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內(nèi)容簡介

　　本世紀(jì)頭20年，我國經(jīng)濟建設(shè)的主要任務(wù)是推動經(jīng)濟結(jié)構(gòu)戰(zhàn)略性調(diào)整，基本實現(xiàn)工業(yè)化，大力推進信息化，加快建設(shè)現(xiàn)代化，保持國民經(jīng)濟持續(xù)快速健康發(fā)展。標(biāo)準(zhǔn)化是工業(yè)化、信息化和現(xiàn)代化的重要基礎(chǔ)，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成為國際經(jīng)濟、科技競爭的重要手段。為全面提升我國標(biāo)準(zhǔn)工作的技術(shù)水平，適應(yīng)加入wT0以后在高技術(shù)領(lǐng)域所面臨的競爭，全國科技工作會議從推進我國“十五”科技發(fā)展的高度提出實施“人才、專利、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)”三大戰(zhàn)略，并在科技部重大專項實施過程中突出強調(diào)三大戰(zhàn)略的落實。半導(dǎo)體材料是新材料的重要組成部分，在集成電路產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著重要支撐作用。國家科技部在“十五”科技發(fā)展計劃中，將超大規(guī)模集成電路配套材料列為重點發(fā)展的12個重大專項內(nèi)容之一，以0.13-0.10um技術(shù)硅集成電路所需配套材料為主攻方向，加強自主創(chuàng)新，根據(jù)世界發(fā)展趨勢，跨越式地有重點地進行研究開發(fā)，對市場用量大的微電子配套材料進行工程化技術(shù)體系研究，形成專業(yè)化和規(guī)?；a(chǎn)。相關(guān)材料標(biāo)準(zhǔn)體系研究是工程化技術(shù)體系的重要內(nèi)容之一。北京有色金屬研究總院等單位在總結(jié)現(xiàn)有國內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上，編輯出版的《國內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》一書，不僅為我國從事半導(dǎo)體材料研究、生產(chǎn)和使用的科研、設(shè)計、生產(chǎn)、檢測評價、管理、大專院校等各類人員提供了一本內(nèi)容全面的工具書，而且對推進我國技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)工作具有重要意義。值此《國內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》出版之際，希望北京有色金屬研究總院等半導(dǎo)體材料界的技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)單位能夠繼續(xù)努力，將科技創(chuàng)新活動與標(biāo)準(zhǔn)化工作緊密結(jié)合起來，使我國最新的科研成果用標(biāo)準(zhǔn)的形式體現(xiàn)出來，為促進我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步和行業(yè)發(fā)展做出新的更大貢獻。

作者簡介

暫缺《國內(nèi)外半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)匯編》作者簡介

圖書目錄

一、我國半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)
　1.基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 8756-1988　鍺晶體缺陷圖譜
　　GB/T 13389-1992　摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
　　GB/T 14264-1993　半導(dǎo)體材料術(shù)語
　　GB/T 14844-1993　半導(dǎo)體材料牌號表示方法
　　GB/T 16595-1996　晶片通用網(wǎng)絡(luò)規(guī)范
　　GB/T 16596-1996　確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范
YS/T 209-1994　硅材料原生缺陷圖譜（原GBn 266-87）
　2.產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 2881-1991　工業(yè)硅技術(shù)條件
　　GB/T 5238-1995 鍺單晶
　　GB/T 101 18-1988　高純鎵
　　GB/T 1 1069-1989　高純二氧化鍺
　　GB/T 1 1070-1989　還原鍺錠
　　GB/T 1 1071-1989　區(qū)熔鍺錠
　　GB/T 1 1072-1989　銻化銦多晶、單晶及切割片
　　GB/T 1 1093-1989　液封直拉法砷化鎵單晶及切割片
　　GB/T 1 1094-1989　水平法砷化鎵單晶及切割片
　　GB/T 12962-1996　硅單晶
　　GB/T 12963-1996　硅多晶
　　GB/T 12964-2003　硅單晶拋光片
　　GB/T 12965-1996　硅單晶切割片和研磨片
　　GB/T 14139-1993　硅外延片
　　GB/T 15713-1995　鍺單晶片
YS/T 13-1991　高純四氯化鍺
YS/T 28-1992　硅片包裝
YS/T 43-1992　高純砷
YS/T 264-1994　高純銦（原GB 8003-87）
Ys/T 290-1994　霍爾器件和甘氏器件用砷化鎵液相外延片（原GB 1 1095-89）
YS/T 300-1994　鍺富集物（原zB H 31003-87）
　3.方法標(biāo)準(zhǔn)
　　GB/T 1550-1997　非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法
　　GB/T 1551-1995　硅、鍺單晶電阻率測定　直流兩探針法
　　GB/T 1552-1995　硅、鍺單晶電阻率測定　直排四探針法
　　GB/T 1553-1997　硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法
　　GB/T 1554-1995　硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
　　GB/T 1555-1997　半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
　　GB/T 1557-1989　硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
　　GB/T 1558-1997　硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
　　GB/T 4058-1995　硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
　　GB/T 4059-1983　硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法
　　GB/T 4060-1983　硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法
　　GB/T 4061-1983　硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗方法
　　GB/T 4298-1984　半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法
　　GB/T 4326-1984 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
　　GB/T 5252-1985　鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
　　GB/T 6616-1995　半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法
　　GB/T 6617-1995　硅片電阻率測定擴展電阻探針法
　　GB/T 6618-1995　硅片厚度和總厚度變化測試方法
　　GB/T 6619-1995　硅片彎曲度測試方法
　　GB/T 6620-1995　硅片翹曲度非接觸式測試方法
　　GB/T 6621-1995　硅拋光片表面平整度測試方法
　　GB/T 6624-1995　硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
　　GB/T 8757-1988　砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
　　GB/T 8758-1988　砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法
　　GB/T 8760-1988　砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
　　GB/T 11068-1989 砷化鎵外延層載流子濃度電容一電壓測量方法
　　GB/T 11073-1989　硅片徑向電阻率變化的測量方法
　　GB/T 13387-1992 電子材料晶片參考面長度測量方法
　　GB/T 13388-1992　硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向x射線測量方法
　　GB/T 14140.1-1993　硅片直徑測量方法光學(xué)投影法
　　GB/T 14140.2-1993　硅片直徑測量方法千分尺法
　　GB/T 1414l-1993　硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法
　　GB/T 14142-1993　硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法
　　GB/T 14143-1993　300-900&m硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法
　　GB/T 14144-1993　硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
　　GB/T 14145-1993　硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法
　　GB/T 14146-1993　硅外延層載流子濃度測定汞探針電容一電壓法
　　GB/T 14847-1993 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
　　GB/T 14849.1-1993 工業(yè)硅化學(xué)分析方法　1，10一二氮雜菲分光光度法測定鐵量
　　GB/T 14849.2-1993　工業(yè)硅化學(xué)分析方法　鉻天青-S分光光度法測定鋁量
　　GB/T 14849.3-1993　工業(yè)硅化學(xué)分析方法　鈣量的測定
　　GB/T 15615-1995　硅片抗彎強度測試方法
二、SEMI標(biāo)準(zhǔn)