基于ANSYS的信號(hào)和電源完整性設(shè)計(jì)與分析

第1章 信號(hào)完整性
1．1 信號(hào)完整性的要求及問(wèn)題的產(chǎn)生
1．2 信號(hào)完整性問(wèn)題的分類
1．3 傳輸線基礎(chǔ)理論
1．4 端接電阻匹配方式
1．5 仿真模型
1．6 S參數(shù)
1．7 電磁場(chǎng)求解方法
第2章 HDMI的仿真與測(cè)試
2．1 HDMI簡(jiǎn)介
2．2 HDMI信號(hào)完整性前仿真分析
2．3 HDMI信號(hào)完整性后仿真分析
2．3．1 切割TMDS差分線
2．3．2 頻域分析
2．3．3 時(shí)域分析
2．3．4 差分對(duì)匹配
2．3．5 實(shí)測(cè)對(duì)比
2．4 本章小結(jié)
第3章 PCIE仿真與測(cè)試
3．1 PCIE簡(jiǎn)介
3．2 SIwave提取傳輸線S參數(shù)
3．2．1 運(yùn)行SIwave
3．2．2 確認(rèn)檢查
3．2．3 分割差分線區(qū)域
3．2．4 自動(dòng)端口生成
3．2．5 全局設(shè)置及仿真
3．2．6 計(jì)算S、Y、Z參數(shù)
3．2．7 導(dǎo)出S參數(shù)
3．3 差分對(duì)建模仿真分析
3．3．1 創(chuàng)建項(xiàng)目
3．3．2 設(shè)置求解類型
3．3．3 設(shè)置模型單位
3．3．4 創(chuàng)建差分線模型
3．4 在Designer中聯(lián)合仿真
3．4．1 添加IBIS模型
3．4．2 導(dǎo)入HFSS文件（差分線模型、過(guò)孔模型、連接器模型）
3．4．3 放置元件
3．5 PCIE的仿真與實(shí)測(cè)對(duì)比
3．5．1 測(cè)試環(huán)境與儀器介紹
3．5．2 仿真與實(shí)測(cè)對(duì)比
3．6 本章小結(jié)
第4章 SFP+高速通道的仿真與測(cè)試
4．1 SFP+簡(jiǎn)介
4．2 SFP+通道仿真
4．2．1 轉(zhuǎn)換Brd文件到ANF文件
4．2．2 切割評(píng)估板
4．2．3 使用SIwave自動(dòng)創(chuàng)建Port
4．2．4 模型檢查
4．2．5 仿真設(shè)置
4．2．6 查看仿真結(jié)果
4．2．7 查看差分參數(shù)
4．2．8 導(dǎo)出s4p參數(shù)模型
4．3 系統(tǒng)級(jí)頻域S參數(shù)仿真
4．3．1 添加S參數(shù)模型
4．3．2 添加頻率掃描
4．3．3 查看仿真結(jié)果
4．4 TDR仿真
4．4．1 添加參數(shù)模型
4．4．2 建立瞬態(tài)分析
4．4．3 創(chuàng)建結(jié)果報(bào)告
4．5 時(shí)域眼圖仿真
4．5．1 輸入AMI模型
4．5．2 設(shè)置AMI模型
4．5．3 仿真設(shè)置
4．5．4 查看眼圖
4．5．5 添加眼罩
4．6 SFP+通道實(shí)際測(cè)試
4．7 本章小結(jié)
第5章 并行通道DDR3仿真與分析
5．1 DDR3簡(jiǎn)介
5．2 使用SIwave提取DDR3數(shù)據(jù)組
5．3 基于Designer的SI仿真
5．3．1 新建工程
5．3．2 選擇器件
5．3．3 運(yùn)行分析
5．4 DDR的SI+PI仿真
5．4．1 眼圖分析
5．4．2 SSN分析
5．4．3 選取更多頻率點(diǎn)的分析
5．5 IR drop仿真
5．5．1 SIwave IR壓降檢查
5．5．2 IR壓降仿真
5．6 2．5維、三維模型在信號(hào)完整性中的對(duì)比分析
5．7 本章總結(jié)
第6章 電源完整性問(wèn)題
6．1 電源完整性概述
6．2 電源噪聲形成機(jī)理及危害
6．3 VRM模塊
6．4 電容去耦原理
6．4．1 從儲(chǔ)能角度來(lái)理解
6．4．2 從阻抗角度來(lái)理解
6．5 PDS阻抗分析
6．5．1 PDS簡(jiǎn)介
6．5．2 PCB PDS仿真
6．6 PCB諧振仿真
6．6．1 諧振簡(jiǎn)介
6．6．2 PCB諧振仿真
6．6．3 去耦電容容值估算
6．6．4 兩種去耦電容配置方法
6．6．5 PCB諧振優(yōu)化
6．7 傳導(dǎo)干擾和電壓噪聲測(cè)量
6．8 直流壓降分析
6．9 串行通道的SSN分析
6．10 DDR3的同步開(kāi)關(guān)噪聲分析
6．10．1 “Stratix IV GX FPGA Development Board”電路板簡(jiǎn)介
6．10．2 SIwave提取傳輸線S參數(shù)
6．10．3 在Designer中進(jìn)行DDR的SSN分析
6．11 本章小結(jié)
第7章 輻射分析
7．1 電磁兼容概述
7．2 電磁兼容相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
7．3 電磁干擾方式
7．3．1 差模輻射
7．3．2 共模輻射
7．4 輻射仿真與分析
7．5 本章小結(jié)
第8章 信號(hào)完整性問(wèn)題的場(chǎng)路協(xié)同仿真
8．1 SMA串行通道仿真
8．1．1 Stratix V GX信號(hào)完整性開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介
8．1．2 從Cadence導(dǎo)入SIwave
8．1．3 在SIwave中進(jìn)行SMA通道仿真
8．2 SMA建模
8．2．1 PCB的切割
8．2．2 建立基座和同軸線纜
8．2．3 添加Wave Port
8．2．4 仿真設(shè)置
8．2．5 查看仿真結(jié)果
8．3 Designer對(duì)整個(gè)高速互連通道進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
8．3．1 導(dǎo)入?yún)?shù)模型
8．3．2 設(shè)置仿真參數(shù)和查看仿真結(jié)果
8．3．3 TDR仿真
8．3．4 時(shí)域眼圖分析
8．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)