金屬有機(jī)化合物氣相外延基礎(chǔ)及應(yīng)用

前言
第1章緒論
1.1 外延生長
1.2 MOVPE概述
參考文獻(xiàn)
第2章 MOVPE生長系統(tǒng)
2.1 MOVPE氣體輸運(yùn)分系統(tǒng)
2.2 MOVPE生長反應(yīng)室分系統(tǒng)
2.3 MOVPE尾氣處理分系統(tǒng)
2.4 MOVPE生長控制裝置分系統(tǒng)
2.5 MOVPE外延層生長的原位監(jiān)測
參考文獻(xiàn)
第3章 原材料
3.1 金屬有機(jī)化合物源
3.2 氫化物源
參考文獻(xiàn)
第4章 MOVPE的熱力學(xué)分析
4.1 外延生長速度的限制機(jī)構(gòu)
4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關(guān)系
4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區(qū)
4.4 摻雜
參考文獻(xiàn)
第5章 MOVPE化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)和質(zhì)量輸運(yùn)
5.1 MOVPE化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)
5.2 MOVPE反應(yīng)室內(nèi)的輸運(yùn)現(xiàn)象與模型化
5.3 MOVPE化學(xué)反應(yīng)一輸運(yùn)模型的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第6章 MOVPE的表面過程
6.1 表面成核
6.2 外延生長模式
6.3 MOVPE環(huán)境下的表面再構(gòu)
6.4 表面活性劑
參考文獻(xiàn)
第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料的MOVPE生長
7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長
7.2 InP、GaP及其有關(guān)化合物的MOVPE生長
7.3 銻化物的MOVPE生長
7.4 氮化物的MOVPE生長
7.5 選擇外延生長和非平面襯底上的外延生長
7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的MOVPE生長
參考文獻(xiàn)
第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料的MOVPE生長
8.1 ZnSe及其有關(guān)化合物的MOVPE生長
8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長
8.3 HgCdTe的MOVPE生長
參考文獻(xiàn)
第9章 低維半導(dǎo)體材料的MOVPE生長
9.1 量子阱結(jié)構(gòu)的MOVPE生長
9.2 量子點(diǎn)和量子線結(jié)構(gòu)的生長
參考文獻(xiàn)
第10章 MOVPE技術(shù)在半導(dǎo)體器件方面的應(yīng)用
10.1 發(fā)光二極管
10.2 激光器
10.3 太陽能電池
10.4 半導(dǎo)體光探測器
10.5 高電子遷移率場效應(yīng)晶體管
10.6 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
10.7 光電集成電路
參考文獻(xiàn)
后記