新型阻變存儲技術(shù)

目 錄
《納米科學(xué)與技術(shù)》叢書序
前言
第1章緒論 1
1. 1非易失性存儲器發(fā)展歷程 1
1.2存儲器發(fā)展趨勢 6
1.2.1分立電荷存儲器 6
1-2.2鐵電存儲器 7
1.2.3磁性存儲器 7
1.2.4相變存儲器 8
1 .2.5 阻變存儲器 9
1 .3阻變存儲器發(fā)展歷程 9
參考文獻 1 1
第2章阻變材料 1 4
2. 1無機阻變材料 1 4
2. 1 . 1 二元氧化物阻變材料 1 4
2. 1 .2復(fù)雜氧化物阻變材料 1 9
2. 1 .3固態(tài)電解質(zhì)材料 22
2.2有機阻變材料 26
2.2. 1小分子功能層材料 27
2.2.2聚合物功能層材料 29
2.2.3施主受主復(fù)合型功能層材料 3 1
2.2.4納米顆?；旌象w功能層材料 33
2.3 納米阻變材料 37
2. 3. 1 阻變納米線 37
2.3.2 其他納米阻變材料 44
參考文獻 49
第3章阻變存儲器器件結(jié)構(gòu) 6 1
3. 1 兩端 RRAM 61
3.1.1 “三明治”結(jié)構(gòu) 61
3.1.2 crossbar 結(jié)構(gòu) 63
3.1.3 via-hole 結(jié)構(gòu) 66
3.1. 4原子開關(guān)結(jié)構(gòu) 68
3.1. 5平面兩端結(jié)構(gòu) 69
3. 1. 6側(cè)邊接觸結(jié)構(gòu) 73
3.2 三端 RRAM 74
3.3 四端 RRAM 76
參考文獻 79
第4章電阻轉(zhuǎn)變機制 82
4.1電化學(xué)金屬化機制 83
4.1.1電化學(xué)金屬化理論 83
4.1.2導(dǎo)電細絲生長和破滅的動態(tài)過程 84
4.2化學(xué)價變化機制 91
4.2.1化學(xué)價變化機制引起的界面勢全調(diào)制 92
4.2.2化學(xué)價變化機制引起的導(dǎo)電細絲生長和破滅 93
4.2.3導(dǎo)電細絲生長和破滅的動態(tài)過程 96
4.3熱化學(xué)機制 97
4.3.1熔絲與反熔絲模型 98
4.3.2焦耳熱RESET模型 100
4.3.3焦耳熱引起的閾值轉(zhuǎn)變現(xiàn)象 101
4.4 靜電/電子機制 102
4.4.1空間電荷限制模型 102
4.4.2 Frenkel-Poole 發(fā)射模型 104
4.4.3 SV 模型 105
參考文獻 108
第5章阻變存儲器物理模型 111
5. 1阻變存儲器阻變模型 111
5. 1. 1模型的發(fā)展狀況與分類 111
5.1.2連續(xù)介質(zhì)模型 113
5.1.3隨機模型 120
5.2第一性原理計算 127
5.2.1單個氧空位的計算 128
5.2.2氧空位的形成能 129
5 .2.3 摻雜效應(yīng) 133
5 .2.4 導(dǎo)電細絲的結(jié)構(gòu)預(yù)測 13 5
參考文獻 136
第6章電阻轉(zhuǎn)變統(tǒng)計研究 140
6.1電阻轉(zhuǎn)變統(tǒng)計的滲流解析模型 140
6.1.1 導(dǎo)電細絲形成和斷裂的本質(zhì) 141
6.1.2 SET/RESET 轉(zhuǎn)變的 cell 幾何模型 141
6.1.3 SET/RESET轉(zhuǎn)變動力學(xué)模型 143
6.1.4 SET/RESET電壓和電流統(tǒng)計實驗 145
6. 2轉(zhuǎn)變速度統(tǒng)計解析模型及轉(zhuǎn)變速度-干擾困境的快速預(yù)測 151
6.2.1 RRAM中的轉(zhuǎn)變速度-干擾困境問題 151
6.2.2 SET速度的統(tǒng)計與模型 151
6 .2.3恒壓模式預(yù)測速度-干擾困境的方法 152
6 .2.4電壓掃描模式快速預(yù)測速度-干擾困境的方法 153
6 .2.5電壓掃描模式下的速度-干擾問題設(shè)計空間 153
6 .3電阻轉(zhuǎn)變過程中導(dǎo)電細絲演化的統(tǒng)計分析 154
6 .3.1單極性VCM器件的RESET轉(zhuǎn)變的類型與細絲演化過程 155
6 .3.2 RESET過程中細絲電導(dǎo)演化的統(tǒng)計分析 15 6
6 .3.3連續(xù)電壓掃描RESET轉(zhuǎn)變中的電導(dǎo)演化的統(tǒng)計分析 158
6 .3.4 RESET轉(zhuǎn)變參數(shù)的分布規(guī)律 159
6 .3.5 RESET統(tǒng)計的蒙特卡羅模擬 1 6 3
6 . 4 電阻轉(zhuǎn)變中的量子化效應(yīng) 1 6 6
6 .4.1 VCM器件電阻轉(zhuǎn)變中的量子化效應(yīng) 1 6 7
6 .4.2 ECM器件電阻轉(zhuǎn)變中的量子化效應(yīng) 171
參考文獻 174

