IGBT場效應半導體功率器件導論

序
前言
第1章　緒論
　1.1　半導體功率器件與電力電子技術(shù)
　1.2　半導體功率器件及其主要應用領域
　1.3　電力電子與民族工業(yè)的振興
　1.4　本書的主要內(nèi)容和章節(jié)安排
第2章　半導體功率器件技術(shù)回顧
　2.1　引言
　2.2　雙極結(jié)型晶體管（BJT）技術(shù)
　2.3　場效應晶體管（FFT）技術(shù)
　2.4　MOSFET的發(fā)展歷程
　2.5　絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　2.6　其他半導體功率器件
　2.7　半導體新材料和新器件
　2.8　IGBT等半導體功率器件的應用
　2.9　小結(jié)
　參考文獻
第3章　IGBT的工作機理分析
　3.1　引言
　3.2　IGBT的基本結(jié)構(gòu)及輸出，I-V特性
　3.3　IGBT工作機理的數(shù)值分析
　3.4 IGBT重要電性能參數(shù)的分析和優(yōu)化設計
　3.5　小結(jié)
　參考文獻
第4章　IGBT準數(shù)值分析模型
　4.1　引言
　4.2 IGBT n-區(qū)壓降計算的準數(shù)值模型
　4.3 IGBT n-區(qū)壓降計算的PIN二極管模型
　4.4 IGBT樣品測量與模型計算的比較
　4.5　小結(jié)
　參考文獻
第5章　IGBT的等效電路模型
　5.1　引言
　5.2 IGBT等效電路的建立
　5.3 IGBT n-區(qū)電阻的VCR模型
　5.4 IGBT等效電路模型參數(shù)的非破壞測試和提取
　5.5　模擬與測量的比較與討論
　5.6　小結(jié)
　參考文獻
第6章　IGBT的開關特性和溫度效應
　6.1　引言
　6.2　IGBT關斷特性的分析
　6.3　IGBT溫度效應的分析
　6.4　小結(jié)
　參考文獻
第7章　平面工藝IGBT設計與制作
　7.1　引言
　7.2　半導體功率器件的襯底材料
　7.3　平面工藝IGBT設計與制作
　7.4　全自對準淺結(jié)平面工藝IGBT設計
　7.5　制作芯片的測試與結(jié)果分析
　7.6　小結(jié)
　參考文獻
第8章　Trench Gate（槽柵）IGBT結(jié)構(gòu)和工藝
　8.1 Trench工藝的提出
　8.2 Trench工藝的發(fā)展
　8.3 Trench的幾種結(jié)構(gòu)
　8.4 Trench結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢與不足
　8.5　難熔金屬硅化物工藝
　8.6　全自對準Trench Gate IGBT結(jié)構(gòu)與工藝設計
　8.7　電力電子新器件與新工藝
　8.8　小結(jié)
　參考文獻
第9章　pn結(jié)擊穿與終端保護技術(shù)
主要符號表