TFTLCD面板的驅(qū)動與設(shè)計

第1章 了解TFTLCD
1.1 了解顯示器
1.1.1 像素（pixel，即pictureelement）
1.1.2 對比度（contrast）
1.1.3 灰階（graylevel）
1.1.4 顏色（color）
1.2 液晶顯示器（liquidcrystaldisplay,LCD）
1.2.1 光閥的概念
1.2.2 如何利用LCD制成光閥
1.2.3 如何控制液晶光閥
1.2.4 液晶電容
1.2.5 進一步認識液晶
1.3 了解薄膜晶體管（thinfilmtransistor,TFT）
1.3.1 TFT的結(jié)構(gòu)與工作原理
1.3.2 TFT的電流-電壓特性
1.3.3 TFT與MOSFET的比較
1.4 了解TFTLCD
1.4.1 TFTLCD架構(gòu)
1.4.2 彩色TFTLCD的亞像素
1.4.3 TFTLCD的比喻
1.5 名詞解釋
第1章 練習

第2章 TFTLCD的工作原理
2.1 TFTLCD的工作方式
2.2 極性反轉(zhuǎn)（polarityinversion）
2.2.1 什么叫做“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.2 為什么可以“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.3 驅(qū)動電壓的均方根（rootmeansquare,RMS）
2.2.4 為什么必須要有“極性反轉(zhuǎn)”
2.2.5 像素陣列極性反轉(zhuǎn)的方式
2.3 充電（charging）
2.3.1 充電與放電電流
2.3.2 充電時間
2.3.3 電壓范圍
2.3.4 預充電（pre-charge）
2.4 電位保持（holding）
2.4.1 漏電的路徑
2.4.2 儲存電容（storagecapacitor）
2.4.3 儲存電容的參考電壓
2.4.4 點缺陷型漏電
2.5 電容耦合效應（coupling）
2.5.1 電容耦合的原理
2.5.2 像素中的電容
2.5.3 掃描線的電容耦合效應
2.5.4 數(shù)據(jù)線的電容耦合效應
2.6 信號延遲（delay）
2.6.1 信號延遲的原理
2.6.2 信號延遲的計算方法
2.6.3 掃描線上的信號延遲
2.6.4 數(shù)據(jù)線上的信號延遲
2.6.5 共電極的信號延遲
2.7 綜合效應
2.7.1 充電與電荷保持
2.7.2 充電與電容耦合
2.7.3 充電與信號延遲
2.7.4 電荷保持與電容耦合
2.7.5 電容耦合與信號延遲
第2章 練習

第3章 面板設(shè)計實例
3．1 從產(chǎn)品規(guī)格開始
3．1．1 認識TFTLCD的產(chǎn)品規(guī)格
3．1．2 專業(yè)領(lǐng)域的整合
3．1．3 產(chǎn)品規(guī)格的協(xié)調(diào)制定
3．1．4 TFT面板設(shè)計相關(guān)的專業(yè)規(guī)格
3．2 TFTLCD像素排列
3．2．1 像素完全相同與最壞情況設(shè)計(worstcasedesign)
3．2．2 初始設(shè)計
3．2．3 初始像素布局
3．2．4 布局后模擬
3．2．5 像素設(shè)計實例
3．3 像素陣列之外
3．3．1 掃描線與數(shù)據(jù)線布線
3．3．2 下板共電極布線
3．3．3 共電極金膠點與共電極電源布線
3．3．4 對準標示
3．3．5 測試鍵(testkeys)
3．3．6 電荷分享預充電設(shè)計
3．3．7 靜電防治、陣列測試與激光修補設(shè)計
3．3．8 其他設(shè)計項目

第4章 TFTLCD的驅(qū)動系統(tǒng)
4．1 驅(qū)動系統(tǒng)概述
4．1．1 時序控制電路(timingcontroller)
4．1．2 掃描驅(qū)動電路(scandriver)
4．1．3 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(datadriver)
4．1．4 共電極參考電壓源
4．1．5 電壓源轉(zhuǎn)換電路
4．1．6 r(Gamma)校正參考電壓
4．2 掃描驅(qū)動電路
4．2．1 掃描驅(qū)動電路的基本功能區(qū)塊
4．2．2 掃描驅(qū)動電路子系統(tǒng)概觀
4．3 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路
4．3．1 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的基本功能區(qū)塊
4．3．2 r校正參考電壓
4．3．3 數(shù)據(jù)傳輸界面
4．3．4 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路子系統(tǒng)概述
4．4 時序控制電路
4．4．1 視頻數(shù)據(jù)處理
4．4．2 電荷分享(chargcsharing)節(jié)省電源
4．4．3 響應時間補償(response：timecomperlsation，RTC)
第4章 練習

第5章 設(shè)計的現(xiàn)實考量
5．1 靜電防治設(shè)計
5．1．1 靜電破壞
5．1．2 TFT的靜電防治設(shè)計
5．1．3 驅(qū)動負載的增加
5．1．4 靜電保護設(shè)計的方式與有效階段
5．2 陣列測試設(shè)計
5．2．1 陣列測試的時機與目的
5．2．2 陣列電性測試的方式
5．3 激光修補設(shè)計
5．3．1 激光修補的目的
5．3．2 激光修補的方式
5．4 布局考量
5．4．1 TFT的布局方式
5．4．2 像素布局設(shè)計
5．4．3 陣列外布局設(shè)計
5．4．4 面板接合光刻掩模設(shè)計
5．4．5 基板上面板放置與其掩模接合設(shè)計
5．4．6 上下基板對位設(shè)計
5．4．7 布局檢查
5．5 制程與環(huán)境的變動
5．5．1 電極線寬定義及對準
5．5．2 薄膜厚度
5．5．3 環(huán)境溫度變化
5．6 顯示畫質(zhì)不良的分析
5．6．1 點缺陷與線缺陷
5．6．2 斑駁
5．6．3 串擾(cross-talk)
5．6．4 閃爍(flicker)與直流殘留(DCresidue)
5．6．5 漸層(shading)
5．6．6 區(qū)塊(blocking)
5．6．7 不良現(xiàn)象的原因分析
第5章 練習

第6章 面板設(shè)計的進一步發(fā)展
第一版后記