低溫多晶硅顯示技術(shù)

第1章 緒論--低溫多晶硅的時代
1.1 概述
1.2 平面顯示器的分類
1.3 低溫多晶硅開發(fā)歷史
1.4 低溫多晶硅的優(yōu)勢
1.4.1 高清晰度與高開口率
1.4.2 電磁干擾
1.4.3 周邊驅(qū)動IC
1.4.4 低功率消耗
1.4.5 窄框化與高集成度
第2章 低溫多晶硅特性與結(jié)構(gòu)
2.1 概述
2.2 LTPS薄膜晶體管的特性
2.2.1 特性曲線
2.2.2 等效載流子遷移率
2.2.3 閾值電壓
2.2.4 亞閾值擺幅
2.2.5 漏電流
2.3 低溫多晶硅像素的結(jié)構(gòu)
2.3.1 八次光刻的倒柵工藝流程
2.3.2 九次光刻的頂柵工藝流程
2.3.3 五次光刻的頂柵工藝流程
2.3.4 內(nèi)建電路架構(gòu)
第3章 低溫多晶硅的可靠性
3.1 概述
3.2 LTPS器件可靠性
3.2.1 熱載流子效應(yīng)
3.2.2 動態(tài)可靠性測試
3.2.3 短溝道效應(yīng)
3.2.4 窄溝道效應(yīng)
3.2.5 駝峰效應(yīng)
3.2.6 扭曲效應(yīng)
3.2.7 自發(fā)熱效應(yīng)
3.2.8 低頻噪聲特性
3.2.9 輻射效應(yīng)
3.3 LTPS陣列可靠性
3.3.1 靜電泄放傷害
3.3.2 環(huán)境與工藝過程中的ESD防護(hù)
3.3.3 陣列與內(nèi)建電路的防護(hù)
3.4 陣列測試
3.4.1 接觸式測試
3.4.2 非接觸式測試
3.4.3 陣列修補(bǔ)
第4章 LTPS氧化層技術(shù)
4.1 概述
4.2 玻璃基板
4.2.1 玻璃種類
4.2.2 玻璃特性
4.3 緩沖層
4.4 柵絕緣層
4.4.1 氧化硅層
4.4.2 氮化硅層
4.4.3 其他柵氧化層
4.4.4 表面粗糙度
4.4.5 清洗技術(shù)
4.5 層間絕緣層
4.5.1 上部透明導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)
4.5.2 平坦化工藝
4.5.3 氫化工藝
第5章 LTPS多晶硅成膜技術(shù)
5.1 概述
5.2 直接淀積型多晶硅
5.2.1 觸媒式化學(xué)氣相淀積
5.2.2 硅濺射工藝
5.3 再結(jié)晶型多晶硅
5.3.1 固相晶化
5.3.2 金屬誘導(dǎo)橫向晶化法
5.3.3 準(zhǔn)分子激光晶化
5.4 激光晶化系統(tǒng)
5.4.1 準(zhǔn)分子激光源
5.4.2 光學(xué)與基板承載系統(tǒng)
5.5 多晶硅成膜機(jī)制
5.5.1 部分熔融區(qū)
5.5.2 接近完全熔融區(qū)
5.5.3 完全熔融區(qū)
5.6 晶化質(zhì)量的提升
5.6.1 重疊照射
5.6.2 非晶硅厚度
5.6.3 抗反射層
5.6.4 晶化氣氛與溫度
5.6.5 分析工具
5.7 下一代多晶硅技術(shù)
5.7.1 循序性橫向晶化
5.7.2 固態(tài)激光晶化
5.7.3 連續(xù)波激光橫向晶化
5.7.4 選擇性擴(kuò)大激光晶化
5.7.5 連續(xù)硅晶界
第6章 LTPS離子注人技術(shù)
6.1 概述
6.2 顯示器用注入系統(tǒng)
6.2.1 質(zhì)量分析式離子注入
6.2.2 離子云式注入機(jī)
6.2.3 等離子體注入與固態(tài)擴(kuò)散式
6.3 漏極與源極端摻雜
6.3.1 氫含量的影響
6.3.2 反型注入
6.3.3 交叉污染
6.3.4 光刻膠碳化效應(yīng)
6.4 輕摻雜漏極
6.4.1 高能量注入
6.4.2 低電流注入
6.5 溝道摻雜
6.6 離子激活工藝
6.6.1 激光激活法
6.6.2 快速熱退火激活法
6.6.3 高溫?zé)釥t管激活法與自激活法
第7章 低溫多晶硅面板開發(fā)現(xiàn)況
7.1 概述
7.2 日本低溫多晶硅的開發(fā)
7.2.1 東芝（TOSHIBA）
7.2.2 松下（MATSUSHITA）
7.2.3 三洋（SANYO）
7.2.4 索尼（SONY）
7.2.5 夏普（SHARP）
