SiGe 微電子技術(shù)

第一章 SiGe技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用概述
1.1 SiGe器件
1.1.1 SiGe雙極型器件
1.1.2 SiGe場(chǎng)效應(yīng)器件
1.1.3 SiGe光電器件
1.1.4其他SiGe器件
1.2 SiGe-HBT的主要應(yīng)用
1.2.1 SiGe放大器
1.2.2 SiGe-A/D轉(zhuǎn)換器
1.2.3 SiGe振蕩器
1.2.4 SiGe混頻器和倍增器、倍減器
1.2.5 SiGe-HBT的其他應(yīng)用
　1.3 IBMSiGe技術(shù)的早期歷史
1.3.1 SiGe技術(shù)的起源
1.3.2 SiGe-UHV/CVD技術(shù)的發(fā)明
1.3.3 最早采用UHV/CVD技術(shù)制作的Si外延基區(qū)晶體管
1.3.4 IBM最早的SiGe基區(qū)晶體管
1.3.5 PNP-SiGe晶體管
1.3.6 fT為75GHZ的SiGe基區(qū)晶體管
1.3.7 SiGe外延基區(qū)晶體管（ETX）
1.3.8 SGe技術(shù)的后續(xù)工作
　1.4 SiGe的主要廠商、工藝及代表產(chǎn)品
1.4.1 SiGe技術(shù)的兩種主要工藝
1.4.2 IBM的SiGe—BiCMOS工藝及產(chǎn)品
1.4.3 Atmel的SiGe技術(shù)
1.4.4 Maxim的SiGe技術(shù)
1.4.5 Jazz半導(dǎo)體公司的SiGe技術(shù)
1.4.6 TSMC（臺(tái)積電）的SiGe技術(shù)
1.4.7 SiGe半導(dǎo)體公司
1.4.8 Sirerm.Microdevices的SiGe技術(shù)
　1.5 SiGe技術(shù)的市場(chǎng)和前景
　1.6 SiGe薄膜的制備工藝概述
　1.7 開發(fā)SiGe-HBT工藝的途徑
1.7.1 采用低溫外延技術(shù)淀積SiGe
1.7.2 SiGe—BiCMOS的工藝集成
1.7.3 SiGe-HBT的制作
1.7.4 其他元件的工藝技術(shù)
　1.8 SiGe技術(shù)的國(guó)內(nèi)發(fā)展動(dòng)態(tài)
　參考文獻(xiàn)
第二章 Si1-xGex的基本物理特性
　2.1 Si1-xGex合金的晶格和一般性質(zhì)
2.1.1 Si1-xGex合金的相圖
2.1.2 Si1-xGex合金的晶體
　……
第三章 應(yīng)變硅技術(shù)原理
第四章 SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第五章 SiGe材料的主要制備技術(shù)
第六章 Si-SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
第七章 Si-SiGe異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第八章 應(yīng)變硅器件與電路
第九章 SiGe在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用