微光學(xué)和納米光學(xué)制造技術(shù)

譯者序
前言
第1章 面浮雕衍射光學(xué)元件
1．1 制造方法
1．2 周期和波長比
1．3 光柵形狀
1．4 深度優(yōu)化
1．5 錯位失對準
1．6 邊緣圓形化
1．7 幾何形狀偏離引起形狀雙折射光柵相位響應(yīng)的變化
1．8 表面紋理結(jié)構(gòu)
1．9 熔凝石英表面的紋理結(jié)構(gòu)
1．10 太陽電池的表面紋理結(jié)構(gòu)
1．11 8階熔凝石英DOE樣片的制造方法
1．12 成形金屬基準層的制造工藝
1．13 轉(zhuǎn)印成形和第一層掩模板的刻蝕
1．14 轉(zhuǎn)印成形和第二層掩模板的刻蝕
1．15 轉(zhuǎn)印成形和第三層掩模板的刻蝕
致謝
參考文獻
第2章 微光學(xué)等離子體刻蝕加工技術(shù)
2．1 概述和回顧
2．2　基本的刻蝕處理技術(shù)
2．3 玻璃類材料的刻蝕工藝
2．4 硅材料微光學(xué)結(jié)構(gòu)的刻蝕
2．5 具有灰度微光學(xué)結(jié)構(gòu)的Ⅲ-V族材料的刻蝕工藝
2．6 GaN、SiC和Al2O3刻蝕微光學(xué)元件
2．7 Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe和寬光譜ZnS的刻蝕工藝
2．7．1 ZnSe和ZnS光學(xué)元件的應(yīng)用
2．8 紅外刻蝕材料——紅外玻璃IG6
2．8．1 IG6玻璃刻蝕工藝
2．9 非反應(yīng)光學(xué)材料刻蝕微光學(xué)元件的工藝
2．9．1 高斯光束均質(zhì)器和MLA的灰度加工技術(shù)
致謝
參考文獻
第3章 使用相位光柵掩模板的模擬光刻術(shù)
3．1 概述
3．2 相位掩模技術(shù)
3．3 光學(xué)元件的設(shè)計和制造
3．3．1 光致抗蝕劑的性質(zhì)
3．3．2 相位掩模的設(shè)計
3．3．3 微光學(xué)光致抗蝕劑處理工藝
3．4 軸對稱元件的設(shè)計和制造
3．5 結(jié)論
參考文獻
第4章 光學(xué)器件的電子束納米光刻制造技術(shù)
4．1 概述
4．2 電子束光刻術(shù)
4．2．1 電子束光刻術(shù)發(fā)展史
4．2．2 電子束光刻系統(tǒng)
4．2．3 電子束光刻技術(shù)
4．3 特殊材料光學(xué)器件的納米制造技術(shù)
4．3．1 回顧
4．3．2 硅
4．3．3 砷化鎵
4．3．4 熔凝石英
4．4 光學(xué)器件加工實例
4．4．1 熔凝石英自電光效應(yīng)器件
4．4．2 熔凝石英微偏振器
4．4．3 砷化鎵雙折射波片
4．5 結(jié)論
致謝
參考文獻
第5章 納米壓印光刻技術(shù)和器件應(yīng)用
5．1 概述
5．2 壓印圖形化和壓印光刻術(shù)的發(fā)展史
5．3 納米壓印光刻術(shù)的相關(guān)概念
5．3．1 納米壓印組件和工藝
5．3．2 納米壓印設(shè)備
5．4 商業(yè)化器件的應(yīng)用
5．4．1 通信用近紅外偏振器
5．4．2 投影顯示用可見光偏振器
5．4．3 光學(xué)讀取裝置的光學(xué)波片（CD／DVD）
5．4．4 高亮度發(fā)光二極管
5．4．5 微光學(xué)（微透鏡陣列）和衍射光學(xué)元件
5．4．6 多層集成光學(xué)元件
5．4．7 分子電子學(xué)存儲器
5．4．8 光學(xué)和磁數(shù)據(jù)存儲
5．5 結(jié)論
致謝
參考文獻
第6章 平面光子晶體的設(shè)計和制造
6．1 概述
6．2 光子晶體學(xué)基礎(chǔ)知識
6．2．1 晶體學(xué)術(shù)語
6．2．2 晶格類型
6．2．3 計算方法
6．3 原型平面光子晶體
6．3．1 電子束光刻工藝
6．3．2 普通硅刻蝕技術(shù)
6．3．3 時間復(fù)用刻蝕
6．3．4 先進的硅微成形刻蝕工藝
6．4 基于色散特性的平面光子晶體
6．4．1 平面光子晶體結(jié)構(gòu)中的色散波導(dǎo)
6．4．2 負折射
6．5 未來應(yīng)用前景
參考文獻
第7章 三維（3D）光子晶體的制造——鎢成型法
7．1 對稱性、拓撲性和PBG
7．2 金屬光子晶體
7．3 金屬結(jié)構(gòu)的可加工性
7．4 三維光子晶體的制造
7．5 膠體模板法
7．6 微光刻工藝
7．7 利用“模壓”技術(shù)制造光子晶體
7．8 膜層應(yīng)力
7．9 對準
7．10 表面粗糙度
7．11 側(cè)壁輪廓
7．12 釋放刻蝕
7．13 測量方法、測試工具和失效模式
7．14 結(jié)論
致謝
參考文獻