7.2.6 精工愛普生（SEIKO-EPSON）
7.2.7 富士通（FU兒TSU）
7.2.8 日立（HITACHI）
7.2.9 日本電器（NEC）
7.2.1 0三菱（MITSUBISHI）
7.3 韓國低溫多晶硅的開發(fā)
7.3.1 LG-Philips
7.3.2 SAMSIJNG
7.4 臺灣低溫多晶硅的開發(fā)
第8章 低功耗顯示技術(shù)
8.1 概述
8.2 功率消耗
8.3 薄膜二極管顯示器
8.3.1 MIM二極管的原理與結(jié)構(gòu)
8.3.2 TFD二極管的原理與結(jié)構(gòu)
8.3.3 二極管面板的驅(qū)動方式
8.4 反射式液晶顯示器
8.4.1 反射板設(shè)計
8.4.2 外部補(bǔ)償設(shè)計
8.4.3 其他反射式顯示面板
8.5 半透式液晶顯示器
8.5.1 比例設(shè)計
8.5.2 彩色濾光片設(shè)計
8.5.3 背光與組裝模組
8.6 省電設(shè)計
8.6.1 嵌入式SRAM
8.6.2 嵌入式DRAM
第9章 大面積低溫多晶硅的挑戰(zhàn)
9.1 概述
9.2 大面積玻璃基板
9.2.1 電阻一電容時間延遲
9.2.2 無接縫技術(shù)
9.3 前段陣列工藝
9.3.1 低阻值引線技術(shù)
9.3.2 微細(xì)加工工藝
9.3.3 刻蝕工藝
9.4 后段液晶模組
9.4.1 液晶滴注法
9.4.2 集成式黑色矩陣
9.4.3 集成間隔體
9.4.4 集成彩色濾光片
9.4.5 背光模組
9.4.6 廣視角
9.5 畫面驅(qū)動系統(tǒng)
9.5.1 過激勵驅(qū)動
9.5.2 背光源驅(qū)動
9.6 大面積有源矩陣平面影像感測器
9.6.1 數(shù)字x射線攝像技術(shù)
9.6.2 間接式檢測
9.6.3 直接式檢測
9.6.4 信號存儲與讀取電路
第10章 有源有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)
10.1 概述
10.2 AMOEL的歷史
10.3 AMOEL驅(qū)動方式
10.3.1 無源OEL
10.3.2 低溫多晶硅AMOEL
10.3.3 非晶硅AMOEL
10.3.4 單晶硅AMOEL
10.4 AMOEL彩色化與制造流程
10.4.1 熱蒸鍍法
10.4.2 旋轉(zhuǎn)涂布法
10.4.3 噴墨印刷法
10.4.4 彩色濾光片
10.4.5 色轉(zhuǎn)換法
10.5 陰陽電極特性
10.5.1 陽極材料
10.5.2 表面處理
10.5.3 底層表面形態(tài)
10.6 OEL面板可靠性
10.6.1 封裝技術(shù)
10.6.2 干燥材料
10.7 有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動設(shè)計
10.7.1 下部發(fā)光型像素
10.7.2 上部發(fā)光型像素
10.7.3 模擬驅(qū)動設(shè)計
10.7.4 數(shù)字驅(qū)動設(shè)計
第11章 可彎曲低溫多晶硅顯示技術(shù)
11.1 概述
11.2 玻璃基板的限制
11.2.1 塑膠基板特性
11.2.2 基板形變
11.2.3 可彎曲的顯示媒介
11.3 可彎曲有源器件
11.3.1 薄膜二極管
11.3.2 非晶硅晶體管
11.3.3 有機(jī)薄膜晶體管
11.4 可彎曲的低溫多晶硅
11.4.1 低溫緩沖層
11.4.2 多晶硅形成
11.4.3 低溫氧化層
11.4.4 離子注入與激活
11.4.5 低溫透明導(dǎo)電電極
11.5 塑膠基板轉(zhuǎn)貼技術(shù)
11.5.1 SUFTLA轉(zhuǎn)貼技術(shù)
11.5.2 基板刻蝕與塑膠貼合技術(shù)
11.5.3 流動式自行組裝
第12章 低溫多晶硅的未來
12.1 低溫多晶硅技術(shù)藍(lán)圖
12.2 低溫多晶硅的挑戰(zhàn)
12.3 結(jié)語
附錄半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會（SEMI）標(biāo)準(zhǔn)