第.章阻變存儲器性能改善 179

7. 1材料優(yōu)化 179

7.1.1 電極材料優(yōu)化 179

7.1.2阻變功能層材料優(yōu)化 183

7.2 RRAM器件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化 191

7.2.1插層結(jié)構(gòu) 191

7.2.2 增強電極的局部電場 195

7.2.3器件尺寸微縮 197

7.3 RRAM器件操作方法優(yōu)化 198

7.3.1直流電流掃描的優(yōu)化方式 198

7.3.2恒定應(yīng)力預(yù)處理的優(yōu)化方式 201

7.3.3柵端電壓掃描的優(yōu)化方式 203

7.3.4 脈沖測試的優(yōu)化 205
參考文獻 207

第8章阻變存儲器集成 212

8. 1有源陣列結(jié)構(gòu) 212

8.2無源陣列結(jié)構(gòu) 222

8.2.1無源交叉陣列中的串擾現(xiàn)象 222

8.2.2 1D1R 結(jié)構(gòu) 224

8.2.3 1S1R 結(jié)構(gòu) 231

8.2.4 自整流RRAM結(jié)構(gòu) 234

8.3無源交叉陣列的讀寫操作 240

8.3.1 “寫，，操作 240

8.3.2 “讀，，操作 241

8.4三維集成結(jié)構(gòu) 243

8.4.1堆疊交叉陣列結(jié)構(gòu) 244

8.4.2垂直交叉陣列結(jié)構(gòu) 245

參考文獻 248

第9章阻變存儲器的電路應(yīng)用 252

9. 1緊湊模型 252

9.1.1基于金屬離子遷移動態(tài)機制的緊湊模型 252

9.1.2基于憶阻器理論的緊湊模型 253

9.1.3考慮正態(tài)分布偏差的RRAM緊湊模型 255

9.2 RRAM在FPGA領(lǐng)域中的應(yīng)用 257

9.2.1 FPGA 技術(shù)簡介 257

9.2.2傳統(tǒng)FPGA器件的結(jié)構(gòu) 258

9. 2. 3 基于 RRAM 的 FPGA 技術(shù) 260

9. 3 CMOL電路技術(shù) 265

9 .3.1 CMOL 電路介紹 265

9 .3.2 CMOL 電路結(jié)構(gòu) 265

9 .3.3 CMOLFPGA 結(jié)構(gòu) 267

9 . 3. 4 CMOL電路的邏輯功能 268

9 . 4憶阻器在神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用 270

9 .4.1憶阻器介紹 270

9 .4.2憶阻器的模型與機理 271

9 .4.3憶阻器在神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用 273

參考文獻 276

索引 280