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內(nèi)容簡介

　　本書根據(jù)半導體技術的發(fā)展趨勢，主要介紹了常用的半導體微系統(tǒng)制造工藝，并加入了部分超大規(guī)模集成電路工藝。本書在半導體微系統(tǒng)制造工藝的基礎上主要介紹了MEMS及微系統(tǒng)常用材料、硅的各向同性腐蝕、陽極腐蝕、硅的各向異性腐蝕、電鈍化腐蝕、自停止腐蝕技術、非晶薄膜的腐蝕與表面微加工、靜電鍵合技術、硅熱鍵合技術、超大規(guī)模集成電路工藝、摻雜工藝、平坦化等幾個主要半導體微系統(tǒng)制造工藝，具體到每一道工藝中都詳細講述了工藝的基本原理、工藝的操作過程，力求把當前比較新的工藝介紹給讀者。本書主要供高等院校微電子科學與工程專業(yè)的高年級本科生或研究生學習，也可以作為從事半導體微系統(tǒng)制造工作的工程技術人員自學或進修的參考書。為方便教學，本書配有免費電子課件、習題答案、模擬試卷及答案等，凡選用本書作為授課教材的學校，均可來電或郵件索取，有任何技術問題也可通過以上方式聯(lián)系。

作者簡介

暫缺《半導體微系統(tǒng)制造技術》作者簡介

圖書目錄

前言
第1章MEMS及微系統(tǒng)常用材料
1.1襯底和晶片
1.1.1硅材料
1.1.2硅化合物
1.1.3化合物半導體材料
1.2壓電材料
1.2.1壓電效應
1.2.2石英晶體
1.2.3壓電陶瓷
1.2.4聚偏二氟乙烯薄膜
1.2.5 Zn0壓電薄膜
1.3其他材料
1.3.1磁致伸縮材料
1.3.2形狀記憶合金
1.3.3膨脹合金
1.3.4金剛石材料
本章小結(jié)
習題
第2章硅的各向同性腐蝕
2.1各向同性腐蝕原理
2.2影響各向同性腐蝕的因素
2.2.1 溫度的影響
2.2.2腐蝕液成分的影響
2.2.3成分配比對硅腐蝕形貌及角、棱的影響
2.3各向同性自停止腐蝕
本章小結(jié)
習題
第3章陽極腐蝕
3.1陽極腐蝕原理
3.2影響陽極腐蝕的因素
3.2.1摻雜濃度的影響
3.2.2外部電壓及HF濃度的影響
3.3采用陽極腐蝕的自停止腐蝕方法
本章小結(jié)
習題
第4章硅的各向異性腐蝕
第5章電鈍化腐蝕
第6章自停止腐蝕技術
第7章非晶薄膜的腐蝕與表面微加工
第8章靜電鍵合技術
第9章硅熱鍵合技術
第10章超大規(guī)模集成電路工藝
第11章?lián)诫s工藝
第12章平坦化
參考文獻