TiO2納米管陣列的可控制備及氣敏性能研究

第1章 緒論
1.1 引言
1.1.1 納米材料概述
1.1.2 TiO2納米材料的物理化學性質(zhì)
1.1.3 一維納米TiO2材料的制備方法
1.2 陽極氧化TiO2納米管陣列的制備
1.2.1第一階段
1.2.2第二階段
1.2.3第三階段
1.2.4第四階段
1.3 陽極氧化TiO2納米管陣列的改性
1.3.1 金屬／非金屬離子摻雜
1.3.2 貴金屬顆粒修飾
1.3.3 窄禁帶半導體修飾
1.3.4 染料敏化
1.4 陽極氧化TiO2納米管陣列的應用
1.4.1 光催化降解有機污染物
1.4.2 染料敏化太陽能電池
1.4.3 光解水制氫
1.4.4 超級電容器
1.4.5 氣敏傳感材料
1.5 本論文的研究內(nèi)容及意義

第2章 常規(guī)陽極氧化法制備TiO2納米管陣列
2.1 引言
2.2 實驗材料及方法
2.2.1 實驗設備
2.2.2 實驗藥品
2.2.3 實驗方法
2.3 實驗結(jié)果與討論
2.3.1 TiO2納米管陣列薄膜表面形貌
2.3.2 氧化電壓對Ti0：納米管陣列形貌的影響
2.3.3 電解液濃度對TiO2納米管陣列形貌的影響
2.4 本章小結(jié)

第3章 快速陽極氧化法制備TiO2納米管陣列
3.1 引言-
3.2 實驗過程
3.2.1 前期探索實驗
3.2.2 快速陽極氧化實驗設計
3.2.3 快速陽極氧化實驗過程
3.3 實驗結(jié)果與討論
3.3.1 添加劑濃度的影響
3.3.2 陽極氧化時間的影響
3.3.3 陽極氧化電壓的影響
3.3.4 快速陽極氧化反應機理
3.4 本章小結(jié)

第4章 原位二次陽極氧化法制備TiO2納米管陣列
4.1 引言
4.1.1 金屬鈦片基底的表面SEM表征
4.1.2 TiO2納米管陣列薄膜背面FESEM表征
4.1.3 去除TiO2納米管陣列薄膜之后鈦片基底正面FESEM表征
4.2 實驗過程
4.2.1 常規(guī)二次陽極氧化制備TiO2納米管陣列
4.2.2 原位二次陽極氧化制備TiO2納米管陣列
4.3 實驗結(jié)果與討論
4.4 本章小結(jié)

第5章 Ag納米顆粒修飾TiO2納米管陣列
5.1 引言
5.2 實驗過程
5.3 實驗結(jié)果與討論
5.4 本章小結(jié)

第6章 TiO2納米管陣列的氣敏性能
6.1 引言
6.2 TiO2納米管陣列氣敏性能
6.3 TiO2納米管陣列氣敏機理
6.4 本章小結(jié)

第7章 全文總結(jié)與展望
7.1 全文總結(jié)
7.2 創(chuàng)新之處
7.3 工作展望
參考文獻