi)始，根據(jù)工藝的復(fù)雜程度深入淺出地介紹了晶圓材料的生長(zhǎng)與制備、氧化/擴(kuò)散工藝、光刻工藝、薄膜工藝、等離子工藝、工藝整合和太陽(yáng)能電池工藝。每章的編纂既體現(xiàn)了微電子工藝技術(shù)的科學(xué)性，又通過(guò)分析具體的工藝方法，體現(xiàn)了技術(shù)性。針對(duì)微電子工藝的實(shí)踐性要求，克服高校因經(jīng)費(fèi)問(wèn)題無(wú)法進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的不足，《微電子工藝技術(shù)與仿真》重點(diǎn)編撰了相關(guān)仿真內(nèi)容，通過(guò)仿真實(shí)例的設(shè)計(jì)與分析，讓學(xué)生對(duì)于微電子工藝的各個(gè)知識(shí)點(diǎn)有感性的認(rèn)識(shí)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《微電子工藝技術(shù)與仿真》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1．1 晶體學(xué)基礎(chǔ)
1．2 硅晶體結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1．3 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
1．4 半導(dǎo)體的基本器件
第2章晶體生長(zhǎng)
2．1 晶體生長(zhǎng)理論
2．2 硅材料
2．3 晶體的提拉制程
2．4 材料特征
2．5 仿真基礎(chǔ)
第3章氧化/擴(kuò)散工藝
3．1 擴(kuò)散原理
3．2 熱氧化
3．3 擴(kuò)散
3．4 仿真
第4章光刻工藝
4．1 涂膠工藝
4．2 曝光工藝
4．3 顯影工藝
4．4 濕法刻蝕
4．5 濕法刻蝕仿真
第5章薄膜淀積
5．1 化學(xué)氣相淀積
5．2 物理氣相淀積
5．3 外延生長(zhǎng)
5．4 仿真基礎(chǔ)
第6章等離子體工藝
6．1 等離子體
6．2 離子注入系統(tǒng)
6．3 離子分布與阻滯
6．4 離子注入損傷與退火
6．5 離子注入工藝
6．6 離子刻蝕
6．7 等離子體刻蝕工藝
6．8 仿真基礎(chǔ)
第7章工藝整合
7．1 凈化室
7．2 微電子工藝流程簡(jiǎn)介
7．3 晶體管制造技術(shù)
7．4 金屬化工藝
7．5 鈍化工藝
7．6 PN結(jié)
7．7 雙極型晶體管
7．8 CMOS電路
第8章太陽(yáng)能電池
8．1 工作原理
8．2 影響太陽(yáng)能電池效率的因素
8．3 多晶體硅太陽(yáng)能電池工藝
8．4 黑硅太陽(yáng)能電池制備
8．5 太陽(yáng)能電池仿真
參考文獻(xiàn)