模擬電路的ESD設計

第1章 引言
1.1 ESD軟件工具Prism中的模擬及數(shù)字部分的內容
1.2 重要的定義
1.2.1 ESD保護網(wǎng)絡
1.2.2 ESD箝位
1.2.3 最大限制的絕對值及脈沖SOA
1.2.4 ESD脈沖技術指標
1.2.5 擊穿及不穩(wěn)定性
引言的DECIMM TM仿真例子
第2章 擊穿及注入情形下半導體結構中的電導調制
2.1 重要的定義及限制
2.1.1 基本的半導體結構
2.1.2 電導調制及負微分電阻
2.1.3 空間電流的不穩(wěn)定性、絲狀電流形成及抑制
2.1.4 快返回工作
2.1.5 本章內容的方法要點
2.2 反向偏置p-n結的雪崩擊穿
2 2.1 雪崩擊穿現(xiàn)象的解析描述
2.2.2 p+一p-n結構中雪崩擊穿的數(shù)值分析
2.3 p-i-n結構中的雙雪崩注入
2.3.1 效應的解析描述
2 3.2 p-i-n二極管結構的解析描述
2.4 si n+一n-n+二極管結構中的雪崩注人
2.4.1 解析方法
2.4.2 仿真分析
2.5 n-p-n二極管結構中電導調制的不穩(wěn)定性
2.5.1 浮置基區(qū)中的電導調制：=極管I作模式
2.6 三極管n-p-n結構中的電導調制
2.6.1 基極接地UEB=O（BVCES）時的擊穿
2.6.2 發(fā)射極浮置IE=0時的情形
2.6.3 共發(fā)射極電路IB