半導體激光器能帶結構和光增益的量子理論（下冊）

總序 第2章 半導體能帶之間的躍遷 2．3 光躍遷的量子力學 2．3．3 連續(xù)能態(tài)在能級躍遷中的作用 2．3．4 帶內弛豫及其譜線展寬 2．3．5 量子阱結構的帶間光躍遷譜 2．3．6 光躍遷動量矩陣元的計算 2．3．7 間接帶隙半導體的帶間光躍遷 2．3．8 與雜質有關的光躍遷一無七選擇定則 2．3．9 能帶的非拋物性及其影響 2．3．10 多體相互作用的能帶隙重整化 2．3．11 量子阱中的能帶混合效應及其影響 2．3．12 大應變對增益的影響 2．3．13 應變程度的極限 2．3．14 量子阱微分增益及其作用 2．3．15 折射率（勢壘）漸變分別限制量子阱的增益 2．3．16 量子阱激光器的激射閾值 2．4 溫度對閾值的影響——％問題 2．4．1 總論 2．4．2 俄歇復合過程的量子理論 2．4．3 價帶間光吸收過程 2．4．4 溫度對光增益譜的影響 2．4．5 數(shù)值結果與討論． 第3章 半導體帶內能態(tài)之間的躍遷和量子光學 3．1 量子阱中的子帶間光躍遷 3．1．1 子帶間光吸收 3．1．2 子帶間光發(fā)射 3．1．3 QCL能譜和波函數(shù)設計 3．2 量子阱中電子子帶能級的壽命時間 3．2．1 決定能級壽命的散射過程 3．2．2 量子阱結構中載流子的非平衡收集過程 3．3 輻射的全量子理論和半經典理論的極限 3．3．1 輻射及其波粒二重性 3．3．2 輻射場的量子化 3．3．3 輻射的吸收和發(fā)射 3．3．4 相干函數(shù) 3．3．5 相干態(tài) 3．3．6 半經典理論和量子電動力學 3．3．7 量子力學的基本公設、表象與圖像 附錄A 數(shù)值計算分析的編程 A-1 函數(shù)值的計算分析和二維繪圖 A-2 方程求解、函數(shù)計算和繪圖 A-3 三維繪圖 附錄B 基本物理常數(shù)的數(shù)值和單位量綱 索引