低維過渡金屬硫?qū)倩衔锏碾娮有再|(zhì)及調(diào)控

目 錄
第1章 緒論\t1
1．1 Free Standing的二維材料\t1
1．1．1 石墨烯簡介\t1
1．1．2 氮化硼（BN）的研究\t2
1．1．3 二維硫?qū)倩衔锏姆诸惣敖Y(jié)構(gòu)\t3
1．1．4 其他二維材料\t4
1．2 二維硫?qū)倩衔锊牧系闹苽浼皯?yīng)用\t5
1．2．1 二維硫?qū)倩衔锛{米材料的制備\t5
1．2．2 二維硫?qū)倩衔锛{米材料的應(yīng)用\t8
1．3 二維過渡金屬硫?qū)倩衔镄再|(zhì)的實驗研究\t11
1．3．1 力學(xué)性質(zhì)\t11
1．3．2 光學(xué)性質(zhì)\t13
1．4 二維過渡金屬硫?qū)倩系牡谝恍栽碛嬎鉢t14
1．4．1 電子結(jié)構(gòu)\t14
1．4．2 聲子結(jié)構(gòu)\t15
1．4．3 磁性特征\t15
1．4．4 外加應(yīng)力和電場的作用\t16
1．4．5 合金（Alloys）材料\t18
1．4．6 異質(zhì)結(jié)構(gòu)和復(fù)合材料\t18
1．4．7 界面特性\t19
1．5 尋找新的二維材料\t20
參考文獻(xiàn)\t21
第2章 理論方法和計算軟件\t27
2．1 密度泛函理論\t27
2．1．1 絕熱近似\t27
2．1．2 Hartree-Fock近似\t29
2．1．3 Thomas-Fermi-Dirac理論\t30
2．1．4 Hohenberg-Kohn定理\t31
2．1．5 自洽Kohn-Sham方程\t32
2．1．6 交換關(guān)聯(lián)泛函\t35
2．2 計算軟件簡介\t37
參考文獻(xiàn)\t37
第3章 應(yīng)力對二維過渡金屬硫?qū)倩衔锛{米膜電子結(jié)構(gòu)的影響\t41
3．1 引言\t41
3．2 平面雙軸應(yīng)力對多層MX2的影響\t42
3．2．1 計算方法和模型\t42
3．2．2 結(jié)果和討論\t44
3．3 垂直壓應(yīng)力對多層MX2的影響\t48
3．3．1 計算方法和模型\t48
3．3．2 結(jié)果和討論\t49
3．4 本章小結(jié)\t52
參考文獻(xiàn)\t53
第4章 過渡金屬硫?qū)倩衔锂愘|(zhì)結(jié)的電子性質(zhì)及調(diào)控\t55
4．1 引言\t55
4．2 計算模型和方法\t56
4．2．1 計算模型\t56
4．2．2 計算方法\t56
4．3 平衡狀態(tài)下異質(zhì)結(jié)的電子結(jié)構(gòu)\t57
4．3．1 最優(yōu)幾何結(jié)構(gòu)\t57
4．3．2 電子結(jié)構(gòu)\t58
4．4 面內(nèi)雙軸應(yīng)力對異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控\t59
4．5 法向壓應(yīng)力對異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控\t62
4．6 本章小結(jié)\t64
參考文獻(xiàn)\t64
第5章 過渡金屬硫?qū)倩衔锛{米膜超晶格量子阱特性研究\t67
5．1 引言\t67
5．2 計算模型和方法\t69
5．2．1 計算模型\t69
5．2．2 計算方法\t69
5．3 超晶格的最優(yōu)結(jié)構(gòu)及穩(wěn)定性\t72
5．3．1 超晶格的最優(yōu)結(jié)構(gòu)\t72
5．3．2 超晶格的穩(wěn)定性\t73
5．4 量子阱的形成及其電子結(jié)構(gòu)特征\t74
5．4．1 量子阱的形成\t74
5．4．2 MoS2/WSe2量子阱的能帶結(jié)構(gòu)特征\t76
5．4．3 界面間的電荷轉(zhuǎn)移情況\t79
5．5 應(yīng)力對量子阱的影響\t79
5．6 2MoS2/2WSe2量子阱特性\t81
5．7 本章小結(jié)\t83
參考文獻(xiàn)\t84
第6章 MoS2基面內(nèi)超晶格的電子性質(zhì)及調(diào)控\t87
6．1 引言\t87
6．2 計算模型和方法\t88
6．2．1 計算模型\t88
6．2．2 計算方法\t88
6．3 面內(nèi)超晶格的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性\t89
6．4 面內(nèi)超晶格的電子性質(zhì)\t90
6．5 面內(nèi)雙軸應(yīng)力對超晶格電子性質(zhì)的調(diào)控\t91
6．6 本章小結(jié)\t95
參考文獻(xiàn)\t96
第7章 SiO2襯底對單層MoS2電子性質(zhì)的影響\t99
7．1 引言\t99
7．2 計算模型和方法\t99
7．2．1 計算模型\t99
7．2．2 計算方法\t100
7．3 MoS2/SiO2結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性\t100
7．4 MoS2/SiO2的電子結(jié)構(gòu)\t102
7．5 本章小結(jié)\t105
參考文獻(xiàn)\t105
第8章 LiNbO3襯底對單層和雙層MoSe2電子性質(zhì)的影響\t107
8．1 引言\t107
8．2 計算模型和方法\t107
8．2．1 計算模型\t107
8．2．2 計算方法\t108
8．3 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性\t109
8．4 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3的電子結(jié)構(gòu)\t110
8．5 本章小結(jié)\t113
參考文獻(xiàn)\t113