硅材料檢測技術

第1章 硅單晶常規(guī)電學參數(shù)的物理測試
　1.1 半導體硅單晶導電類型的測量
　1.2 半導體硅單晶電阻率的測量
　1.3 非平衡少數(shù)載流子壽命的測量
　本章小結
　習題
第2章 化學腐蝕法檢測晶體缺陷
　2.1 半導體晶體的電化學腐蝕機理及常用腐蝕劑
　2.2 半導體單晶中的缺陷
　2.3 硅單晶中位錯的檢測
　2.4 硅單晶中漩渦缺陷的檢測
　2.5 化學工藝中的安全知識
　2.6 金相顯微鏡簡介
　本章小結
　習題
第3章 半導體晶體定向
　3.1 晶體取向的表示方法
　3.2 光圖定向
　3.3 X射線定向
　本章小結
　習題
第4章 紅外吸收法測定硅單晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗
　4.1 測量原理
　4.2 測試工藝和方法
　4.3 測準條件分析
　4.4 多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗
　本章小結
　習題
第5章 純水的檢測
　5.1 純水在半導體生產(chǎn)中的應用
　5.2 離子交換法制備純水的原理
　5.3 離子交換法制備純水
　5.4 純水制備系統(tǒng)主要設備及工作原理
　5.5 純水制備系統(tǒng)運行控制
　5.6 純水制備系統(tǒng)的清洗
　5.7 高純水的檢測
　本章小結
　習題
第6章 高純分析方法
　6.1 三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學光譜測定
　6.2 三氯氫硅(四氯化硅)中硼的分析
　6.3 三氯氫硅(四氯化硅)中痕量磷的氣相色譜測定
　6.4 工業(yè)硅中鐵、鋁含量的測定
　6.5 露點法測定氣體中的水分
　6.6 氣相色譜法測定干法H2的組分
　6.7 氯化氫中水分的測定
　6.8 液氯中水分的測定
　本章小結
　習題
第7章 其他物理檢測儀器簡介
　7.1 X射線形貌技術
　7.2 質(zhì)譜分析
　7.3 中子活化分析
　7.4 電子顯微鏡
參考文獻