碳化硅\硅納米異質結陣列的制備和物性研究

前言
第1章 緒論
1．1 半導體材料的發(fā)展
1．2 SiC半導體的基本性質
1．3 SiC納米材料的研究
1．4 硅基復合體系
1．5 本書的研究內(nèi)容
第2章 SiC/Si-NPA納米復合體系的制備
2．1 引言
2．2 Si-NPA的制備和表征
2．3 SiC納米晶/Si-NPA的制備和表征
2．4 SiC納米線/Si-NPA的制備和表征
2．5 小結
第3章 SiC/Si-NPA的場致發(fā)射性能研究
3．1 引言
3．2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3．3 nw-SiC/ Si-NPA的場發(fā)射性能
3．4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的場發(fā)射性能
3．5 小結
第4章 SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能研究
4．1 引言
4．2 nw-SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能
4．3 nc-SiC/Si-NPA光致發(fā)光性能
4．4 小結
第5章 SiC/Si-NPA的氣體傳感性能研究
5．1 引言
5．2 SiC基氣體傳感器
5．3 SiC/Si-NPA氣體傳感器的制備
5．4 H2S氣體傳感器
5．5 濕度傳感器
5．6 小結
結論與展望
參考文獻
附錄