薄膜物理與器件

第一章 真空技術(shù)基礎(chǔ)
1.1 真空基礎(chǔ)
1.1.1 真空的定義及其度量單位
1.1.2 真空的分類(lèi)
1.1.3 氣體與蒸氣
1.2 稀薄氣體的性質(zhì)
1.2.1 理想氣體定律
1.2.2 氣體分子的速度分布
1.2.3 平均自由程
1.2.4 碰撞次數(shù)與余弦散射定律
1.2.5 真空在薄膜制備中的作用
1.3 真空的獲得
1.3.1 氣體的流動(dòng)狀態(tài)
1.3.2 真空的獲得
1.4 真空的測(cè)量
1.4.1 熱偶真空計(jì)和熱阻真空計(jì)
1.4.2 電離真空計(jì)
1.4.3 薄膜真空計(jì)
1.4.4 其他類(lèi)型的真空計(jì)
習(xí)題與思考題
第二章 薄膜的物理制備工藝學(xué)
2.1 薄膜制備方法概述
2.2 真空蒸發(fā)鍍膜
2.2.1 真空蒸發(fā)原理
2.2.2 蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性
2.2.3 蒸發(fā)源的加熱方式
2.2.4 合金及化合物的蒸發(fā)
2.3 濺射鍍膜
2.3.1 概述
2.3.2 輝光放電
2.3.3 表征濺射特性的基本參數(shù)
2.3.4 濺射過(guò)程與濺射鍍膜
2.3.5 濺射機(jī)理
2.3.6 主要濺射鍍膜方式
2.3.7 濺射鍍膜的厚度均勻性分析
2.3.8 濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜的比較
2.4 離子束鍍膜
2.4.1 離子鍍的原理與特點(diǎn)
2.4.2 離子轟擊及其在鍍膜中的作用
2.4.3 粒子轟擊對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響
2.4.4 離子鍍的類(lèi)型及特點(diǎn)
2.5 分子束外延技術(shù)
2.5.1 外延的基本概念
2.5.2 MBE裝置及原理
2.5.3 MBE的特點(diǎn)
2.6 脈沖激光沉積技術(shù)
2.6.1 脈沖激光沉積技術(shù)概述
2.6.2 脈沖激光沉積技術(shù)的特點(diǎn)
2.6.3 脈沖激光沉積薄膜技術(shù)的改進(jìn)
2.6.4 脈沖激光沉積薄膜技術(shù)的發(fā)展
習(xí)題與思考題
第三章 薄膜的化學(xué)制備工藝學(xué)
3.1 概述
3.2 化學(xué)氣相沉積
3.2.1 化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)介
3.2.2 （CVI）的基本原理
3.2.3 CVD法的主要特點(diǎn)
3。2.4 幾種主要的（CVD）技術(shù)簡(jiǎn)介
3.3 薄膜的化學(xué)溶液制備技術(shù)
3.3.1 化學(xué)反應(yīng)鍍膜
3.3.2 溶膠－凝膠法（Sol-Gel）法
3.3.3 陽(yáng)極氧化法
3.3.4 電鍍法
3.3.5 噴霧熱分解法
3.4 薄膜的軟溶液制備技術(shù)
3.4.1 軟溶液制備技術(shù)的基本原理
3.4.2 水熱電化學(xué)
3.5 超薄有機(jī)薄膜的LB制備技術(shù)
……
第四章 薄膜制備中的相關(guān)技術(shù)
第五章 薄膜的形成與生長(zhǎng)
第六章 現(xiàn)代薄膜分析方法
第七章 薄膜的物理性質(zhì)
第八章 幾種重要的功能薄材料
第九章 薄膜的應(yīng)用
主要詞匯漢英索引
參考文獻(xiàn)