X光電子能譜及其應(yīng)用

第一章 X射線光電子能譜基礎(chǔ) 
1.1 X射線誘導引發(fā)的光電子能譜 
1.2 原子能級及其在XPS中的表示 
1.3 物質(zhì)表面的作用——原子激發(fā)及弛豫現(xiàn)象 
1.3.1 光電效應(yīng) 
1.3.2 光電離過程 
1.3.3 弛豫現(xiàn)象 
1.4 電子結(jié)合能及化學位移 
1.4.1 固體物質(zhì)的結(jié)合能 
1.4.2 金屬原子簇的結(jié)合能 
1.4.3 化學位移及其計算模型 
1.5 表面和表面分析的概況及發(fā)展 
第二章 儀器結(jié)構(gòu)及使用 
2.1 電子能譜儀的結(jié)構(gòu) 
2.1.1 超高真空系統(tǒng) 
2.1.2 光源 
2.1.3 電子能量分析器 
2.1.4 檢測器及數(shù)據(jù)分析系統(tǒng) 
2.1.5 其他元件 
2.2 光電子能譜儀的使用 
2.2.1 光電子能譜儀的基本工作原理 
2.2.2 光電子能譜儀的參數(shù)介紹 
2.2.3 光電子能譜儀的校正 
2.3 實驗樣品的制備及處理 
2.4 電子能譜儀概況及發(fā)展 
第三章 X射線引發(fā)的俄歇電子能譜 
3.1 俄歇電子的產(chǎn)生 
3.2 俄歇電子能譜 
3.3 俄歇電子的動能 
3.4 固體中俄歇電子的產(chǎn)生及其強度 
3.4.1 固體中的俄歇電子發(fā)射 
3.4.2 俄歇電子的強度 
3.5 XAES譜的應(yīng)用基礎(chǔ) 
第四章 X光電子能譜的定性與定量分析 
4.1 X光電子能譜的特性 
4.1.1 XPS譜圖的初級結(jié)構(gòu) 
4.1.2 XPS譜圖的次級結(jié)構(gòu) 
4.2 表面元素組成的確定 
4.2.1 全譜掃描 
4.2.2 窄區(qū)掃描 
4.3 元素化學態(tài)分析 
4.3.1 光電子譜線化學位移 
4.3.2 俄歇譜線化學位移和俄歇參數(shù) 
4.3.3 各種終態(tài)效應(yīng)分析 
4.3.4 譜線解疊 
4.4 元素組成的定量分析 
4.4.1 影響譜峰強度的因素 
4.4.2 本底扣除 
4.4.3 定量分析方法 
第五章 樣品組分深度剖析的方法 
5.1 結(jié)構(gòu)破壞性深度剖析法 
5.1.1 離子濺射深度剖析 
5.1.2 機械切削 
5.2 非結(jié)構(gòu)破壞性分析法 
5.2.1 變角XPS分析法 
5.2.2 分析深度隨電子動能及入射光電子能量的變化 
5.2.3 Tougaard深度剖析法 
第六章 小面積XPS及其成像 
6.1 小面積XPS 
6.1.1 小面積XPS原理 
6.1.2 小面積XPS的定位與對準 
6.1.3 小面積XPS的應(yīng)用 
6.2 成像XPS 
6.2.1 成像XPS原理 
6.2.2 成像XPS的實驗方法 
6.2.3 成像XPS的應(yīng)用 
第七章 X光電子能譜在材料化學中的應(yīng)用 
7.1 XPS在材料膜制備中的應(yīng)用 
7.2 XPS在納米材料方面的應(yīng)用 
7.3 XPS在聚合物材料研究開發(fā)中的應(yīng)用 
第八章 X光電子能譜在多相催化中的應(yīng)用 
8.1 XPS研究催化劑的活性中心 
8.2 XPS強度比法測定活性物質(zhì)在載體上的分散狀態(tài) 
8.3 XPS研究助劑與活性中心的相互作用 
第九章 XPS在其他領(lǐng)域的應(yīng)用 
9.1 XPS在煤樣分析中的應(yīng)用 
9.2 XPS在摩擦學研究中的應(yīng)用 
9.3 XPS在藥物分析中的應(yīng)用 
9.4 XPS在纖維分析中的應(yīng)用 
附錄